【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子注入法，具体涉及使具有与离子束方向垂直的细长剖面的带状离 子束改变的方法，并涉及用于使上述带状离子束改变的设备。
技术介绍
带状离子束公知被用于将离子注入衬底，尤其是用于半导体制造产业的半导体衬 底。通常，上述半导体衬底包括相对较薄的衬底晶片，其通常由单晶硅形成。单晶硅形成的 晶片可以是具有约200或约300mm直径的圆形，但是也可以使用其他形状及直径。可使用 带状离子束将离子注入上述晶片，在此情况下，带状离子束可受到控制以在要被注入的晶 片处具有细长的剖面，其长度刚好大于晶片的直径。然后，为了确保在晶片的整个表面上可 以均勻地注入离子，可以仅需要在带状离子束与晶片之间产生沿与离子束的细长剖面方向 垂直的方向的相对运动。在将离子注入半导体衬底的领域，公知的要求是应当在晶片的整个表面上均勻地 传送要注入的离子剂量。为此，使带状离子束在要被注入的晶片位置处具有在离子束的细 长剖面的宽度上均勻分布的强度非常重要。因为多个处理过程，包括提取电极的对准误差、 温度影响以及在离子源室内引起等离子体的不均勻的物理变化，在离子源处会产生在带状 束的细长剖面上的...
【技术保护点】
１．一种用于改变带状离子束的方法，所述带状离子束具有与束方向垂直的细长剖面，其中，在沿所述带状束的任意位置处界定了正交（ｘ，ｙ，ｚ）笛卡尔坐标系，其中所述坐标系的ｚ轴在所述带状束的中心线处沿所述束方向延伸，ｘ轴沿所述带状束的所述细长剖面的较长方向延伸，而ｙ轴沿所述细长剖面的较短方向延伸，所述方法包括以下步骤：设置相对的铁磁条，其分别具有长度，并在其间界定了细长开放空间以容纳在所述束的所述ｘ轴沿所述细长空间的长度延伸的情况下在所述条之间穿过的所述带状束；在所述相对的铁磁条中的每一者上分别设置各个第一线圈结构，所述各个第一线圈结构包括连续绕组，并具有每单位长度匝数沿所述条的所述...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：肯尼思·H·波瑟，威廉·H·小派克，
申请(专利权)人：特温克里克技术公司，
类型：发明
国别省市：US
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