本发明专利技术涉及电子信息自动化元器件制造技术领域，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，本发明专利技术还包括该封装件的生产方法。其工艺步骤如下：a.减薄；b.划片；c.上芯；d.压焊；e.塑封；f.电镀和打印；g.切割。本发明专利技术的特点是载体缩小，内引脚向内延伸载体，并且延伸部分的底部外露形成一个小凸点，引脚底部的凹坑较大，而柱形外露部分同普通引脚框架。这样，载体缩小，提高了芯片和载体的匹配性，同时提高了产品封装质量和可靠性。内引脚延伸并露出凸点，缩小了IC芯片上的焊盘与内引脚间的距离，并且可以将焊线打在外露凸点上面的引脚上，此时引脚不悬空，减少了引线长度，不仅可以节约焊线成本，而且还可提高频率特性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子信息自动化元器件制造
，特别是一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，本专利技术还包括该封装件的生产方法。
技术介绍
近年来，移动通信和移动计算机领域的便捷式电子机器市场火爆，直接推动了小型封装和高密度组装技术的发展。同时，也对小型封装技术提出了一系列严格要求，诸如，要求封装外形尺寸尽量缩小，尤其是封装高度小于1 mm ；封装后的产品可靠性尽可能提高，为了保护环境适应无铅化焊接，并力求降低成本等。QFN(Quad Flat Non-Leaded Package方形扁平无引脚封装)由于具有良好的电和热性能、体积小、重量轻、其应用正在快速增长。但是目前如QFN (0505X0. 75-0. 50) QFN (0909X0. 75-0. 50)载体较大，通常内引脚长度固定，靠近载体的内引脚底面已被蚀刻成凹坑，而当IC芯片较小时，从芯片焊盘到引脚部分的距离较大，由于靠近载体的引脚底面悬空，打线时会晃动，焊球打不牢，只能在靠近外露引脚部分打线，致使焊线长度长，造成焊线成本较高，制约了产品的利润空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题就是针对上述QFN缺点，提供一种缩小了载体尺寸， 所有的内引脚向内延伸靠近载体，从芯片上的焊盘(PAD)到内引脚的距离缩短，从而缩短从芯片焊盘到内引脚的焊线长度，降低焊线成本，适合于小芯片的一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，本专利技术还提供该封装件的生产方法。本专利技术的技术问题通过下述技术方案解决一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线及塑封体，所述的内引脚向内延伸靠近所述的载体，载体缩小，载体上粘接有第一 IC芯片，第一 IC芯片上端粘接第二 IC芯片，第二 IC芯片上端粘接第三IC芯片； 所述内引脚底部凹坑长度加长，每只内引脚在靠近载体一侧底面形成一外露的凸点，凹坑外侧的底面是柱形外引脚，外露长度同普通QFN外引脚。所述外露凸点上面的内引脚上打接第一键合线、第三键合线及第五键合线，第一键合线另一端与第一 IC芯片焊接，第三键合线另一端与第二 IC芯片焊接，第五键合线另一端与所述第三IC芯片焊接。所述第一 IC芯片与第二 IC芯片之间连接有第二键合线；第二 IC芯片与第三IC 芯片之间连接有第四键合线。所述的内引脚向内延伸0. 2mm 0. 8mm。所述的载体缩小0. 4mm 1. 6mm。所述内引脚底部的凹坑长度加长0. 2mm 0. 5mm。上述带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下 a.减薄下层的第一 IC芯片减薄厚度150 μ m，粗糙度Ra 0. 08mm,粗磨与细磨相结合工艺；上层的第二 IC芯片和第三IC芯片减薄厚度50 μ m 75 μ m，粗糙度Ra 0. 05mm,粗磨、细磨， 抛光防翘曲工艺； b划片8 12划片机WD300TXB，下层第一 IC芯片采用普通QFN划片工艺，上层第二 IC 芯片和第三IC芯片(10)采用防碎片划片工艺； c上芯粘片材料底层粘片采用膨胀系数80 195PPM/°C、低吸水率< 0. 15%的导电胶或绝缘胶，二层和三层芯片采用绝缘胶，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架，粘好一层芯片后，在175°C下，使用粘片胶烘烤工艺烘烤1小时，然后分别粘完二层和三层芯片，再在175°C下，使用粘片胶烘烤工艺烘烤2小时； d.压焊焊线材料选用金线，压焊采用低弧度压焊工艺，高低弧正反打线方式，焊线温度 150°C 210°C;先在金线键合机上给第三IC芯片和第二 IC芯片、第二 IC芯片和第一 IC芯片间焊线的焊盘上各植个金球，然后给IC芯片和第二 IC芯片、IC芯片和第一 IC芯片已植金球间打第四键合线和第二键合线，最后给第三IC芯片、第二 IC芯片、第一 IC芯片和对应的脚间打第一键合线、键合线第三和第五键合线13 ； e.塑封采用通用QFN自动包封系统，模温165°C 180°C，注塑压力30 ;35Kgf/cm2 ；f.电镀和打印同普通QFN工艺；g.切割将矩阵式框架封装产品按产品设计规格切割成单个电路，经检查后，放入料盘。所述步骤c 二层和三层芯片采用胶膜片(DAF膜)上芯，引线框架选用带双凸点的四面扁平无引脚框架；先在粘片机上采用导电胶或绝缘胶粘完一层芯片，在175°C下采用防离层工艺烘烤1小时，然后采用胶膜片上芯，粘好二层和三层芯片，在150°C下采用防离层工艺烘烤2. 5小时。所述步骤d压焊采用铜线键合工艺 设备金丝球焊机和铜丝球焊机；工具与金线和铜线配套的劈刀线和铜线； 工艺d. 1先在金丝球焊机上，给上下层芯片打线的焊盘上各植1个金球； d.2在铜丝球焊机上，给上下芯片已植金球的焊盘上打第二键合线和第四键合线； d.3最后从第一 IC芯片与内引脚间焊线开始，逐一焊线，直到打完最上层第三IC芯片与内引脚间的连线。本专利技术的特点是载体缩小，内引脚向内延伸载体，并且延伸部分的底部外露形成一个小凸点，引脚底部的凹坑较大，而柱形外露部分同普通引脚框架。这样，载体缩小，提高了芯片和载体的匹配性，同时提高了产品封装质量和可靠性。内引脚延伸并露出凸点，缩小了 IC芯片上的焊盘与内引脚间的距离，并且可以将焊线打在外露凸点上面的引脚上，此时引脚不悬空，减少了引线长度，不仅可以节约焊线成本，而且还可提高频率特性。附图说明图1为本专利技术外露凸点的压焊平面示意图。图2为本专利技术结构示意图。图3为本专利技术外露凸点底面示意图。图中标号说明1 一载体，2—粘片胶，3—第一 IC芯片，4一内引脚，5—第一键合线，6—塑封料，7—绝缘胶，8—第二 IC芯片，9一第二键合线，10—第三IC芯片，12—第三键合线，13—第四键合线，14 一第五键合线，15—外露凸点，16—凹坑，17—外引脚。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术进行详细说明本专利技术包括引线框架载体、粘片胶、IC芯片、内引脚、键合线、及塑封体，内引脚4向内延伸靠近载体1，载体1缩小，内引脚底部凹坑16长度加长，每只内引脚4在靠近载体一侧形成一外露的凸点15，凹坑外侧的底面是柱形外引脚17，外露长度同普通QFN外引脚。外露凸点15上面的内引脚上打接第一键合线5，第一键合线5另一端与第一 IC芯片3焊接， 第一 IC芯片3上端通过绝缘胶7粘接第二 IC芯片8，第二 IC芯片8上端粘接第三IC芯片 10。第二 IC芯片8与第一 IC芯片3之间连接有第二键合线9 ；外露凸点15上面的内引脚上打接第三键合线12，第三键合线12另一端与第二 IC芯片8焊接。第二 IC芯片8与第三 IC芯片10之间连接有第四键合线14 ；外露凸点15上面的内引脚上打接第五键合线13，第五键合线13的另一端与第三IC芯片1焊接。塑封体6包围了引线框架载体1，粘片胶(绝缘胶或导电胶)2，第一 IC芯片3，内引脚4，第一键合线5，绝缘胶7，第二 IC芯片8，第二键合线9，第三键合线12，第三IC芯片10，第四键合线14，第五键合线13，凸点15，凹坑16和外引脚17的上表面构成电路整体，并对其起到了保护作用。实施例11.减薄下层芯片减薄厚度150 μ m，粗糙度Ra 0. IOmm ；上层芯片减薄厚度75 μ m本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种带双凸点的四边扁平无引脚三ＩＣ芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、ＩＣ芯片、内引脚、键合线及塑封体，其特征在于所述的内引脚（４）向内延伸靠近所述的载体（１），载体（１）缩小，载体（１）上粘接有第一ＩＣ芯片（３），第一ＩＣ芯片（３）上端粘接第二ＩＣ芯片（８），第二ＩＣ芯片（８）上端粘接第三ＩＣ芯片（１０）；所述内引脚（４）底部凹坑（１６）长度加长，每只内引脚（４）在靠近载体一侧底部形成一外露的 凸点（１５），凹坑（１６）的外侧底部是柱形外引脚（１７），所述外露凸点（１５）上面的内引脚（４）上打接第一键合线（５）、第三键合线（１２）及第五键合线（１３），第一键合线（５）另一端与第一ＩＣ芯片（３）焊接，第三键合线（１２）另一端与第二ＩＣ芯片（８）焊接，第五键合线（１３）另一端与所述第三ＩＣ芯片（１０）焊接。
【技术特征摘要】
1.一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，包括引线框架载体、粘片胶、IC 芯片、内引脚、键合线及塑封体，其特征在于所述的内引脚(4)向内延伸靠近所述的载体 (1)，载体(1)缩小，载体(1)上粘接有第一 IC芯片(3)，第一 IC芯片(3)上端粘接第二 IC芯片(8)，第二 IC芯片(8)上端粘接第三IC芯片(10);所述内引脚(4)底部凹坑(16)长度加长，每只内引脚(4)在靠近载体一侧底部形成一外露的凸点(15)，凹坑(16)的外侧底部是柱形外引脚(17)，所述外露凸点(15)上面的内引脚(4)上打接第一键合线(5)、第三键合线 (12)及第五键合线(13)，第一键合线(5)另一端与第一 IC芯片(3)焊接，第三键合线(12) 另一端与第二 IC芯片(8)焊接，第五键合线(13)另一端与所述第三IC芯片(10)焊接。2.根据权利要求1所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件，其特征在于所述第一 IC芯片(3)与第二 IC芯片(8)之间连接有第二键合线(9);第二 IC芯片(8) 与第三IC芯片(10)之间连接有第四键合线(14)。3.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚双IC芯片封装件，其特征在于所述的内引脚(4)向内延伸0. 2mm 0. 8mm。4.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述的载体(1)缩小0. 4mm 1. 6mm。5.根据权利要求1或2所述的一种带双凸点的四边扁平无引脚封装件，其特征在于所述内引脚底部的凹坑(16)长度加长0. 2mm 0. 5mm。6.一种根据权利要求1所述的带双凸点的四边扁平无引脚三IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下a.减薄下层的第一 IC芯片(3)减薄厚度150 μ m，粗糙度Ra 0. 08mm,粗磨与细磨相结合工艺； 上层的第二 IC芯片(8)和第三IC芯片(10)减薄厚度50 μ m 75 μ m，粗糙度fei 0. 05mm, 粗磨、细磨，抛光防翘曲工艺；b划片8 12划片机WD300TXB，下层第一 IC芯片(3)采用普通QFN划片工艺，上层第二 IC芯片(8)和第三IC芯片(10)采用防...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭小伟，慕蔚，何文海，
申请(专利权)人：天水华天科技股份有限公司，华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：62
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