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一种大直径立式硅片承载器的制备方法技术

技术编号:6867602 阅读:202 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种大直径立式硅片承载器的制备方法,其特点是:选用Ф20mm石英棒和Ф310mm石英片,作为制作卧式硅片承载器的原材料,石英硅含量≥99.998%;通过模具定位,沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒;对石英棒相对的内侧分别横向进行开槽,四个石英棒相对应的槽在同一水平面上;在模具上定位上片石英片,并定位焊接后火焰抛光及退火;最终检验成品。采用了立式形状,承载数量多。同时,在承载硅片进行掺杂和氧化工艺时,并不需要辅助托盘,可以直接将立式硅片承载器放进掺杂和养化硅片石英容器内。本发明专利技术立式硅片承载器在应用时,可保障硅片间隙微小,不松动,提高硅片在氧化和扩散的均匀性和一致性,效果大大优于卧式硅片承载器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅产品,特别是。
技术介绍
目前,微电子集成电路的4"、6"、8"硅片,主要应用相配套尺寸的卧式硅片承载器,并作为硅片承载器和氧化与扩散使用。4"、6"、8"卧式硅片承载器仅能够和集成电路 6"、8"硅片相配套,但随着大直径12"硅片进入市场,与之相配套的12"硅片承载器缺口则较大。卧式硅片承载器由于长度的限制,只能应用4〃、6〃、8〃硅片,承载硅片数量也较少,一般在60个,同时卧式硅片承载器在承载硅片进行掺杂和氧化工艺时,需要专业托盘将其送入石英容器内,所以使用也极为不便。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足,提出了一种保障硅片间隙微小,不松动,提高硅片在氧化和扩散的均勻性和一致性的大直径立式硅片承载器的制备方法。本专利技术要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的,,其特点是①选用Φ20πιπι石英棒和Φ310πιπι石英片,作为制作卧式硅片承载器的原材料,石英硅含量> 99. 998% ;②对Φ 20mm石英棒进行切割,长度为920mm ;③铣削石英片,作为底盘;④通过模具定位,沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒;⑤火焰抛光及退火;⑥本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大直径立式硅片承载器的制备方法,其特征在于:①选用Φ20mm石英棒和Φ310mm石英片,作为制作卧式硅片承载器的原材料,石英硅含量≥99.998%;②对Φ20mm石英棒进行切割,长度为920mm;③铣削石英片,作为底盘;④通过模具定最终检验成品。位,沿底盘边缘竖向焊接四根石英棒;⑤火焰抛光及退火;⑥通过模具定位,对石英棒相对的内侧分别横向进行开槽,四个石英棒相对应的槽在同一水平面上;⑦对沟槽深度及边距进行一次检验;⑧在模具上定位上片石英片,并定位点焊;⑨主体焊接后火焰抛光及退火;⑩

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王运家
申请(专利权)人:王运家
类型:发明
国别省市:32

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