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本发明涉及一种超薄单晶硅片，硅片厚度为180±20μm。一种线切割装置，具有切割线和主动辊，主动辊上具有线槽，线槽与切割线配合，线槽的槽口宽度为0.31mm-0.32mm，切割线直径为0.10mm-0.11mm。一种切割该硅片的方法，将线槽...
该专利属于营口晶晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过营口晶晶光电科技有限公司授权不得商用。

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