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本发明提供一种带有部分密封壳体的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供覆盖基底，在覆盖基底的正面形成正面凹坑；在覆盖基底的正面淀积停止材料，形成刻蚀停止层；刻蚀覆盖基底上部分正面凹坑的正对背面，直至露出刻蚀停止层，在覆盖基底的背面形成背面凹坑...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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