本发明专利技术公开了一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统，用以解决配备的套刻精度测量设备无法对光刻机之间的套刻精度进行分析确定的问题。该方法当第一光刻机对硅片进行第一层曝光，根据第一层曝光后的硅片上每对测量区域内基准点之间的坐标差，移动第二光刻机，采用移动后的第二光刻机对硅片进行第二层曝光，根据第二层曝光后的硅片上每对测量区域内每对测量点之间的坐标差，确定第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量，在本发明专利技术实施例中通过获取测量点的坐标，确定光刻机之间的套刻精度量，当测量点包括多个时，从而可以通过精确确定测量点之间的坐标差，进而精确的确定光刻机之间的套刻精度量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制作
，尤其涉及一种确定光刻机之间套刻精度匹配 的方法及系统。
技术介绍
在半导体光刻过程中，测量并优化产品的套刻精度对于保证产品质量稳定性，提 高产品良率至关重要。在集成电路制作过程中，集成电路板不同层次之间的套刻精度对制 作的最终产品良率有很大的影响。因此对不同曝光台之间的套刻精度进行匹配十分必要。目前，一般在半导体制造厂都配备有功能较齐全的套刻精度测量设备，在对不同 曝光台之间的套刻精度进行匹配时，由于配备的套刻精度测量设备无法对制造的产品进行 测量结果分析，同时也就不能根据测量的结果对曝光台之间的匹配进行优化，因此影响了 最终产品良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统， 用以解决现有技术中配备的套刻精度测量设备无法对光刻机之间的套刻精度进行分析确 定的问题。本专利技术实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，包括第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩 上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包 括一个基准点及多个测量点；根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定 每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标，并且 确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方 向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；采用移动后的第二光刻机对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光，确定第二层曝 光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个 方向上的坐标差；根据确定的所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每个方向 上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。本专利技术实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的系统，包括第一光刻机，用于根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述 光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域 内包括一个基准点及多个测量点；测量装置，用于根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第 一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标；控制装置，用于确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的 坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；第二光刻机，用于对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光；确定装置，用于确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对 应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差，根据所述相互对称的每个测量点在 每个方向上的坐标差，确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度 量。本专利技术实施例提供了一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法及系统，该方法当 第一光刻机对硅片进行第一层曝光，根据第一层曝光后的硅片上每对测量区域内基准点之 间的坐标差，移动第二光刻机，采用移动后的第二光刻机对硅片进行第二层曝光，根据第二 层曝光后的硅片上每对测量区域内每对测量点之间的坐标差，确定第一光刻机和第二光刻 机之间的套刻精度量，在本专利技术实施例中通过获取测量点的坐标，确定光刻机之间的套刻 精度量，当测量点包括多个时，从而可以通过精确确定测量点之间的坐标差，进而精确的确 定光刻机之间的套刻精度量。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法；图2为本专利技术实施例提供的光罩上刻有集成电路图形；图3为本专利技术实施例提供的光刻机对光罩上的集成电路图形在硅片上进行曝光 的示意图；图4为本专利技术实施例提供的根据两个点之间的坐标差，确定光刻机之间套刻精度 量的示意图；图5为本专利技术实施例提供的基于图2中光罩上的集成电路图形，经两层曝光后在 硅片上对应的曝光点的示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的系统结构示意 图。具体实施例方式下面结合说明书附图，对本专利技术实施例进行详细说明。图1为本专利技术实施例提供的一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，该方法包 括以下步骤SlOl 第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述 光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域 内包括一个基准点及多个测量点。S102:根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光 点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐 标，并且确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所 述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机。当所述每个测量区域内在横向方向和纵向方向包含两列测量点列时，所述确定每 个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应第一曝光点的坐标包括确定每个测量区域内横向方向的测量点列中每个测量点对应的第一曝光点，与基 准点对应的第一曝光点之间的纵向第一垂直距离；并确定每个测量区域内纵向方向的测量 点列中每个测量点对应的第一曝光点，与基准点对应的第一曝光点之间的横向第一垂直距1 OS103 采用移动后的第二光刻机对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光，确定第 二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点 在每个方向上的坐标差。当所述每个测量区域内在横向方向和纵向方向包含两列测量点列时，确定第二层 曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每 个方向上的坐标差包括根据第二层曝光后每个测量区域内横向方向的测量点列中每个测 量点对应的第二曝光点，及第一层曝光时每个测量区域内横向方向的测量点列中每个测量 点对应的第一曝光点，确定每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第 二曝光点在纵向方向上的距离差；并根据第二层曝光后每个测量区域内纵向方向的测量点 列中每个测量点对应的第二曝光点，及第一层曝光时每个测量区域内纵向方向的测量点列 中每个测量点对应的第一曝光点，确定每对测量区域内相互对称的每个测量点列对应的第 一曝光点和第二曝光点在横向方向上的距离差。S104:根据确定的所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每 个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。在本专利技术实施中根据确定的对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的 第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差具体包括根据确定的相互对称的每个测 量点列对应的第一曝光点和第二曝光点在横向方向上的坐标差，以及所述每对测量区域内 横向方向的测量点列中每个测量点对应的横向第一垂直距离的差值，确定横向方向的套刻 精度量；并根据确定的相互对称的每个测量点列对应的第一曝光点和第二曝光点在纵向方 向上的坐标差，以及所述每对测量区域内纵向方向的测量点列中每个测量点对应的纵向第 一垂直距离的差值，确定纵向方向的套刻精度量。在确定每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量时具体包括: 根据确定的所述横向方向测量点列中每个测量点的纵向距离差，以及所述每对测量区域内 横向方向的测量点列中每个测量点对应的本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种确定光刻机之间套刻精度匹配的方法，其特征在于，包括：第一光刻机根据光罩上的集成电路图形对硅片进行第一层曝光，其中，所述光罩上的集成电路图形中包括至少一对测量区域，每对测量区域相互对称，每个测量区域内包括一个基准点及多个测量点；根据第一层曝光后的硅片上与每个基准点及测量点对应的每个第一曝光点，确定每个测量区域内每个测量点对应的第一曝光点相对基准点对应的第一曝光点的坐标，并且确定每对测量区域的基准点对应的每个第一曝光点在每个方向的坐标差，根据所述每个方向的坐标差，沿每个对应方向移动第二光刻机；采用移动后的第二光刻机对第一层曝光后的硅片进行第二层曝光，确定第二层曝光后对应每对测量区域内相互对称的每个测量点对应的第一曝光点和第二曝光点在每个方向上的坐标差；根据确定的所述相互对称的每个测量点在每个方向上的坐标差，确定在每个方向上所述第一光刻机和第二光刻机之间的套刻精度量。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗明辉，王文科，吕学飞，陈浩，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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