一种超薄单晶硅片和制作该硅片的线切割装置及切割方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种超薄单晶硅片，硅片厚度为180±20μm。一种线切割装置，具有切割线和主动辊，主动辊上具有线槽，线槽与切割线配合，线槽的槽口宽度为0.31mm-0.32mm，切割线直径为0.10mm-0.11mm。一种切割该硅片的方法，将线槽的槽口宽度设为0.31mm-0.32mm，切割线直径为0.10mm-0.11mm；控制切割线的线速度为9.4m/s-10.4m/s，设置硅锭下压速度不超过0.3mm/s，切削液流量为80-90L/min。本发明专利技术改进槽口的宽度，在单位硅锭上可以产出更多的单晶硅片，提高了产能，同时也减少了损耗；通过控制切割速度等工艺参数，保证了切割过程的稳定和降低了碎片率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及。
技术介绍
单晶硅在室温下属于脆硬性材料，只有当温度不低于0. 5Tm(Tm指硅的熔点温度) 时才具有弹塑性，即使在外力作用下，硅片常温下也很难产生位错或发生位错滑移。但是， 由于硅单晶的抗剪应力远小于抗拉应力，因此在切片、研磨以及机械抛光等加工过程中，硅片在承受较大剪切应力条件下会产生破碎，从而影响硅片成品率。经历器件制作的复杂热处理过程后，硅片体内容易产生热应力，可能导致发生翘曲而降低光刻图形套刻精度，也可能诱生出位错及其他结构缺陷从而破裂或崩边。随着硅单晶片的不断大直径化，日益增加的热应力和重力使得上述情况更趋严重。目前，在大规模器件生产过程中，人们往往通过增加硅片的厚度来提高其机械强度以保证硅片和器件的成品率。但是，这种方法将提高制造成本、降低产能。单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为对.7%，规模生产时的效率为15%，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。由于单晶硅成本价格高，并且在当今太阳能电池市场中，太阳能电池用单晶硅企业开工率不足 50%，明显不能满足负荷生产。为了节省硅材料，在太阳能电池本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种超薄单晶硅片，其特征在于：硅片厚度为１８０±２０μｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：葛相麟，戴建俊，李义，
申请(专利权)人：营口晶晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：21