【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种大功率氮化铝陶瓷基板 100ff-20dB 衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，并对设备没有保护作用。衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，对设备有保护作用，但目前国内100W-20dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，市场对衰减精度的要求为精度较高，当衰减精度达不到要求时或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。当频段高于2G时，国内的衰减片，其衰减精度更将满足不了要求。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。出现上述...
【技术保护点】
１．一种大功率氮化铝陶瓷基板１００Ｗ－２０ｄＢ衰减片，其特征在于：其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郝敏，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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