本发明专利技术提供一种老化测试装置，包括：测试腔，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；测试载板，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接，所述测试载板上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板的一侧具有金属接口；控制电路，用于向被测半导体器件提供测试信号；连接部件，与所述控制电路连接，所述连接部件设置于所述测试腔外；所述测试腔的一侧侧壁具有开口，所述测试载板放置于所述测试腔内，所述测试载板的金属接口穿过所述开口与所述连接部件连接。本发明专利技术可极大的延长老化测试装置中连接部件的使用寿命，降低他们发生故障、损坏的风险，同时可提高老化测试的效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体测试分析领域，特别涉及一种老化测试装置。
技术介绍
随着半导体芯片集成度的提高，芯片中所包含的单个晶体管的尺寸也越来越小。 因此，当外部的高电平电压加载于晶体管上时更易引起晶体管的故障。为了确保芯片的可 靠性，需要在一开始就检测出芯片中有缺陷的单元，老化测试即为达到这一目的测试工艺。 老化测试通常是在一定的环境条件下，如在高温，或在一定湿度的条件下，在芯片上施加高 电压，使芯片承受高于正常使用环境的负荷，以便检测出芯片中的缺陷。现有技术的老化测试装置中，用于将测试载板与控制电路连接的连接部件通常设 置于测试腔内或集成于测试腔的一侧侧壁上，测试载板置于测试腔内并插接于连接部件一 端的插接口上，连接部件的另一端连接于位于测试腔之外的控制电路上。被测半导体器件 与测试载板电性连接，测试信号由控制电路发出，经由连接部件和测试载板最终作用于被 测半导体器件上，实现对被测半导体器件的电性测试。与此同时，测试腔还为被测半导体器 件提供一定的温度、湿度等测试环境，以测试被测半导体器件在特定环境条件下，特别是极 端条件下是否会暴露出其缺陷。但这样的结构产生的问题便是连接部件在测试腔中同样需 要经受极端的环境条件，而连接部件通常相较于其他部件更为脆弱，当其经受高温环境时 极易损坏。在实践操作中，当测试腔内的温度为85°C时，连接部件通常能够使用4年时间， 而当测试腔内的温度为200°C以上时，连接部件通常只能够使用几个月时间就损坏了。连接 部件一旦损坏，可能导致电性测试的部件短路，影响测试结果的准确性，工作人员要确定问 题的症结所在也比较困难，同时更换连接部件的工作也比较复杂且成本较高。因此，现有技 术的老化测试装置通常只能允许将测试腔内的温度设定在150°C以下进行老化测试。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种老化测试装置，以解决现有技术的老化测试 装置中用于将测试载板与控制电路连接的连接部件在老化测试中容易受到测试条件的影 响而损坏的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种老化测试装置，包括测试腔，用于为被测 半导体器件提供特定的测试环境；测试载板，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器 件实现电性连接，所述测试载板上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点， 所述测试载板的一侧具有金属接口 ；控制电路，用于向被测半导体器件提供测试信号；连 接部件，与所述控制电路连接，所述连接部件设置于所述测试腔外；所述测试腔的一侧侧壁 具有开口，所述测试载板放置于所述测试腔内，所述测试载板的金属接口穿过所述开口与 所述连接部件连接。可选的，还包括具有密封功能的遮挡条，所述遮挡条设置于所述测试腔上设置开 口的侧壁的外侧，分别固定于所述开口的两侧，用于遮挡所述测试载板的金属接口穿过所述开口后空余出的开口间隙。可选的，所述遮挡条的材质为耐高温塑料。可选的，所述金属接口为一个。可选的，所述金属接口为多个。可选的，所述开口为可同时通过所述多个金属接口的大开口。可选的，所述开口为多个相互独立的开口，所述开口的数量和位置与所述多个金 属接口相对应。可选的，所述测试载板上具有一个或多个测试单元，每一个所述测试单元对应放 置一个被测半导体器件，每一个所述测试单元上具有与放置其上的被测半导体器件的管脚 相对应的焊接点。本专利技术的老化测试装置将连接部件设置于测试腔外，可实现测试腔内温度为 150°C以上的老化测试，使得老化测试装置中比较脆弱的部件如连接部件，不会因受到测试 腔内的极高温度的影响而发生短路或损坏，从而可极大的延长老化测试装置中各部件的使 用寿命，降低他们发生故障、损坏的风险。同时在本专利技术的老化测试装置可提供的更高的温 度环境下，可更加快速的完成对被测器件的老化测试，提高老化测试的效率。在现有的老化 测试装置的基础上，本专利技术的老化测试装置所作改进无需使用特殊的昂贵的材料，所消耗 的成本很低，但却克服了现有技术的瓶颈，取得了很好的有益效果。附图说明图1为采用本专利技术的老化测试装置剖面结构示意图；图2为本专利技术的老化测试装置的水平剖面结构示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术 的具体实施方式做详细的说明。本专利技术所述的老化测试装置可利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例 来加以说明，当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一 般的替换无疑涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细描述，在详述本专利技术实施例时，为了便于说 明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本专利技术的限定。请同时参看图1和图2，图1为本专利技术的老化测试装置垂直剖面结构示意图，图2 为本专利技术的老化测试装置的水平剖面结构示意图。如图1和图2所示，本专利技术的老化测试 装置包括测试腔101，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；测试载板102，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接；控制电路104，用于向被测半导体器件提供测试信号；连接部件103，用于实现所述测试载板102与所述控制电路104间的电性连接。所述连接部件104设置于所述测试腔101外；所述测试载板102上具有与所述被 测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板102的一侧具有金属接口 105，用于与所述连接部件103进行电性连接；所述测试腔101的一侧侧壁具有开口 106，所述测试载 板102放置于所述测试腔101内，所述测试载板102的金属接口 105穿过所述开口 106与 所述连接部件103连接，所述连接部件103同时与所述控制电路104连接。所述测试载板 102上的金属接口 105可以为一个或多个，与之相对应，所述测试腔101侧壁上的所述开口 106可以为可同时通过所述多个金属接口 105的大开口，也可以为多个相互独立的开口，所 述开口 106的数量和位置与所属金属接口 105相对应。本专利技术的老化测试装置在测试时，将被测半导体器件放置于所述测试载板102 上，使所述半导体器件上的管脚与所述测试载板102上相对应的焊接点对接。作为一种实 施例，所述测试载板102上具有一个或多个测试单元107，每一个所述测试单元107对应放 置一个被测半导体器件，每一个所述测试单元107上具有与放置其上的被测半导体器件的 管脚相对应的焊接点。测试时，将被测半导体器件放入所述测试单元107中，使所述被测半 导体器件上的管脚与所述测试单元107上相对应的焊接点对接。控制电路104发出测试信 号，通过所述连接部件104和所述测试载板102将所述测试信号施加至被测半导体器件上， 实现对被测半导体器件的电性测试。与此同时，测试腔还为被测半导体器件提供一定的温 度、湿度等测试环境，以测试被测半导体器件在特定环境条件下，特别是极端条件下是否会 暴露出其缺陷。为防止使用时，所述测试腔101内的高温或高湿环境通过其所述侧壁的开口 106 传递至所述连接部件103，造成所述连接部件103损坏，还可进一步的在所述测试腔101上 设置开口 106的侧壁外侧，所述开口 106的两侧分别固定具有密封功能的遮挡条108，通过 所述遮挡条108遮挡所述测试载板102的金属接口 105穿过所述开口 106后空本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种老化测试装置，包括：测试腔，用于为被测半导体器件提供特定的测试环境；测试载板，用于放置被测半导体器件并与被测半导体器件实现电性连接，所述测试载板上具有与所述被测半导体器件上的管脚相对应的焊接点，所述测试载板的一侧具有金属接口；控制电路，用于向被测半导体器件提供测试信号；连接部件，与所述控制电路连接，其特征在于，所述连接部件设置于所述测试腔外；所述测试腔的一侧侧壁具有开口，所述测试载板放置于所述测试腔内，所述测试载板的金属接口穿过所述开口与所述连接部件连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何莲群，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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