静电吸盘组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种静电吸盘组件，所述静电吸盘组件包括：外壳座、置于所述外壳座内的静电吸盘和支撑装置，所述静电吸盘与所述外壳座之间具有第一间隙，所述支撑装置包括支撑体和与所述支撑体连接的支撑脚，所述静电吸盘固定在所述支撑体上，所述支撑体与所述外壳座之间具有第二间隙，所述支撑脚的形状为倒圆台形，所述支撑脚与所述外壳座贴合。通过本实用新型专利技术提供的静电吸盘组件，将不需要调整静电吸盘的边缘与外壳座间的距离，避免了调整静电吸盘的边缘与外壳座间的距离产生的调整困难、浪费时间和伤害静电吸盘的问题。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种静电吸盘组件。
技术介绍
在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化层等。对于小图形，其分辨率受晶圆表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对淀积薄膜的质量要求也越来越高，其厚度的均勻性不仅会影响到下步工艺的正常进行，也会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。所谓淀积是指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程，薄膜淀积的方法有化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)法两大类。其中，化学气相沉积是将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应室，并在所述反应室中发生反应，其原子或分子淀积在晶圆表面，聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高真空、便于制备复本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种静电吸盘组件，其特征在于，包括：外壳座、置于所述外壳座内的静电吸盘和支撑装置，所述静电吸盘与所述外壳座之间具有第一间隙，所述支撑装置包括支撑体和与所述支撑体连接的支撑脚，所述静电吸盘固定在所述支撑体上，所述支撑体与所述外壳座之间具有第二间隙，所述支撑脚的形状为倒圆台形，所述支撑脚与所述外壳座贴合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31