离子注入系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置；在该离子束的传输路径上依次设有：一质量分析磁铁；一校正磁铁；一工件扫描装置；该系统还包括：一设于该校正磁铁上游的扫描磁铁，用于扫描通过的离子束，以使注入工位处的该预设能量范围内的离子束在离子束扫描方向上的分布覆盖该工件；一设于注入工位处的束流测量装置，用于在离子束的扫描方向上测量束流的强度分布和角度分布。本发明专利技术还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明专利技术能够实现对离子束的注入角度均匀性和注入强度均匀性的精确控制，并且降低了生产成本、简化了工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 涉及一种离子注入系统，特别是涉及一种。
技术介绍
离子注入法用于把通常称之为杂质的原子或分子引入靶标基片，从而改变基片材料的性能。离子注入法不但是现代集成电路制造业中使用的一种常规工艺过程，其还可以用于平面显示器等光学器件或显示设备的制造，以及厚度可控、表面性能预定的薄膜沉积寸寸。在某些应用场合下，特别是在以300mm或450mm的晶片甚至更大的基片作为注入靶标的情况下，较佳地采用带状离子束来进行注入。图1和图2所示均为现有的采用带状离子束进行注入的离子注入系统。在图1的离子注入系统中，一离子源和一引出装置1’生成发散的离子束，该发散的离子束在经过一质量分析磁铁2’的选择之后，被一磁透镜3’校准。在图2的离子注入系统中，由一离子源和一引出装置生成的发散离子束在经过一质量分析磁铁2”的选择之后，被两个校准器31”、32”校准。所谓的带状离子束是指，该离子束横截面的高宽比非常大，即其横截面的某一维度(在图1和图2中均为纵向)的尺寸要比其它维度的尺寸大得多，以至于在注入工位处该离子束的分布已经能够在例如纵向上覆盖整个待加工工件。由此，在上述两种离子注入系统中，只需将硅晶片或本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种离子注入系统，其特征在于，其包括：一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出会聚的离子束；在该离子束的传输路径上依次设有：一质量分析磁铁，用于从该离子束中选择一预设荷质比范围内的离子束；一校正磁铁，用于校准该预设荷质比范围内的离子束；一工件扫描装置，用于使工件穿过该预设荷质比范围内的离子束以进行离子注入；该系统还包括：一设于该校正磁铁上游的扫描磁铁，用于扫描通过的离子束，以使注入工位处的该预设能量范围内的离子束在离子束扫描方向上的分布覆盖该工件，其中，离子束的扫描速度远大于工件的扫描速度，且离子束的扫描方向与工件的扫描方向相垂直；一设于注入工位处的束流测量装置，用于在离子束的扫...

【技术特征摘要】
1.一种离子注入系统，其特征在于，其包括一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出会聚的离子束；在该离子束的传输路径上依次设有一质量分析磁铁，用于从该离子束中选择一预设荷质比范围内的离子束；一校正磁铁，用于校准该预设荷质比范围内的离子束；一工件扫描装置，用于使工件穿过该预设荷质比范围内的离子束以进行离子注入；该系统还包括一设于该校正磁铁上游的扫描磁铁，用于扫描通过的离子束，以使注入工位处的该预设能量范围内的离子束在离子束扫描方向上的分布覆盖该工件，其中，离子束的扫描速度远大于工件的扫描速度，且离子束的扫描方向与工件的扫描方向相垂直；一设于注入工位处的束流测量装置，用于在离子束的扫描方向上测量束流的强度分布和角度分布。2.如权利要求1所述的离子注入系统，其特征在于，该扫描磁铁设于该引出装置与该质量分析磁铁之间的离子束传输路径上。3.如权利要求1所述的离子注入系统，其特征在于，该扫描磁铁设于该质量分析磁铁与该校正磁铁之间的离子束传输路径上。4.如权利要求1-3中任意一项所述的离子注入系统，其特征在于，该引出装置被设置为使得从该离子源引出的离子束在该质量分析磁铁的非发散平面内会聚。5.如权利要求4所述的离子注入系统，其特征在于，该扫描磁铁用于在该质量分析磁铁的非发散平面内扫描离子束，并使该预设荷质比范围内的离子束在该工件处的分布在该质量分析磁铁的非发散方向上覆盖该工件，该工件扫描装置用于使工件以垂直于该预设荷质比范围内的离子束的扫描方向进行一维移动或扫描的方式，穿过该预设荷质比范围内的离子束以进行离子注入。6.如权利要求4所述的离子注入系统，其特征在于，该束流测量装置还用于将测量数据反馈至该扫描磁铁和该校正磁铁。7.如权利要求4所述的离子注入系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：31