设定束电流密度分布的调整目标的方法和离子注入装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供设定束电流密度分布的调整目标的方法和离子注入装置。离子注入装置沿与从多个离子束供给装置分别提供给处理室内的带状离子束的长边方向大体垂直的方向，输送玻璃基板，沿玻璃基板整个面，使由各带状离子束照射的区域重迭，在玻璃基板上形成大体均匀的离子注入量分布，在该离子注入装置中，根据离子注入条件，设定各离子束的束电流密度分布的调整目标，能高效地调整各离子束的束电流密度分布。根据对离子注入装置设定的离子注入条件，检索调整目标设定数据。在调整目标设定数据内有与离子注入条件一致的数据的情况下，使用从调整目标设定数据中读出的束电流值，设定各带状离子束中至少一个带状离子束的束电流密度的调整目标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使由多个带状离子束形成的照射区域重迭，在玻璃基板上形成规定的离子注入量分布的离子注入装置。
技术介绍
近年来，以液晶电视为代表的液晶产品的大型化非常显著。在半导体制造工序中， 为了在一个处理工序中处理更多的液晶面板，进行了增大玻璃基板的尺寸，并从大型的玻璃基板获得多块液晶面板的尝试。对于作为半导体制造装置之一的离子注入装置，要求要与这样的大型的玻璃基板相适应。为了应对这样的要求，至今为止开发了专利文献1所记载的离子注入装置。在专利文献1中公开了 使用比玻璃基板的尺寸小的两个离子束，对玻璃基板的整个面实施离子注入处理的技术。更具体地说，在专利文献1中，作为一个例子，把相互垂直的三个方向(χ、γ及Z方向)分别定义为离子束的短边方向、离子束的长边方向及离子束的行进方向。两个离子束位于在X方向上相互离开的位置，在Y方向上使双方的中心位置错开，使得在玻璃基板上由各离子束照射的区域部分重迭，以上述方式向对玻璃基板实施离子注入处理的处理室内照射离子束。通过以横穿这样的离子束的长边方向的方式，沿X 方向输送玻璃基板，可以沿玻璃基板的整个面实现离子注入处理。专利文献1中所记载的技术的玻璃基板的输送速度是一定的。由于要沿玻璃基板的整个面实现均勻的注入量分布，所以照射在玻璃基板上的离子束的电流密度分布，如专利文献1中的图6所示，要调整成包括两个离子束重迭的区域，沿Y方向整体为大体均勻的电流密度分布。专利文献1 日本专利公开公报特开2009-152002号(图1、图3、图6及0077 0088 段)。通常，在离子束重迭区域中的束电流密度分布的调整，与调整一个离子束的束电流密度分布的情况相比，作为调整对象的参数的个数多而且复杂。此外，可以明确根据经验，照射到玻璃基板上的离子束的离子注入条件对离子束的束电流密度分布的调整结果和调整时间有影响。例如，当对在某个离子注入条件下照射到玻璃基板上的离子束的束电流密度分布进行调整的情况下，相对于作为目标的分布，有时可以把束电流密度分布高精度地调整到进入的误差范围内。由于这样的理由，可以认为胡乱地对各离子束的束电流密度分布进行调整，会使相对于目标分布的调整精度恶化，并且使到整个调整结束为止需要更长的时间。可是，在专利文献1中，对于在离子束重迭区域的束电流密度分布的调整，只是记载了把在玻璃基板上重迭的离子束照射区域中的束电流密度分布调整成与其它区域(未重迭的区域)中的束电流密度分布大体相等，并未公开具体怎样进行调整才行
技术实现思路
所以为了解决上述问题，本专利技术的主要目的是提供一种根据离子注入条件对多个离子束设定束电流密度分布的调整目标的方法，以及具有用于实现该方法的控制装置的离子注入装置。S卩，本专利技术提供一种设定束电流密度分布的调整目标的方法，其特征在于，在离子注入装置中，针对各个带状离子束设定束电流密度分布的调整目标，所述离子注入装置从多个离子束供给装置分别向处理室内提供所述带状离子束，在与所述带状离子束的长边方向大体垂直的方向上，输送玻璃基板，沿所述玻璃基板的整个面，使由所述各个带状离子束照射的区域重迭，在所述玻璃基板上形成大体均勻的离子注入量分布，根据对所述离子注入装置设定的离子注入条件，检索调整目标设定数据，在所述调整目标设定数据内有与所述离子注入条件一致的数据的情况下，使用从该调整目标设定数据读出的束电流值，设定所述各个带状离子束中至少一个所述带状离子束的束电流密度分布的调整目标。此外，本专利技术还提供一种离子注入装置，其特征在于，从多个离子束供给装置分别向处理室内提供带状离子束，在与所述带状离子束的长边方向大体垂直的方向上，输送玻璃基板，沿所述玻璃基板的整个面，使由各个所述带状离子束照射的区域重迭，在所述玻璃基板上形成大体均勻的离子注入量分布，所述离子注入装置包括控制装置，所述控制装置具有下述功能根据对所述离子注入装置设定的离子注入条件，检索调整目标设定数据，在所述调整目标设定数据内有与所述离子注入条件一致的数据的情况下，使用从该调整目标设定数据读出的束电流值，设定各个所述带状离子束中至少一个所述带状离子束的束电流密度分布的调整目标。按照这样的设定束电流密度分布的调整目标的方法和离子注入装置，根据对离子注入装置设定的离子注入条件，可以对各离子束设定束电流密度分布的目标值，与胡乱地设定各离子束的束电流密度分布的目标值后进行调整的情况相比，可以高效地调整各离子束的束电流密度分布。此外，优选的是在离子注入条件中，把照射到玻璃基板上的离子束的离子种类和能量作为检索项目进行所述检索。按照上述构成，根据对离子注入装置设定的离子注入条件，可以对各离子束设定束电流密度分布的目标值，所以与胡乱地设定各离子束的束电流密度分布的目标值后进行调整的情况相比，可以高效地调整各离子束的束电流密度分布。附图说明图1是表示本专利技术一个实施方式的离子注入装置样子的俯视图。图2是从Z方向看图1所记载的处理室内部时的平面图。图3是表示本专利技术一个实施例的调整束电流密度分布的方法的说明图。附图标记说明1 离子注入装置6 第一离子束10:玻璃基板16 第二离子束25 控制装置426:用户接口36 第三离子束46:第四离子束具体实施例方式图1是表示本专利技术的离子注入装置1的一个实施例的俯视图，图2是从Z方向看图1的处理室内部时的平面图。参照这些附图，对本专利技术一个实施例的离子注入装置的整体结构进行说明。在本专利技术中，设X方向为基板的输送方向，设Y方向为离子束的长边方向，设Z方向为在处理室内向玻璃基板照射的离子束的行进方向。此外，在本专利技术中，所谓“带状离子束”是指在用垂直于离子束行进方向的平面切断离子束的情况下，离子束的断面为大体长方形的离子束。下面对在本专利技术中使用的离子注入装置的整体结构进行简单的说明。图1中所记载的离子注入装置1主要由处理室11、用单点划线包围的第一离子束供给装置2、第二离子束供给装置12、第三离子束供给装置32和第四离子束供给装置42构成。第一离子束供给装置 第四离子束供给装置是用于分别把第一离子束6、第二离子束 16、第三离子束36和第四离子束46提供给处理室11内的装置。下面对离子束供给装置进行简单的说明。构成第一离子束供给装置 第四离子束供给装置的离子源3、13、33、43 ；质量分析磁铁4、14、34、44和分析狭缝5、15、35、45可以是分别具有相同性能的供给装置，也可以是分别具有不同性能的供给装置。在此，以第一离子束供给装置2的结构为代表进行说明，对于其它供给装置的说明因重复而省略。第一离子束供给装置2具有离子源3，从该离子源3引出第一离子束6。从离子源 3引出的第一离子束6中混合有各种各样的离子。其中，为了仅使所希望的离子照射玻璃基板10，使质量分析磁铁4和分析狭缝5协调动作，使所希望的离子与其它离子分离。该分离利用每种离子的质量数不同，利用质量分析磁铁4调整第一离子束6的偏转量，可以仅使所希望的离子通过分析狭缝5。从第一离子束供给装置2提供的第一离子束6利用设置在处理室11内的束轮廓仪7，测量在长边方向(Y方向)上的束电流密度分布。作为该束轮廓仪的例子，可以考虑使用把公知的法拉第杯沿Y方向排列多个的多点法拉第杯或沿Y方向可以移动的单个法拉第杯。此外，在上述说明中，作为离子束供本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种设定束电流密度分布的调整目标的方法，其特征在于，在离子注入装置中，针对各个带状离子束设定束电流密度分布的调整目标，所述离子注入装置从多个离子束供给装置分别向处理室内提供所述带状离子束，在与所述带状离子束的长边方向大体垂直的方向上，输送玻璃基板，沿所述玻璃基板的整个面，使由所述各个带状离子束照射的区域重迭，在所述玻璃基板上形成大体均匀的离子注入量分布，根据对所述离子注入装置设定的离子注入条件，检索调整目标设定数据，在所述调整目标设定数据内有与所述离子注入条件一致的数据的情况下，使用从该调整目标设定数据读出的束电流值，设定所述各个带状离子束中至少一个所述带状离子束的束电流密度分布的调整目标。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中尾和浩，
申请(专利权)人：日新离子机器株式会社，
类型：发明
国别省市：JP