【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压力传感器，特别是涉及具有隔膜(diaphragm)的压力传感器。
技术介绍
利用半导体的压阻效应的压力传感器，由于小型、轻量、高灵敏度而广泛应用于工业测量、医疗等领域。在这样的压力传感器中，在半导体基板上形成有隔膜。进而，在隔膜上形成有应变片。利用对隔膜施加的压力，使应变片发生变形。检测由压阻效应引起的应变片的电阻变化，从而测定压力。并且，公开了一种为了减少串扰(cross talk)而将静压检测用的测定元件设置在最佳位置的压力传感器(专利文献1)。在专利文献1的压力传感器中，在传感器芯片与基座之间的接合部的外侧设置静压检测用测定元件。具体而言，在传感器芯片的中央形成有正方形的差压用隔膜。进而，在差压用隔膜的周缘部或者中心部设置有差压检测用测定元件。在差压用隔膜的外侧设置有静压检测用测定元件。进一步，公开了在半导体基板上设置有静压检测用的隔膜的压力传感器(专利文献2)。在专利文献2的压力传感器中，在圆形的差压用隔膜的外周形成有圆环状的静压用隔膜。进而，在静压用隔膜形成有4个静压用测定元件。在周方向等间隔地配置有4个静压用测定元件。即，两个静压用...
【技术保护点】
１．一种压力传感器，其特征在于，具备：基板；差压用隔膜，该压差用隔膜设置于所述基板的中央部；压差用测定元件，该差压用测定元件设置于所述差压用隔膜；两个静压用隔膜，这两个静压用隔膜设置于所述差压用隔膜的外周部；第１静压用测定元件，该第１静压用测定元件形成在所述两个静压用隔膜中的第１静压用隔膜的端部；以及第２静压用测定元件，该第２静压用测定元件形成在所述两个静压用隔膜中的第２静压用隔膜的中央部。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：德田智久，东条博史，木田希，
申请(专利权)人：株式会社山武，
类型：发明
国别省市：JP
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