薄膜晶体管元件及其制作方法技术

一薄膜晶体管元件包括一第一导电类型晶体管与一第二导电类型晶体管。第一导电类型晶体管包括一第一图案化掺杂层、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及一第一半导体图案。第二导电类型晶体管包括一第二图案化掺杂层、一第二栅极、一第二源极、一第二漏极以及一第二半导体图案。第一半导体图案与第二半导体图案构成一图案化半导体层。第一图案化掺杂层设置于第一半导体图案之下，且第二图案化掺杂层设置于第二半导体图案之上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，尤指一种利用非离子注入工艺以及激光处理工艺来形成低阻抗掺杂层的薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
多晶硅(poly silicon)薄膜晶体管通过多晶硅材料本身高电子移动率 (electrical mobility)的特性因而具有较一般广泛使用的非晶硅薄膜晶体管更佳的电性表现。随着低温多晶硅(low temperature poly silicon, LTPS)工艺技术不断精进，一些主要问题例如大面积的薄膜均勻性不佳已逐渐获得改善。因此，目前低温多晶硅工艺亦朝着更大尺寸基板应用上进行发展。然而，于公知的低温多晶硅工艺中，一般是利用离子注入 (ion implant)工艺来形成掺杂层以降低薄膜晶体管中的接触阻抗，而用来进行离子注入工艺的离子注入机要导入大尺寸基板工艺，除了许多技术问题还需克服的外，机台制作成本亦是另一大问题。因此，如何以其他方式来形成低阻抗的掺杂层亦为目前业界致力发展的方向的一。另外，由于低温多晶硅具有可搭配不同导电类型掺杂层以组成N型薄膜晶体管或 P型薄膜晶体管的特性，因此低温多晶硅工艺一般亦可用来于一基板上同时形成N型薄膜晶体管以及P型薄膜晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管元件，设置于一基板上，该薄膜晶体管元件包括：一第一导电类型晶体管，包括一第一图案化掺杂层、一第一栅极、一第一源极、一第一漏极以及一第一半导体图案，其中该第一源极以及该第一漏极是与该第一图案化掺杂层电性连结；以及一第二导电类型晶体管，包括一第二图案化掺杂层、一第二栅极、一第二源极、一第二漏极以及一第二半导体图案，其中该第二源极以及该第二漏极是与该第二图案化掺杂层电性连结；其中该第一半导体图案以及该第二半导体图案构成一图案化半导体层，该第一图案化掺杂层是设置于该第一半导体图案之下，且该第二图案化掺杂层是设置于该第二半导体图案之上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟伦，高嘉骏，翁守朋，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71