有机发光器件像素电路的倒T字形薄膜晶体管结构制造技术

本实用新型专利技术涉及有机发光器件像素电路的倒T字形薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，所述活性层的两端分别和源电极和漏电极连接，其特征在于，所述活性层上方用以组成栅电极层的金属薄膜带与活性层在活性层的中间位置形成至少两次交叉点。本实用新型专利技术的有益效果是：可以更好的抑制漏电流的产生，因此可以取得更好的显示效果。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及平面显示技术，尤其涉及有机发光器件(OLED)像素电路。
技术介绍
通常，有机发光显示器件是由NXM个发光像素单元按照矩阵结构排列组合而成， 每个发光像素单元都包含一个有机发光二极管和一个对应的像素电路。如图1所示，现有的像素电路主要由两个晶体管和一个电容组成，其中，开关晶体管Tl的栅极和源极分别和扫描线SCAN(扫描选择信号SCAN)和数据线DATA(数据信号DATA)连接，开关晶体管Tl 的漏极和驱动晶体管T2的栅极连接；驱动晶体管T2的漏极和电源线VDD(电源信号VDD) 连接，源极和有机电致发光二极管Dl连接从而提供用于Dl发光的电流；电容器Cl连接在驱动晶体管T2的源极和栅极之间用于在预定时间内维持对驱动晶体管T2所施加的电压。 上述结构的像素电路的运行过程是当开关晶体管Tl根据施加于其栅极的扫描选择信号 SCAN而被导通时，数据信号DATA被施加于驱动晶体管T2的栅极和电容器Cl上，与数据信号DATA相匹配的电流被存储在电容器Cl中，当驱动晶体管T2被导通时，储存在电容器Cl 中的电流被释放出来流经有机电致发光二极管Dl并使其发光。图2和图3是对应于图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．有机发光器件像素电路的倒Ｔ字形薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，其特征在于，活性层呈“？”形，活性层之上的栅电极层由两条垂直连接成倒“Ｔ”字形的金属薄膜带组成，所述金属薄膜带穿过活性层中间位置并在活性层的中间位置形成两处交叉点。

【技术特征摘要】
1.有机发光器件像素电路的倒T字形薄膜晶体管结构，包括位于最下层的活性层，位于活性层之上的栅绝缘层和位于栅绝缘层之上的栅电极层，活性层的左右两端分别和源电极和漏电极连接，其特征在于，活性层呈“ ”形，活性层之上的栅电极层由两条垂直连接成倒“T”字形的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪宣杓，闫晓剑，
申请(专利权)人：四川虹视显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90