稳压电路制造技术

本发明专利技术公开一种稳压电路，包含一第一放大器、一第二放大器、一电流控制电路、一第一P型金属氧化物半导体晶体管、一第二P型金属氧化物半导体晶体管及一反馈电路。该电流控制电路包含一控制器及至少一开关，且该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第二端耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的第二端。该稳压电路在一轻载模式时，利用该控制器关闭该至少一开关。该稳压电路于该轻载模式进入一重载模式时，利用该控制器依序开启该至少一开关。因此，该稳压电路可迅速回复在该重载模式下的负载电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种稳压电路，尤指一种由轻载模式回到重载模式时，可迅速回复输出电压以及负载电流的稳压电路。
技术介绍
请参照图IA和图1B，图IA为现有技术说明稳压电路100的示意图，图IB说明稳压电路100在重载模式和轻载模式下，负载电流I load、第一驱动电流Il及稳压电路100的输出电压Vout的示意图。如图IA所示，当稳压电路100进入轻载模式(省电模式)时，一第一放大器102和一第一 P型金属氧化物半导体晶体管104关闭，导致流经第一 P型金属氧化物半导体晶体管104的第一驱动电流Il降至零。此时，一第二放大器106和一第二 P 型金属氧化物半导体晶体管108仍然维持开启状态，所以仍有第二 P型金属氧化物半导体晶体管108的第二驱动电流12供给负载110和反馈电路112。如图IB所示，当稳压电路 100进入轻载模式时，负载电流Iload下降和第一驱动电流Il降至零，然而稳压电路100的输出电压Vout因为第二放大器106和第二 P型金属氧化物半导体晶体管108仍然维持开启状态而保持不变。当稳压电路100由轻载模式进入一重载模式时，第一放大器102和第一 P型金属氧化物半导体晶体管104重新开启。如图IB所示，负载电流I load迅速上升，但第一驱动电流Il因为第一 P型金属氧化物半导体晶体管104的栅源极跨压上升较慢而缓慢上升。此时，因为Iload迅速上升，且第一驱动电流Il上升缓慢，使得稳压电路100的输出电压Vout 降低直到第一驱动电流Il稳定为止。因此，现有技术中的稳压电路100在由轻载模式进入重载模式时，暂时无法提供给负载110稳定的电压。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种稳压电路。该稳压电路包含一第一放大器、一第二放大器、一电流控制电路、一第一 P型金属氧化物半导体晶体管、一第二 P型金属氧化物半导体晶体管及一反馈电路。该第一放大器具有一第一输入端，用以接收一参考电压，一第二输入端，及一输出端；该第二放大器具有一第一输入端，用以接收该参考电压，一第二输入端， 及一输出端，耦接于该第一放大器的输出端；该电流控制电路具有一第一端，用以接收一第一电压，及一第二端；该第一 P型金属氧化物半导体晶体管具有一第一端，耦接于该电流控制电路的第二端，一第二端，耦接于该第一放大器的输出端，及一第三端，耦接于该稳压电路的输出端；该第二 P型金属氧化物半导体晶体管具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第二放大器的输出端，及一第三端，耦接于该稳压电路的输出端；及该反馈电路，具有一第一端，耦接于该稳压电路的输出端，及一第二端，耦接于该第一放大器的第二输入端及该第二放大器的第二输入端。本专利技术所提供的一种稳压电路。该稳压电路将该稳压电路内的一第一 P型金属氧化物半导体晶体管的第二端通过一传输单元耦接于一第二 P型金属氧化物半导体晶体管的第二端，以维持该第一P型金属氧化物半导体晶体管的第一端与第二端的电位差。另外， 该稳压电路利用一电流控制电路控制流经该第一P型金属氧化物半导体晶体管的电流。如此，在由轻载模式进入重载模式时，该稳压电路的输出电压才不会因为负载电流迅速上升而大幅下降。附图说明图IA为现有技术说明稳压电路的示意图；图IB说明稳压电路在重载模式和轻载模式下，负载电流、第一驱动电流及稳压电路的输出电压的示意图；图2A为本专利技术的一实施例说明稳压电路的示意图；图2B为本专利技术的另一实施例说明稳压电路的示意图；图3说明稳压电路在重载模式和轻载模式下，负载电流、第一驱动电流及稳压电路的输出电压的示意图；图4为本专利技术的另一实施例说明稳压电路的示意图；图5说明稳压电路在重载模式和轻载模式下，负载电流、第一驱动电流及稳压电路的输出电压的示意图；图6为本专利技术的另一实施例说明稳压电路的示意图；图7为本专利技术的另一实施例说明稳压电路的示意图。其中，附图标记100、200、300、400、600、700 稳压电路102、202第一放大器106、204第二放大器206、406电流控制电路104、208、4082、4084、4086第一 P型金属氧化物半导体晶体管108,210第二 P型金属氧化物半导体晶体管308、7082、7084、7086第一 N型金属氧化物半导体晶体管310,710第二 N型金属氧化物半导体晶体管112、212 反馈电路110、214负载207传输单元2062 控制器2064、4064、4066、4068 开关20622、40622模拟电路 Il第一驱动电流12第二驱动电流Iload负载电流Vl第一电压V2第二电压Vref参考电压Vout输出电压具体实施例方式请参照图2A，图2A为本专利技术的一实施例说明稳压电路200的示意图。稳压电路 200包含一第一放大器202、一第二放大器204、一电流控制电路206、一第一 P型金属氧化物半导体晶体管208、一传输单元207 (传输单元非专利技术重点，因此仅以功能方块表示)、一第二 P型金属氧化物半导体晶体管210及一反馈电路212。第一放大器202具有一第一输入端，用以接收一参考电压Vref，一第二输入端，及一输出端。第二放大器204具有一第一输入端，用以接收参考电压Vref，一第二输入端，及一输出端，耦接于第一放大器202的输出端；电流控制电路206具有一第一端，用以接收一第一电压Vl (例如2. 5V)，及一第二端， 但本专利技术并不受限于第一电压Vl为2. 5V。第一 P型金属氧化物半导体晶体管208具有一第一端，耦接于电流控制电路206的第二端，一第二端，耦接于第一放大器202的输出端，及一第三端，耦接于稳压电路200的输出端。第二 P型金属氧化物半导体晶体管210具有一第一端，用以接收第一电压VI，一第二端，耦接于第二放大器204的输出端，及一第三端，耦接于稳压电路200的输出端。反馈电路212具有一第一端，耦接于稳压电路200的输出端， 及一第二端，耦接于第一放大器202的第二输入端及第二放大器204的第二输入端。另外， 电流控制电路206包含一控制器2062和一开关2064。控制器2062具有一输出端和一模拟电路20622 ；开关2064具有一第一端，耦接于电流控制电路206的第一端，用以接收第一电压VI，一第二端，耦接于控制器2062的输出端，及一第三端，耦接于电流控制电路206的第二端。另外，稳压电路200通过第一放大器202、第二放大器204和反馈电路212，将输出电压Vout固定在一预定电压，例如1. 6V，但本专利技术并不受限于输出电压Vout固定在1. 6V。另外，请参照图2B，图2B为本专利技术的另一实施例说明稳压电路300的示意图。稳压电路300 和稳压电路200的差异在于稳压电路300利用一第一 N型金属氧化物半导体晶体管308及一第二 N型金属氧化物半导体晶体管310，分别取代第一 P型金属氧化物半导体晶体管208 及第二P型金属氧化物半导体晶体管210。另外，稳压电路300的其余操作原理皆和稳压电路200相同，在此不再赘述。请参照图3，图3说明稳压电路200在重载模式和轻载模式下，负载电流Iload、第一驱动电流Il及稳压电路200的输出电压Vout的示意图。当稳压电路200进入轻载模式(省电模式)时，关闭第一放大器202本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种稳压电路，其特征在于，包含：一第一放大器，具有一第一输入端，用以接收一参考电压，一第二输入端，及一输出端；一第二放大器，具有一第一输入端，用以接收该参考电压，一第二输入端，及一输出端，耦接于该第一放大器的输出端；一电流控制电路，具有一第一端，用以接收一第一电压，及一第二端；一第一Ｐ型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该电流控制电路的第二端，一第二端，耦接于该第一放大器的输出端，及一第三端，耦接于该稳压电路的输出端；一第二Ｐ型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第二放大器的输出端，及一第三端，耦接于该稳压电路的输出端；及一反馈电路，具有一第一端，耦接于该稳压电路的输出端，及一第二端，耦接于该第一放大器的第二输入端及该第二放大器的第二输入端。

【技术特征摘要】
2011.03.08 TW 1001076781.一种稳压电路，其特征在于，包含一第一放大器，具有一第一输入端，用以接收一参考电压，一第二输入端，及一输出端；一第二放大器，具有一第一输入端，用以接收该参考电压，一第二输入端，及一输出端， 耦接于该第一放大器的输出端；一电流控制电路，具有一第一端，用以接收一第一电压，及一第二端； 一第一 P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，耦接于该电流控制电路的第二端，一第二端，耦接于该第一放大器的输出端，及一第三端，耦接于该稳压电路的输出端；一第二 P型金属氧化物半导体晶体管，具有一第一端，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第二放大器的输出端，及一第三端，耦接于该稳压电路的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖祐生，张峰嘉，柯昱州，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71