表面处理方法以及表面处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及表面处理方法以及表面处理装置。所述表面处理方法可提高基板等的表面的平坦性。一种表面处理方法，其特征在于，包括以下工序：第一处理工序，产生不包含氮的原料的气体团簇离子束，并将其照射到被处理部件；以及第二处理工序，产生氮的气体团簇离子束，并将其照射到所述被处理部件。通过上述表面处理方法，可解决上述问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面处理方法以及表面处理装置。
技术介绍
多个原子等凝聚在一起而产生的气体团簇表现出特殊的物理化学性能，正在被研究利用于广大的领域。即，由气体团簇形成的团簇离子束适于在以往困难的从固体表面至数纳米的深度的区域进行离子注入、表面加工、薄膜形成的过程。在这样的气体团簇产生装置中，能够接受加压气体的供应，从而产生原子数为数 100 数1000的气体团簇。由于这样产生的气体团簇在基板等的表面的平坦化方面可发挥显著的效果，因此进行了各种研究。现有技术文献专利文献1 日本专利文献特开2008-227^3号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，微细化以及高精细化的要求存在更进一步提高的倾向，随之基板等的表面也被要求更进一步地平坦化。例如，当使用氧或六氟化硫(SF6)的气体团簇来进行了基板等的表面的平坦化时，通过氧等的气体团簇得到的平坦性存在界限，因此难以得到期望的平坦性。另外，当基板等由硬(硬度高的)的材料形成时，通过CMP(ChemiCal MechanicalPolishing化学机械抛光)而被平坦化的基板的表面被形成研磨瑕疵，但是要去除这样的研磨瑕疵并进一步平坦化本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种表面处理方法，其特征在于，包括以下工序：第一处理工序，产生不包含氮的原料的气体团簇离子束，并将其照射到被处理部件；以及第二处理工序，产生氮的气体团簇离子束，并将其照射到所述被处理部件。

【技术特征摘要】
2010.05.26 JP 2010-1209201.一种表面处理方法，其特征在于，包括以下工序第一处理工序，产生不包含氮的原料的气体团簇离子束，并将其照射到被处理部件；以及第二处理工序，产生氮的气体团簇离子束，并将其照射到所述被处理部件。2.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于， 所述被处理部件通过CMP进行了平坦化处理。3.如权利要求1或2所述的表面处理方法，其特征在于，不包含所述氮的原料包含氩、氧、二氧化碳、水、六氟化硫、三氟化氮、氙中的一种或两种以上的材料。4.如权利要求1至3中任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述第二处理工序中的气体团簇不包含所述第一处理工序中的原料的气体团簇。5.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述被处理部件包含碳化硅、硅、石英、玻璃、氧化铝、蓝宝石、氮化镓、砷化镓、类钻碳、 碳化硼、多晶金刚石中的一种或两种以上的材料。6.如权利要求1至5中任一项所述的表面处理方法，其特征在于，包括第三处理工序，所述第三处理工序在所述第二处理工序之后以比所述第二处理工序中的加速电压低的加速电压对所述氮的气体团簇进行加速，并将其照射到所述被处理部件。7.如权利要求1至5中任一项所述的表面处理方法，其特征在于，包括第三处理工序，所述第三处理工序在所述第二处理工序之后将比所述第二处理工序中的气体团簇大的气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰田纪章，山田公，成岛正树，原岛正幸，森崎英介，
申请(专利权)人：兵库县，东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP