可挠性电子元件及其制造方法技术

一种可挠性电子元件及其制造方法，制造方法包括下列步骤：藉由弱力介面层将可挠性基板贴于硬质基板。于可挠性基板上形成多个阵列排列的电子元件。将硬质基板分离为多个子基板，其中各子基板上分别具有一个电子元件。沿着电子元件的功能部的至少部分边缘对电子元件进行非接触性切割，以于电子元件的功能部与电子元件的拟部之间形成第一切割道。沿着第一切割道对可挠性基板与弱力介面层进行接触性切割，以于可挠性基板与弱力介面层中形成第二切割道，其中第二切割道使子基板的部分区域暴露。将功能部与位于功能部下方的可挠性基板从子基板取下。本发明专利技术提高了可挠性电子元件的制造良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电子元件及其制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
由于可挠性电子元件具有轻薄、可挠曲、耐冲击、安全性高以及方便携带等特性， 因此可挠性电子元件势必会成为下一世代的主流。一般而言，制作可挠性电子元件的方式可大致上分为两种，其中一种方式是直接制作电子元件于可挠性基板上，另一种方式为间接转贴电子元件于可挠性基板上。若采用直接制作电子元件于可挠性基板上的方式来制作可挠性电子元件，则需先藉由粘着层将可挠性基板贴附于硬质基板上，之后再于可挠性基板上制作所需的电子元件。最后，再将可挠性基板及可挠性基板上的电子元件从硬质基板上取下。然而，由于可挠性基板是透过粘着层而紧密地贴附在硬质基板上，因此在将可挠性基板自硬质基板上取下的过程中，可挠性基板上的电子元件会有受损的可能性，进而使可挠性电子元件的制造良品率下降。对于此领域具有通常知识者而言，如何改善可挠性基板的取下过程所导致的良品率下降问题，实为亟待解决的课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种可挠性电子元件的制造方法，以提高可挠性电子元件的制造良品率。本专利技术提供一种可挠性电子元件，其具有高制造良品率。本专利技术提供一种可挠性电子元件的制造方法，其包括下列步骤。藉由弱力介面层将可挠性基板结合于硬质基板上。于可挠性基板上形成多个阵列排列的电子元件，各电子元件分别具有功能部(active portion)以及环绕功能部的拟部(dummy portion)。切割可挠性基板与硬质基板，以将硬质基板分离为多个子基板，其中各子基板上分别具有一个电子元件。沿着各功能部的至少部分边缘对电子元件进行非接触性切割，以于各功能部与对应的拟部之间形成第一切割道。沿着各第一切割道对可挠性基板与弱力介面层进行接触性切割，以于可挠性基板与弱力介面层中形成第二切割道，其中第二切割道使各子基板的部分区域暴露。将各功能部与位于各功能部下方的可挠性基板从各子基板取下。在本专利技术的一实施例中，前述的弱力介面层的材质包括五环芳香烃(perylene)、 多环芳香烃(poly aromatic hydrocarbon)或氢化氮化硅(SiNx H)，而前述的可挠性基板之材质包括聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene ter印hthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚砜、聚苯醚砜(Polyethersulfone, PES)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚亚酰胺(polyimide, PI)、环状烯腈聚合物(Cyclic Olefin Polymer, ART0N)或聚芳酯树脂(polyarylate resin，PAR)，而前述的硬质基板的材质包括玻璃、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或不锈钢板(rustless steel sheet)，且前述的电子元件包括可挠性显示面板、可挠性发光元件、可挠式吸光元件、可挠式感应侦测器、可挠式电晶体、可挠式二极体、可挠式积体电路或可挠式印刷电路板。在本专利技术的一实施例中，前述的切割可挠性基板与硬质基板以分离出多片子基板的步骤中，切割可挠性基板与硬质基板的方法包括机械切割。在本专利技术的一实施例中，前述的非接触性切割包括激光切割、电弧切割或等离子切割，其中接触性切割包括固定式刀具切割、转动式刀轮切割或固定式刀模切割。在本专利技术的一实施例中，前述的可挠性电子元件的制造方法可进一步包括在切割可挠性基板与硬质基板之前，沿着各功能部的部分边缘对电子元件、可挠性基板与弱力介面层进行激光预切割，以于各功能部与对应的拟部之间形成预切割道，其中预切割道与第一切割道使各功能部与对应的拟部分离。在本专利技术的一实施例中，前述的可挠性电子元件的制造方法可进一步包括在切割可挠性基板与硬质基板之后，沿着各功能部的部分边缘对电子元件、可挠性基板与弱力介面层进行激光预切割，以于各功能部与对应的拟部之间形成预切割道，其中预切割道与第一切割道使各功能部与对应之拟部分离。在本专利技术的一实施例中，前述的可挠性电子元件的制造方法可进一步包括在将各功能部与位于各功能部下方的可挠性基板从各子基板取下之前，将各拟部与位于各拟部下方的可挠性基板从各子基板取下。本专利技术提供一种可挠性电子元件，其包括可挠性基板以及电子元件。电子元件配置于可挠性基板上，其中电子元件具有倾斜的侧壁(tapered sidewall)。在本专利技术的一实施例中，前述的电子元件具有与可挠性基板接合的底表面与底表面相对的顶表面，且顶表面的面积小于底表面的面积。在本专利技术的一实施例中，前述的倾斜的侧壁包括多个倾斜程度不同的子侧壁。基于上述，本专利技术的可挠性电子元件的制造方法藉由在将可挠性基板及可挠性基板上的电子元件自硬质基板取下前先进行一取下前预处理，而使可挠性基板及可挠性基板上的电子元件可轻易地从硬质基板取下。并且，于此过程中，可挠性基板上的电子元件不易发生受损或电子元件中的膜层分离或翘曲的问题，从而提高了可挠性电子元件的制造良品率。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。 附图说明图IA至图IH为本专利技术一实施例的可挠性电子元件的制造流程剖面示意图；图2A至图2F为本专利技术一实施例的可挠性电子元件的制造流程上视示意图；图3为本专利技术一实施例的可挠性电子元件剖面示意图。其中，附图标记100:可挠性电子元件110:硬质基板110’ 子基板110’ a 子基板的部分区域120 弱力介面层130 可挠性基板140 电子元件140a、140a，侧壁140b、140c:表面142 功能部142a、142b:边缘144 拟部H、H1、H2:切割道具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本专利技术的目的、方案及功效，但并非作为本专利技术所附权利要求保护范围的限制。图IA至图IH为本专利技术一实施例的可挠性电子元件的制造流程剖面示意图，而图 2A至图2F为本专利技术一实施例的可挠性电子元件的制造流程上视示意图。详言之，图IA至图ID以及图IE至图IF分别依据图2A至图2D的剖线AA’以及图2E至图2F的剖线BB， 所绘示。以下将搭配图IA至图IH以及图2A至图2F，针对可挠性电子元件的制造方法进行详细的描述。请参照图IA及图2A，首先，藉由弱力介面层120将可挠性基板130贴附于硬质基板110上。在本实施例中，弱力介面层120的材质包括五环芳香烃(perylene)、多环芳香烃(poly aromatic hydrocarbon)或氢化氮化硅(SiNxiH) 本实施例的可挠性基板130 的材质包括聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene ter印hthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚砜、聚苯醚砜(Polyethersulfone, PES)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚亚酰胺(polyimide, PI)、环状烯腈聚合物(Cyclic Olefin Polymer,ART0N)或聚芳酯树脂(polyarylate resin，PAR)。本实施例的硬质基板的材质包括有机材料或无机材料，例如玻璃、聚碳酸酯(p本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，包括：藉由一弱力介面层将一可挠性基板结合于一硬质基板上；于该可挠性基板上形成多个阵列排列的电子元件，各该电子元件分别具有一功能部以及一环绕该功能部的拟部；切割该可挠性基板与该硬质基板，以将该硬质基板分离为多个子基板，其中各该子基板上分别具有一个电子元件；沿着各该功能部的至少部分边缘对该电子元件进行一非接触性切割，以于各该功能部与对应的该拟部之间形成一第一切割道；沿着各该第一切割道对该可挠性基板与该弱力介面层进行一接触性切割，以于该可挠性基板与该弱力介面层中形成一第二切割道，其中该第二切割道使各该子基板的部分区域暴露；以及将各该功能部与位于各该功能部下方的可挠性基板从各该子基板取下。

【技术特征摘要】
2011.04.06 TW 1001118391.一种可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，包括藉由一弱力介面层将一可挠性基板结合于一硬质基板上；于该可挠性基板上形成多个阵列排列的电子元件，各该电子元件分别具有一功能部以及一环绕该功能部的拟部；切割该可挠性基板与该硬质基板，以将该硬质基板分离为多个子基板，其中各该子基板上分别具有一个电子元件；沿着各该功能部的至少部分边缘对该电子元件进行一非接触性切割，以于各该功能部与对应的该拟部之间形成一第一切割道；沿着各该第一切割道对该可挠性基板与该弱力介面层进行一接触性切割，以于该可挠性基板与该弱力介面层中形成一第二切割道，其中该第二切割道使各该子基板的部分区域暴露；以及将各该功能部与位于各该功能部下方的可挠性基板从各该子基板取下。2.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，该弱力介面层的材质包括五环芳香烃、多环芳香烃或氢化氮化硅，该可挠性基板的材质包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚亚酰胺、环状烯腈聚合物或聚芳酯树脂，而该硬质基板的材质包括玻璃、聚碳酸酯或不锈钢板，且该些电子元件包括可挠性显示面板、可挠性发光元件、可挠式吸光元件、可挠式感应侦测器、可挠式电晶体、可挠式二极体、可挠式积体电路或可挠式印刷电路板。3.如权利要求1所述的可挠性电子元件的制造方法，其特征在于，于切割该可挠性基板与该硬质基板的步骤中，切割该可挠性基板与该硬质基板的方法包括机械切割。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张展玮，方玮嘉，胡至仁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71