离子注入系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置，一质量分析磁铁，一第一加速减速装置，一偏转磁铁，一第二加速减速装置，一工件扫描装置；该偏转磁铁使该预设荷质比范围内的离子束发散；该系统还包括一设于该偏转磁铁与该第二加速减速装置之间的校正磁铁，用于将被该偏转磁铁偏转并发散的该预设荷质比范围内的离子束校正至预设注入角度。本发明专利技术还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明专利技术可以提高对较大尺寸的晶圆工件进行注入时的剂量均匀性，从而提高生产效率，并且还可以极大地节省对整个离子注入系统进行全面升级而耗费的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
离子注入工艺用来把通常称之为杂质的原子或分子引入靶标基片，从而改变基片材料的物理和化学性能。尤其令人感兴趣的是，利用离子注入工艺在单晶或多晶硅中掺杂， 是制造现代集成电路的一种常规工艺过程。由于半导体产品的生产已经逐渐趋向较大的晶圆(从8英寸到12英寸，而现在已在向18英寸发展)，单晶圆工艺(一次处理一片晶圆) 最近已被广泛地采用。然而，晶圆工件越大，注入所耗费的时间就越长，同时，要想达到一定的注入剂量均勻性和注入角度均勻性也就变得越来越困难。图1所示为美国专利US6，998，625所描述的Varian公司设计的离子注入系统，该离子注入系统包括一离子源和一引出装置1、一质量分析磁铁2、一第一加速减速装置3、一偏转磁铁4、一第二加速减速装置5以及一工件扫描装置。该引出装置从该离子源引出一离子束，在该离子束的传输路径上依次地该质量分析磁铁2从该离子束中选出一预设荷质比范围内的离子束；该第一加速减速装置3使该预设荷质比范围内的离子束加速或减速至一预设中间能量；该偏转磁铁4偏转该预设荷质比范围内的离子束；该第二加速减速装置5 使该本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出一离子束；在该离子束的传输路径上依次设有：一质量分析磁铁，用于从该离子束中选出一预设荷质比范围内的离子束；一第一加速减速装置，用于使该预设荷质比范围内的离子束加速或减速至一预设中间能量；一偏转磁铁，用于偏转该预设荷质比范围内的离子束；一第二加速减速装置，用于使该预设荷质比范围内的离子束加速或减速至预设注入能量；一工件扫描装置，用于使工件扫描穿过该预设荷质比范围内的离子束，以进行离子注入；其特征在于，该偏转磁铁使该预设荷质比范围内的离子束发散；该系统还包括一设于该偏转磁铁与该第二加速减速装置之间的校正磁铁，用于将被该...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炯，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：31