硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池制造技术

本发明专利技术是为了消除CdTe电池中铜或含铜背接触层材料的缺陷，避免铜的扩散对CdTe太阳电池性能产生不良影响。采用一种不含铜的硒化钒材料，添加在CdTe太阳电池基本结构的吸收层与金属背电极之间，作为CdTe太阳电池的背接触层。可实现CdTe太阳电池的欧姆接触，并使太阳电池的耗尽区变宽，界面复合降低，旁路电阻增大，填充因子提高，转换效率提高。由于本发明专利技术中未使用铜这样的受主掺杂剂，因此，电池在长期使用或存放后未见衰降，器件稳定性良好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种碲化镉薄膜太阳电池的制备方法。
技术介绍
由于CdTe具有较高的吸收系数和适合太阳能转换的最佳能隙，因此，在光伏领域，CdTe作为一种重要的光电转换材料受到人们广泛关注和重视。它与宽能隙的CdSd. 42 eV)形成CdS/CdTe异质结太阳电池，有接近30%的理论转换效率。目前，实验室小面积电池的效率已经突破16%，商业化组件的效率已达11%。CdTe太阳电池的基本结构为玻璃(G)/透明导电膜(T)Ai-CdS (W)/p-CdTe (A)/ 金属背电极(M)，其中透明导电膜(TCO)为前电极，CdS为窗口层，CdTe为吸收层，如附图说明图1所示。在CdTe太阳电池的制备过程中，实现CdTe与金属背电极之间的欧姆接触是获得稳定、 高效电池的关键技术之一。由于CdTe的功函数很高，与大多数的金属都难以形成低电阻接触。因此，解决背接触问题的有效办法是将一种P型重掺杂的过渡层材料沉积在CdTe薄膜表面，通过沟道输运机制实现欧姆接触。常规的CdTe太阳电池，背接触层采用铜或含铜材料，但会出现如下问题对于 Cu，常与腐蚀后不均勻的富Te层反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种硒化钒薄膜作背接触层的ＣｄＴｅ太阳电池，其结构为玻璃／透明导电薄膜／硫化镉／　碲化镉／硒化钒／金属背电极，其特征是：以ＣｄＴｅ太阳电池基本结构为基础，采用硒化钒作为背接触层材料，添加在碲化镉与金属背电极之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李卫，冯良桓，武莉莉，张静全，蔡亚平，雷智，狄霞，杨镓溢，王文武，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：90