一种大直径硅片抛光装置制造方法及图纸

一种大直径硅片抛光装置，其特征在于：它包括：垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈（３）、位于游轮圈左侧的、由左传动部分（２）带动的左抛光轮（１），位于游轮圈右侧的、由右传动部分（５）带动的右抛光轮（４），左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫（７），抛光轮表面设有供抛光液到硅片表面的孔，孔与内置于传动部分和抛光轮内的软管（６）相通。本实用新型专利技术的优点是：该装置结构紧凑，硅片在抛光时处于垂直状态，硅片可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控制硅片表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题，既提高了生产的效率，又提高了抛光片的成品率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅片抛光装置，特别是一种300mm以上大直径硅片的抛光装置。
技术介绍
半导体硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒 角、磨片、腐蚀、抛光、清洗等工艺过程制造而成的集成电路级半导体硅片。为增加IC芯片 产量，降低单元制造成本，硅片向大直径发展，尽管目前的主流是300mm，国际上三大IC厂 家正在研究和推进450mm硅片的应用和产业化。由于大尺寸硅片的表面积较大，在抛光过 程中几何参数难以控制，为了获得平坦的表面，在目前大尺寸硅片的抛光过程中双面抛光 代替单面抛光。双面抛光过程中由于硅片处于自由的悬浮状态，抛光后的表面几何参数能控制得 很好，能达到65nm和32nm线宽的要求。但随着硅片表面积的进一步增大，由于面积太大和 自身重力的问题，抛光过程中的均勻性很难控制，从而会影响大直径硅片的几何参数。因 此，为了得到符合几何参数要求的300mm直径以上硅片产品，就需要一种新型的硅片抛光直ο
技术实现思路
本技术的目的是提供一种大直径硅片的抛光装置，该装置结构紧凑，硅片在 抛光时处于垂直状态，硅片可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控制硅片两 面由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题，另外，抛光液直接由抛光轮表面的小孔供到硅 片表面，抛光时表面的抛光液更加均勻，可以有效地提高抛光后的表面平整度，既提高了生 产的效率，又提高了抛光片的成品率。为达到上述专利技术目的本技术采用以下技术方案一种大直径硅片抛光装置，它包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮 圈、位于游轮圈左侧的、由左传动部分带动的左抛光轮，位于游轮圈右侧的、由右传动部分 带动的右抛光轮，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫，抛光轮表面设有供抛光 液到硅片表面的孔，孔与内置于传动部分和抛光轮内的软管相通。所述的左、右抛光轮为抛光盘。抛光轮的材料为金属或陶瓷。抛光轮直径为150mm 250mm。抛光轮上供抛光液的孔的数量为1 50个。游轮圈材料为树脂。抛光液供液部分的管道材料为树脂。本技术的优点是该装置结构紧凑，硅片在抛光时处于垂直状态，硅片可以有 效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控制硅片表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题，既提高了生产的效率，又提高了抛光片的成品率。附图说明图Ia 目前双面抛光机的抛光示意图图lb:图Ia内部结构图图2 本技术的结构示意图图3 使用本技术时加工示意图图la、图Ib中，21为上大盘，22为下大盘，23为边缘齿轮，24为游轮片，25为硅片， 26为太阳轮。具体实施方式硅片抛光装置它包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游 轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5) 带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫(7)，抛光轮表面设 有供抛光液到硅片表面的小孔(加液孔)，孔与内置于传动部分和抛光轮内的软管(6)相 通，所述的软管与设备外面的抛光液供液部分相连。在抛光时游轮圈带动硅片(25)旋转，抛光液由左右传动部分中的抛光液管道和 抛光轮表面的小孔供到硅片的表面，左右抛光轮同时逆向旋转对硅片表面进行抛光，左右 抛光轮的转速和压力相同。由于抛光时硅片是垂直的，可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控 制硅片两面表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题。权利要求一种大直径硅片抛光装置，其特征在于它包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫(7)，抛光轮表面设有供抛光液到硅片表面的孔，孔与内置于传动部分和抛光轮内的软管(6)相通。2.按照权利要求1所要求的硅片抛光装置，其特征在于所述的左、右抛光轮为抛光3.按照权利要求1所要求的硅片抛光装置，其特征在于抛光轮的材料为金属或陶瓷。4.按照权利要求1所要求的硅片抛光装置，其特征在于抛光轮直径为150mm 250mmo5.按照权利要求1或4所要求的硅片抛光装置，其特征在于抛光轮上供抛光液的孔 的数量为1 50个。6.按照权利要求1所要求的硅片抛光装置，其特征在于游轮圈材料为树脂。7.按照权利要求1所要求的硅片抛光装置，其特征在于抛光液供液部分的管道材料 为树脂。专利摘要一种大直径硅片抛光装置，其特征在于它包括垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫(7)，抛光轮表面设有供抛光液到硅片表面的孔，孔与内置于传动部分和抛光轮内的软管(6)相通。本技术的优点是该装置结构紧凑，硅片在抛光时处于垂直状态，硅片可以有效地避免因自重而引起的形变，同时更容易控制硅片表面的几何参数，能解决由于硅片尺寸的增大而带来的抛光问题，既提高了生产的效率，又提高了抛光片的成品率。文档编号B24B57/02GK201711850SQ201020261749公开日2011年1月19日 申请日期2010年7月12日 优先权日2010年7月12日专利技术者常青, 库黎明, 索思卓, 闫志瑞, 鲁进军 申请人:北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大直径硅片抛光装置，其特征在于：它包括：垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈（３）、位于游轮圈左侧的、由左传动部分（２）带动的左抛光轮（１），位于游轮圈右侧的、由右传动部分（５）带动的右抛光轮（４），左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光的抛光垫（７），抛光轮表面设有供抛光液到硅片表面的孔，孔与内置于传动部分和抛光轮内的软管（６）相通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：库黎明，闫志瑞，索思卓，鲁进军，常青，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，有研半导体材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]