压力传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种压力传感器，所述压力传感器包括端钮、绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、线路板、上腔盖、壳体，线路板位于端钮和上腔盖之间，绝缘后盖位于上腔盖的侧面，绝缘前盖位于下腔体的侧面，上腔盖位于下腔体的顶端，绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、上腔盖、线路板都位于壳体内。本实用新型专利技术具有抗腐蚀、抗磨损性能，且抗冲击、抗震动，还有测量的高精度、高稳定性，宽的工作温度范围，体积小巧，易封装。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种传感器，特别是涉及一种压力传感器。
技术介绍
陶瓷是一种公认的高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的材料。陶瓷的热稳定特性及它的厚膜电阻可以使它的工作温度范围高达_40~135°C，而且具有测量的高精度、高稳定性。电气绝缘程度>2kV，输出信号强，长期稳定性好。高特性，低价格的陶瓷传感器将是压力传感器的发展方向，在欧美国家有全面替代其它类型传感器的趋势，在中国也越来越多的用户使用陶瓷传感器替代扩散硅压力传感器。现有陶瓷传感器的结构复杂，成本高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种压力传感器，其具有抗腐蚀、抗磨损性能，且抗冲击、抗震动，还有测量的高精度、高稳定性，宽的工作温度范围，体积小巧，易封装，结构简单，成本低。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括端钮、绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、线路板、上腔盖、壳体，线路板位于端钮和上腔盖之间，绝缘后盖位于上腔盖的侧面，绝缘前盖位于下腔体的侧面，上腔盖位于下腔体的顶端，绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、上腔盖、线路板都位于壳体内。优选地，所述压力传感器还包括陶瓷电容、密封圈、O型圈，陶瓷电容位于下腔体之中，密封圈、O型圈都位于陶瓷电容上。优选地，所述端钮的形状为T型。本技术的积极进步效果在于:本技术具有抗腐蚀、抗磨损性能，且抗冲击、抗震动，还有测量的高精度、高稳定性，宽的工作温度范围，体积小巧，易封装，结构简单，成本低。【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。如图1所示，本技术压力传感器包括端钮1、绝缘后盖2、下腔体3、绝缘前盖4、线路板9、上腔盖8、壳体10，线路板9位于端钮I和上腔盖8之间，绝缘后盖2位于上腔盖8的侧面，绝缘前盖4位于下腔体3的侧面，上腔盖8位于下腔体3的顶端，绝缘后盖2、下腔体3、绝缘前盖4、上腔盖8、线路板9都位于壳体10内。本技术设计合理，体积小巧，易封装，结构简单，成本低。端钮I的形状为T型，这样方便操作。本技术压力传感器还包括陶瓷电容7、密封圈6、O型圈5，陶瓷电容7位于下腔体3之中，密封圈6、O型圈5都位于陶瓷电容7上。陶瓷电容拥有抗腐蚀、抗磨损性能，且抗冲击、抗震动，还有测量的高精度、高稳定性，宽的工作温度范围的优点。本技术具有抗腐蚀、抗磨损性能，且抗冲击、抗震动，还有测量的高精度、高稳定性，宽的工作温度范围，体积小巧，易封装，结构简单，成本低。以上所述的具体实施例，对本技术的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括端钮、绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、线路板、上腔盖、壳体，线路板位于端钮和上腔盖之间，绝缘后盖位于上腔盖的侧面，绝缘前盖位于下腔体的侧面，上腔盖位于下腔体的顶端，绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、上腔盖、线路板都位于壳体内。2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压力传感器还包括陶瓷电容、密封圈、O型圈，陶瓷电容位于下腔体之中，密封圈、O型圈都位于陶瓷电容上。3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述端钮的形状为T型。【专利摘要】本技术公开了一种压力传感器，所述压力传感器包括端钮、绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、线路板、上腔盖、壳体，线路板位于端钮和上腔盖之间，绝缘后盖位于上腔盖的侧面，绝缘前盖位于下腔体的侧面，上腔盖位于下腔体的顶端，绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、上腔盖、线路板都位于壳体内。本技术具有抗腐蚀、抗磨损性能，且抗冲击、抗震动，还有测量的高精度、高稳定性，宽的工作温度范围，体积小巧，易封装。【IPC分类】G01L19/06, G01L9/12【公开号】CN204944733【申请号】CN201520640582【专利技术人】赵德林 【申请人】上海宇瓷电子科技有限公司【公开日】2016年1月6日【申请日】2015年8月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括端钮、绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、线路板、上腔盖、壳体，线路板位于端钮和上腔盖之间，绝缘后盖位于上腔盖的侧面，绝缘前盖位于下腔体的侧面，上腔盖位于下腔体的顶端，绝缘后盖、下腔体、绝缘前盖、上腔盖、线路板都位于壳体内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德林，
申请(专利权)人：上海宇瓷电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31