一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明专利技术以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本发明专利技术的薄膜晶体管以玻璃或柔性衬底为基底，采用真空镀膜技术制备宽禁带氧化物半导体沟道层，采用旋涂法或浸渍提拉法制备有机介质层，采用真空镀膜方法制备透明导电氧化物薄膜栅电极、源电极和漏电极。本发明专利技术制备的混合型薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、电流开关比高等特性，在平板显示和透明电子学等领域具有良好的应用潜能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜晶体管
，具体涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilm Transistor :TFT)是一种场效应晶体管(Field Effect Transistor :FET)，由半导体有源层即沟道层、介质层即绝缘层、栅电极、源电极和漏电极构成。场效应晶体管凭借其体积小、重量轻、寿命长、耗电省等优点广泛应用于各类电子电路中。二十世纪六十年代，基于低成本、大阵列显示的实际需求，TFT的研究广为兴起。 1988年，当第一个14英寸的有源矩阵(Active-Matrix :AM)薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Displays =TFT-LCD)出现时，人们意识到重量轻厚度薄的壁挂式电视将成为现实。随着非晶硅或低温多晶硅作为半导体沟道层，薄膜晶体管技术已经成为平板显示(FPD)的象征性技术，其特点是在对角线数米(m)长的基板上制备几千万个数微米(Pm)大小的TFT阵列，形成“大型微电子”。薄膜晶体管的主要结构特点是在栅电极和半导体沟道层之间存在栅绝缘层。按照本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管，包括基板，分别形成于基板上方的栅、源和漏电极，用于隔离栅电极与源／漏电极的栅介质层，以及用于连接源电极和漏电极的氧化物半导体沟道层；其特征在于所述栅介质层为有机介质层；所述氧化物半导体沟道层为非晶或多晶宽禁带氧化物半导体层；所述栅电极、源电极和漏电极由透明导电氧化物构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张群，李桂锋，冯佳涵，周俊，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31