一种塑封功率二极管及其制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种塑封功率二极管及其制造工艺，涉及半导体分立器件技术领域。其制造工艺不采用现有技术中用异丙醇、无水乙醇等有机溶剂的清洗和脱水工艺，省掉有机溶剂清洗后的水洗及再脱水工艺；采用将连接导线的芯片放入加热的烘箱中烘焙4-10小时，烘箱温度200-250℃，烘箱中通氢氮混合气体或者洁净的空气；将涂覆液体环氧树脂或液体硅橡胶的芯片放入150±10℃烘箱中胶固化10-60分钟。本发明专利技术与现有技术相比产品具有优良的高温特性、一致性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体分立器件
，尤其是涉及塑封功率二极管

技术介绍
目前，广泛应用于电视、电脑、节能灯、电子仪器仪表电路中的塑封功率二极管，其封装形式可分为环氧树脂塑料封装、玻璃封装、金属封装、陶瓷封装等。环氧树脂塑料封装的功率二极管易于大规模生产，成本低廉，是当今封装二极管的主流。功率二极管的芯片有多种制造工艺方法，一类是平面工艺制作的芯片，PN结不裸露在芯片外面，经连接外部导线封装成二极管；另一类是台面制作的二极管，即二极管的芯片采用台面型，PN结有一部分裸露在芯片台面表面，需要经过酸腐蚀或碱腐蚀、水洗、保护台面等处理，以达到二极管的反向电压的设计值和减少反向漏电流的目的。耐高温反向电压的功率二极管大都采用台面型工艺方法制造。塑封功率二极管的制造方法有多种，主要采用玻璃钝化(GPP)芯片和经酸腐蚀或碱腐蚀芯片。前者(GPP)芯片焊接导线后可进行塑封，而后者是将芯片焊接导线后，再经过酸腐蚀及高纯水的清洗，硅橡胶的保护后，才能注塑封装。现有技术工艺制造的塑封功率二极管中，硅芯片的台面经过酸腐蚀及高纯水、有机化学试剂的清洗脱水等步骤，需要大量的化学试剂，且有些微量有本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种塑封功率二极管，其特征在于：其由以下工艺步骤制的：①工艺焊接：将硅芯片、焊片和无氧铜导线组装到焊接舟中，经焊接炉连接二极管的正负极；②酸腐蚀：将连接好导线的硅芯片插入酸洗盘中，在含有硝酸、氢氟酸、冰醋酸、硫酸的混合酸作用下，腐蚀掉芯片的划片刀痕、氧化层，使芯片台面表面光滑洁净，裸露在芯片台面表面的ＰＮ结得到清洁处理，腐蚀液成分（体积比）：ＨＮＯ３：ＨＦ：ＣＨ３ＣＯＯＨ：Ｈ２ＳＯ４＝９：９：１２：４；③钝化：经含磷酸、双氧水、纯水的混合液，钝化液的成分（体积比）：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：纯水＝１：１：３，使芯片台面表面形成一层微薄的磷硅玻璃层或ＳｉＯ２层，以减少有害杂质的污染，保护裸露在芯...

【技术特征摘要】
1.一种塑封功率二极管，其特征在于其由以下工艺步骤制的①工艺焊接将硅芯片、焊片和无氧铜导线组装到焊接舟中，经焊接炉连接二极管的正负极；②酸腐蚀将连接好导线的硅芯片插入酸洗盘中，在含有硝酸、氢氟酸、冰醋酸、硫酸的混合酸作用下，腐蚀掉芯片的划片刀痕、氧化层，使芯片台面表面光滑洁净，裸露在芯片台面表面的PN结得到清洁处理，腐蚀液成分(体积比)=HNO3HFCH3COOHH2S04=9:9:12:4 ；③钝化经含磷酸、双氧水、纯水的混合液，钝化液的成分(体积比)=H2O2= H3PO4:纯水 =1:1:3,使芯片台面表面形成一层微薄的磷硅玻璃层或S^2层，以减少有害杂质的污染，保护裸露在芯片台面表面的PN结；④络合经含双氧水、氨水、纯水的混合液，络合液的成分(体积比)=H2O2:NH3H2O:纯水 =1:10:40，使硅芯片台面吸附的铜等有害金属杂质形成可溶入水的络合物，使硅芯片表面上的金属杂质得到解吸；⑤超声纯水清洗在超声的纯水中，用纯水冲洗硅芯片台面，将金属杂质去除；⑥梳料将耐酸塑料盘中的半成品放到耐高温的铝制品的工装上，以便后工序的高温处理；⑦干洗将连接导线的芯片放入加热的烘箱中烘焙4-10小时，烘箱温度200-250°C，烘箱中通氢氮混合气体或者洁净的空气；⑧涂覆液体环氧树脂或液体硅橡胶；⑨胶固化放入150士10°C烘箱中固化10-60分钟；⑩注塑封装上注塑机注塑，形成二极管的非空腔塑封体外形，即获得塑封功率二极管成品。2.根据权利要求1所述的一种塑封功率二极管，其特征在于所述工艺⑦干洗中烘焙时间优选6-8小时，最优选7小时；烘箱温度优选220-240°C，最优选230°C。3.根据权利要求1或2所述的一种塑封功率二极管，其特征在于所述工艺⑨胶固化中放入烘箱中固化，烘箱温度优选150士5°C，最优选150°C ；固化时间优选20-50分钟，最优选30分钟。4.一种塑封功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：张录周，赵为涛，武海清，于秀娟，
申请(专利权)人：山东沂光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：37