带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件及其生产方法技术

本发明专利技术涉及电子信息自动化元器件制造技术领域，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，本发明专利技术还包括该封装件的生产方法。其工艺步骤如下：a.减薄；b.划片；c.上芯；d.压焊；e.塑封；f.电镀和打印；g.切割。本发明专利技术的特点是载体缩小，内引脚向内延伸载体，并且延伸部分的底部外露形成一个小凸点，引脚底部的凹坑较大，而柱形外露部分同普通引脚框架。这样，载体缩小，提高了芯片和载体的匹配性，同时提高了产品封装质量和可靠性。内引脚延伸并露出凸点，缩小了IC芯片上的焊盘与内引脚间的距离，并且可以将焊线打在外露凸点上面的引脚上，此时引脚不悬空，减少了引线长度，不仅可以节约焊线成本，而且还可提高频率特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子信息自动化元器件制造
，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，本专利技术还包括该封装件的生产方法。
技术介绍
近年来，移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器市场火爆，直接推动了小型封装和高密度组装技术的发展。同时，也对小型封装技术提出了一系列严格要求，诸如，要求封装外形尺寸尽量缩小，尤其是封装高度小于1 mm ；封装后的产品可靠性尽可能提高，为了保护环境适应无铅化焊接，并力求降低成本等。QFN(Quad Flat Non-Leaded Package方形扁平无引脚封装)由于具有良好的电和热性能、体积小、重量轻、其应用正在快速增长。但是目前如QFN (0505X0. 75-0. 50) QFN (0909X0. 75-0. 50)载体较大，通常内引脚长度固定，靠近载体的内引脚底面已被蚀刻成凹坑，而当IC芯片较小时，从芯片焊盘到引脚部分的距离较大，由于靠近载体的引脚底面悬空，打线时会晃动，焊球打不牢，只能在靠近外露引脚部分打线，致使焊线长度长，造成焊线成本较高，制约了产品的利润空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题就是针对上述QFN缺点，提供一种缩小了载体尺寸， 所有的内引脚向内延伸靠近载体，从芯片上的焊盘(PAD)到内引脚的距离缩短，从而缩短从芯片焊盘到内引脚的焊线长度，降低焊线成本，适合于小芯片的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，本专利技术还提供该封装件的生产方法。本专利技术的技术问题通过下述技术方案解决一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线、及塑封体，所述的内引脚向内延伸靠近所述的载体，载体缩小，所述内引脚底部的凹坑长度加长，每只内引脚在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点，每只内引脚的外侧形成一外露的柱形外引脚，所述外露凸点上面的内引脚呈柱形内引脚，柱形内引脚上打接第一键合线和第三键合线，第一键合线另一端与第一 IC芯片焊接，所述第三键合线另一端与所述第二 IC芯片焊接，所述的第二 IC芯片粘接在第一 IC芯片上端。所述第一 IC芯片与第二 IC芯片之间连接有第二键合线。所述的内引脚向内延伸0. 2mm 0. 8mm。所述的载体缩小0. 4mm 1. 6mm。所述凹坑长度加长0. 2mm 0. 5mm,凹坑的内侧是所述的外露凸点，凹坑的外侧是所述的外露的柱形外引脚。所述的带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下a.减薄8 12晶圆厚度减薄机，下层芯片减薄厚度200 μ m，粗糙度Ra 0. 10mm，同常规QFN减薄；上层芯片减薄厚度100 μ m，粗糙度Ra 0. 05mm，采用防翘曲、抛光工艺； b.划片8 12划片机，下层芯片减薄厚度200 μ m,采用普通QFN划片工艺， 上层芯片减薄厚度ΙΟΟμπι，采用防碎片划片工艺； c.上芯粘片材料底层粘片采用膨胀系数80 195ΡΡΜ/ 、低吸水率< 0. 15%的导电胶或绝缘胶，上层芯片采用绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架，分别采用防分层烘烤工艺；d.压焊焊线材料选用金线，压焊采用低弧度压焊工艺，高低弧正反打线方式，焊线温度 150°C 210°C;先在金线键合机上给第二 IC芯片和第一 IC芯片间焊线的焊盘上各植1个金球，然后给第二 IC芯片和第一 IC芯片已植金球间打第二键合线，最后给第一 IC芯片、第二 IC芯片和对应的内引脚间打第一键合线和第三键合线；e.塑封采用通用QFN自动包封系统，选用低应力、低吸水率的塑封料，模温165°C 180°C， 注塑压力3O :35Kgf/C m2 ；f.电镀和打印同普通QFN工艺；g.切割将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路，经检查后，放入料盘。所述步骤c上芯的粘片材料底层粘片采用膨胀系数80 195ΡΡΜ/ 、低吸水率 <0. 15%的导电胶或绝缘胶，上层芯片采用胶膜片，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架，分别使用粘片胶和胶膜片烘烤工艺。本专利技术的特点是载体缩小，内引脚向内延伸载体，并且延伸部分的底部外露形成一个小凸点，引脚底部的凹坑较大，而柱形外露部分同普通引脚框架。这样，载体缩小，提高了芯片和载体的匹配性，同时提高了产品封装质量和可靠性。内引脚延伸并露出凸点，缩小了 IC芯片上的焊盘与内引脚间的距离，并且可以将焊线打在外露凸点上面的引脚上，此时引脚不悬空，减少了引线长度，不仅可以节约焊线成本，而且还可提高频率特性。附图说明图1为本专利技术压焊平面示意图。图2为本专利技术芯片堆叠封装剖面示意图。图3为本专利技术外露凸点底面示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术进行详细说明本专利技术包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线、及塑封体，内引脚4向内延伸靠近载体1，载体1缩小，内引脚底部的凹坑16长度加长，每只内引脚4在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点15，外露凸点15上面的内引脚呈柱形引脚，柱形引脚的底面有一凹坑16，凹坑16的外侧是外露的柱形引脚10。柱形内引脚4上打接第一键合线5和第三键合线12，，第一键合线5另一端与第一 IC芯片3焊接，第三键合线12另一端与第二 IC芯片8焊接。第一 IC芯片3上端通过绝缘胶7粘接第二 IC芯片8。第二 IC芯片8与第一 IC芯片3之间连接有第二键合线9。塑封体6包围了引线框架载体1，粘片胶(绝缘胶或导电胶)2，第一 IC芯片3，内引脚4，第一键合线5，绝缘胶7，第二 IC芯片8，第二键合线9， 第三键合线12，凸点15，凹坑16构成了电路整体，并对其起到了保护作用。本专利技术的内引脚1向内延伸0. 2mm 0. 8mm ；载体1缩小0. 4mm 1. 6mm ；内引脚底部的凹坑16长度加长 0. 2mm 0. 5mm。 本专利技术的生产方法如下a.减薄8 12晶圆厚度减薄机，下层芯片减薄厚度200 μ m，粗糙度Ra 0. 10mm,同常规QFN 减薄；上层芯片减薄厚度100 μ m，粗糙度Ra 0. 05mm，采用防翘曲、抛光工艺；b.划片8 12划片机，下层芯片减薄厚度200 μ m,采用普通QFN划片工艺， 上层芯片减薄厚度ΙΟΟμπι，采用防碎片划片工艺； c.上芯粘片材料底层粘片采用膨胀系数80 195ΡΡΜ/ 、低吸水率< 0. 15%的导电胶或绝缘胶，上层芯片采用绝缘胶或胶膜片，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架，分别采用防分层烘烤工艺，烘烤温度175°C 1 3小时；底层芯片烘烤温度175°C 1小时，上层烘烤1500C 2. 5小时；d.压焊焊线材料选用金线，压焊采用低弧度压焊工艺，高低弧正反打线方式，焊线温度 150°C 210°C ；先在金线键合机上给第二 IC芯片8和第一 IC芯片3间焊线的焊盘上各植 1个金球，然后给第二 IC芯片8和第一 IC芯片3已植金球间打第二键合线9，最后给第一 IC芯片3、第二 IC芯片8和对应的内引脚间打第一键合线5和第三键合线12 ；e.塑封采用通用QFN自动包封系统，选用低应力、低吸水率的塑封料，模温165°C 180°C， 注塑压力3O 邪Kgf/C m2 ；f.电镀和打印同普通QFN工艺；g.切割将矩阵式框架封装产品本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种带双凸点的四边扁平无引脚双ＩＣ芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、ＩＣ芯片、内引脚、键合线、及塑封体，其特征在于所述的内引脚（４）向内延伸靠近所述的载体（１），载体（１）缩小，载体（１）上粘接有第一ＩＣ芯片（３），第一ＩＣ芯片（３）上端粘接第二ＩＣ芯片（８），所述内引脚底部的凹坑（１６）长度加长，每只内引脚（４）在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点（１５），每只内引脚（４）的外侧形成一外露的柱形外引脚（１０），所述外露凸点（１５）上面的内引脚呈柱形内引脚（４），柱形内引脚（４）上打接第一键合线（５）和第三键合线（１２），第一键合线（５）另一端与第一ＩＣ芯片（３）焊接，所述第三键合线（１２）另一端与所述第二ＩＣ芯片（８）焊接。

【技术特征摘要】
1.一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC 芯片、内引脚、键合线、及塑封体，其特征在于所述的内引脚(4)向内延伸靠近所述的载体 (1)，载体(1)缩小，载体(1)上粘接有第一 IC芯片(3)，第一 IC芯片(3)上端粘接第二 IC 芯片(8)，所述内引脚底部的凹坑(16)长度加长，每只内引脚(4)在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点(15)，每只内引脚(4)的外侧形成一外露的柱形外引脚(10)，所述外露凸点 (15)上面的内引脚呈柱形内引脚(4)，柱形内引脚(4)上打接第一键合线(5)和第三键合线 (12)，第一键合线(5)另一端与第一 IC芯片(3)焊接，所述第三键合线(12)另一端与所述第二 IC芯片(8)焊接。2.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，其特征在于所述第一 IC芯片(3)与第二 IC芯片(8)之间连接有第二键合线(9)。3.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，其特征在于所述的内引脚(4)向内延伸0. 2mm 0. 8mm。4.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述的载体(1)缩小0. 4mm 1. 6_。5.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述凹坑(16)长度加长0. 2mm 0. 5mm,凹坑(16)的内侧是所述的外露凸点(15)，凹坑(16)的外侧是所述的外露的柱形外引脚(10)。6.一种根据权利要求1所述的带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件的生...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭小伟，慕蔚，何文海，
申请(专利权)人：天水华天科技股份有限公司，华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：62