太阳能电池片的背场制造技术

本实用新型专利技术提供了一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为0.4mm至0.6mm。本实用新型专利技术提供的太阳能电池片的背场，将背场范围拓宽至太阳能电池片边沿的0.4mm至0.6mm，背场面积增大可以有效降低背表面载流子的复合率，进而增强短路电流。对进入太阳能电池片内部的光线，增大的背场面积可以延长光线反射的光程，配合表面绒面结构可以形成光陷阱效果，进一步提高光的利用率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电
，特别涉及一种太阳能电池片的背场。
技术介绍
随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到世界各国的广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点，太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转换为电能的主要器件。常见的晶体硅太阳能电池是由背电极、背场、半导体材料构成的P型层、N型层、 P-N结、减反射薄膜、正面栅电极等部分构成。当太阳光照射到太阳能电池表面时，减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳光能后，激发产生电子、空穴对，电子、空穴对被半导体内部P-N结自建电场分开，电子流入N 区，空穴流入P区，形成光生电场，如果将晶体硅太阳电池的正、负电极与外部电路连接，外部电路中就有光生电流流过。目前多数的晶硅太阳能电池采用P型硅片，经过磷扩散后形成P-N结，在P型硅上制作背电极和背场，在扩散形成的N面制作正面栅电极，整个器件利用P-N结的光生伏特效应来工作。采用丝网印刷制作的晶硅太阳能电池结构中，背场主要由铝浆烧结形成，起到表面钝化降低背表面复合速率，提供背发射增加光程，形成欧姆接触，降低接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为０．４ｍｍ至０．６ｍｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙坚，冯帅臣，李勇，陈清波，张茂胜，
申请(专利权)人：江苏伯乐达光伏有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32