【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种纳米硅薄膜晶体管压力传感器，其特征在于：它由第一纳米硅薄膜晶体管（Ｍ１）、第二纳米硅薄膜晶体管（Ｍ２）、第三纳米硅薄膜晶体管（Ｍ３）、第四纳米硅薄膜晶体管（Ｍ４）和单晶硅衬底（１）组成，第一纳米硅薄膜晶体管（Ｍ１）的源极连接第四纳米硅薄膜晶体管（Ｍ４）的漏极，第一纳米硅薄膜晶体管（Ｍ１）的漏极连接第二纳米硅薄膜晶体管（Ｍ２）的漏极，第二纳米硅薄膜晶体管（Ｍ２）的源极连接第三纳米硅薄膜晶体管（Ｍ３）的漏极，第三纳米硅薄膜晶体管（Ｍ３）的源极连接第四纳米硅薄膜晶体管（Ｍ４）的源极；第一纳米硅薄膜晶体管（Ｍ１）的漏极连接电源ＶＤＤ，第四纳米硅薄膜晶体管（Ｍ４）的源极接地ＧＮＤ；第二纳米硅薄膜晶体管（Ｍ２）的源极引出端作为第一输出电压端ＶＯＵＴ１，第一纳米硅薄膜晶体管（Ｍ１）的源极引出端作为第二输出电压端ＶＯＵＴ２；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底（１）上，单晶硅衬底（１）的背面为Ｃ型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓锋，温殿忠，庄萃萃，李玥，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：93
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