【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种带有部分密封壳体的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供覆盖基底，在所述覆盖基底的正面形成正面凹坑；在所述覆盖基底的正面淀积停止材料，形成刻蚀停止层；刻蚀所述覆盖基底上部分正面凹坑的正对背面，直至露出所述刻蚀停止层，在所述覆盖基底的背面形成背面凹坑；提供器件基底，其上形成有半导体器件；将所述覆盖基底与所述器件基底正面对接并固定，在所述器件基底上方形成部分密封壳体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张挺，张艳红，杨海波，马清杰，谢志峰，邵凯，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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