【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制作
，尤其涉及一种确定光刻机之间套刻精度匹配 的方法及系统。
技术介绍
在半导体光刻过程中，测量并优化产品的套刻精度对于保证产品质量稳定性，提 高产品良率至关重要。在集成电路制作过程中，集成电路板不同层次之间的套刻精度对制 作的最终产品良率有很大的影响。因此对不同曝光台之间的套刻精度进行匹配十分必要。目前，一般在半导体制造厂都配备有功能较齐全的套刻精度测量设备，在对不同 曝光台之间的套刻精度进行匹配时，由于配备的套刻精度测量设备无法对制造的产品进行 测量结果分析，同时也就不能根据测量的结果对曝光台之间的匹配进行优化，因此影响了 最终产品良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统， 用以解决现有技术中配备的套刻精度测量设备无法对光刻机之间的套刻精度进行分析确 定的问题。本专利技术实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，包括第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩 上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包 括一个...
【技术保护点】
１．一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，其特征在于，包括：第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包括一个基准点及多个测量点；根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标，并且确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；采用移动后的第二光刻机对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光，确定第二层曝光后对应...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗明辉，王文科，吕学飞，陈浩，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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