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本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本发明的薄膜晶体管以玻...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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