发光器件制造技术

本发明专利技术公开一种发光器件，包括：发光结构，其包括至少包括第一区域和第二区域的第一导电半导体层和形成在第一区域中的有源层和第二导电半导体层；第一电极，该第一电极形成在第一导电半导体层上；以及第二电极，该第二电极形成在第二导电半导体层上，其中第二区域包括：第三区域和第四区域，该第三区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的至少一侧上，该第四区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的内部，第一电极包括：第一导电半导体层的纵向方向上的第一导电半导体层的一侧上的第一焊盘；和形成在第四区域中的第一分支，第二电极包括：第二导电半导体层的纵向方向上的第二导电半导体层的另一侧上的第二焊盘；和第三分支和第四分支。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种使用化合物半导体的特性将电信号转换为光的器件。现在LED被应用于诸如家用电器、远程控制、电子标识牌、显示器、各种自动装置等等并且它们的应用范围继续扩大。通常，小型化的LED被制造为表面安装器件使得它能够直接地安装到印刷电路板 (PCB) 0因此，用作显示装置的LED灯也被开发为表面安装器件型。这样的表面安装器件可以替代传统的灯并且被用作表现各种颜色的照明显示器、字符显示器、图像显示器等等。随着LED的应用范围的扩大，日常使用中的光和用于结构信号的光所要求的亮度增加。因此，重要的是，增加LED的发光亮度。因此，为了提高发光亮度，大量的研究已经集中于制造能够均勻地扩散电流并且从而提高发光效能的氮化物半导体发光器件。
技术实现思路
因此，鉴于上述问题已经提出本实施例，并且本实施例提供一种发光器件，其中能够解决由于第一和第二导电半导体层之间的掺杂浓度的差引起的电流扩散的差距并且因此能够通过改变形成在第二导电半导体层上的两个或者更多分支中的一个和相互分隔第一和第二导电半导体层的台面线之间的距离能够提高发光效能。根据本实施例的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括；发光结构，所述发光结构包括至少包括第一区域和第二区域的第一导电半导体层和形成在所述第一区域中的有源层和第二导电半导体层；第一电极，所述第一电极形成在所述第一导电半导体层上；以及第二电极，所述第二电极形成在所述第二导电半导体层上，其中所述第二区域包括：第三区域，所述第三区域形成在所述发光结构的水平方向上的所述发光结构的至少一侧上；和第四区域，所述第四区域形成在所述发光结构的水平方向上的所述发光结构的内部，所述第一电极包括：在所述第一导电半导体层的纵向方向上的所述第一导电半导体层的一侧上的第一焊盘；和形成在所述第四区域中的第一分支，所述第一分支被连接到所述第一焊盘并且在所述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗珉圭，金省均，秋圣镐，林祐湜，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR