静电吸盘及静电吸盘的制造方法技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有：突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，用激光显微镜求出的所述主面中的干涉条纹占有面积率小于1%。可以提供一种静电吸盘及静电吸盘的制造方法，可抑制产生颗粒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术方式涉及一种通常的。
技术介绍
在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition :化学气相沉积)、派射、离子注入、灰化、曝光、检查等的基板处理装置中，作为吸附保持被吸附物(半导体晶片、玻璃基板等)的单元使用静电吸盘。在此，当静电吸盘的载置面和被吸附物互相摩擦时有可能会产生颗粒。而且，当静电吸盘的载置面和被吸附物的接触面积变大时被吸附物的吸附脱离响应性有可能会变差。因此，公知有如下技术，通过在静电吸盘的载置面侧设置突起部而减小接触面积，从而实现抑制颗粒污染并提高被吸附物的吸附脱离响应性。而且，提出有如下技术，在静电吸盘的载置面侧设置突起部的同时，对突起部的顶面进行抛光，从而在顶面上形成表面粗糙度Ra为0. 25S以下的平坦面(参照专利文献I)。 该专利文献I所公开的技术通过对突起部的顶面、侧面以及突起部周围的平面部(凹部的底面)进行镜面研磨，从而即使在被吸附物的背面与这些部分接触时也能抑制产生颗粒(参照专利文献I的、、等)。但是，在专利文献I所公开的技术中，利用喷砂法形成突起部。因此，有时在突起部的表面区域、平面部的表面区域内产生裂纹等的缺陷部。这种缺陷部内在于表面区域内时，则表面区域的一部分有可能以缺陷部为基点而脱离从而产生颗粒。尤其是近年存在如下倾向，即附着于被吸附物背面等的颗粒数的限制变得严格。因此，如果无法使内在于表面区域内的缺陷部减少，则有可能无法应对颗粒数的限制。这种内在于表面区域内的缺陷部无法从外部直接看到。S卩，以往针对缺陷部的定量评价较为困难。而且，内在于表面区域内的缺陷部无法用专利文献I所公开的抛光法除去，利用磨具加工法、激光雕刻法、喷丸法等时还有可能进一步使缺陷部增加。而且，没有考虑关于构成突起部的顶面、侧面以及突起部周围的平面部的材料的晶粒径，还有可能使颗粒增加。专利文献1:日本国特开2003-86664号公报
技术实现思路
本专利技术方式是基于上述课题的认识而进行的，提供一种,可抑制产生颗粒。第I专利技术是一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，用激光显微镜求出的所述主面中的干涉条纹占有面积率小于1%。根据该静电吸盘，由于干涉条纹占有面积率小于1%，因此可以使因表面区域的一部分脱离而产生的颗粒数大幅度下降。第2专利技术是一种静电吸盘，在第I专利技术中，其特征在于，所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径比所述突起部的高度尺寸小。根据该静电吸盘，可抑制晶粒从电介体基板脱落。而且，假使晶粒脱落，也能抑制突起部的形状改变。第3专利技术是一种静电吸盘，在第2专利技术中，其特征在于，所述平均粒径为1. 5 y m以下。根据该静电吸盘，可以更加切实地抑制晶粒从电介体基板脱落。而且，假使晶粒脱落，也能抑制突起部的形状改变。第4专利技术是一种静电吸盘，在第2专利技术中，其特征在于，所述晶粒的粒径分布的标准偏差为I U m以下。根据该静电吸盘，可以更加切实地抑制晶粒从电介体基板脱落。而且，假使晶粒脱落，也能抑制突起部的形状改变。第5专利技术是一种静电吸盘，在第I专利技术中，其特征在于，所述电介体基板由多晶氧化铝烧结体形成，假密度为3. 96以上。根据该静电吸盘，由于可以使作为基底的多晶氧化铝烧结体成为致密的组织，因此可以更加切实地抑制晶粒从电介体基板脱落。第6专利技术是一种静电吸盘，`在第I专利技术中，其特征在于，所述电介体基板由多晶氧化招烧结体形成，氧化招含有率为99. 9wt%以上。根据该静电吸盘，由于可以使作为基底的多晶氧化铝烧结体成为致密的组织，因此可以更加切实地抑制晶粒从电介体基板脱落。第7专利技术是一种静电吸盘，在第I专利技术中，其特征在于，所述电介体基板的体积电阻率在静电吸盘的使用温度区域内为IO8Qcm以上、IO13 Q cm以下。这种静电吸盘利用约翰逊 拉别克力吸附被吸附物。如果利用约翰逊 拉别克力，则与利用库仑力时相比吸附力变强，但是即使在这种静电吸盘的情况下，也能够使颗粒的产生大幅度减少。第8专利技术是一种静电吸盘，在第7专利技术中，其特征在于，所述电介体基板由多晶氧化招烧结体形成，氧化招含有率为99. 4wt%以上。如果是由这种高纯度的氧化铝形成的电介体基板，则可以抑制氧化铝以外的物质引起的污染。第9专利技术是一种静电吸盘的制造方法，是具备电介体基板的静电吸盘的制造方法，该电介体基板具有突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，持续进行所述主面的加工直至用激光显微镜求出的所述主面中的干涉条纹占有面积率变为小于1%。根据该静电吸盘的制造方法，由于使干涉条纹占有面积率小于1%，因此可以使因表面区域的一部分脱离而产生的颗粒数大幅度下降。根据本专利技术方式，提供一种，可抑制产生颗粒。附图说明图1 (a)是用于例示静电吸盘的模式剖视图，(b)是(a)中的A部分的模式放大图。图2是用于例示突起部和平面部的表面特性、截面形状等的曲线图。图3是用于例示形成在突起部的顶面上的细微凹部的激光显微镜照片。图4是用于例示形成在平坦部上的细微凹部的扫描型电子显微镜照片。图5是用于例示使顶面为平坦面时的激光显微镜照片。图6是用于例示形成在顶面3al上的凹部13a的形状的图；(a)是凹部13a的三维图像，(b)、(c)是用于例示凹部13a的轮廓的图。图7是用于例示形成在平坦部3b2上的凹部13b的形状的图；(a)是凹部13b的三维图像，(b)、(c)是用于例示凹部13b的轮廓的图。图8是用于例示在平面部上开口的孔的深度尺寸的曲线图。图9是用于例示细微凹部的长度测定的激光显微镜照片。图10是用于例示露出在多晶陶瓷烧结体表面上的晶粒的长度测定的激光显微镜照片。图11是用于例示电介体基板的表面区域中产生的裂纹的扫描型电子显微镜照片。 图12是用于例示表面区域的一部分将要脱离的状态的扫描型电子显微镜照片。图13 (a)是用于例示缺陷部所内在的部分上产生的干涉条纹的激光显微镜照片，(b)是(a)中的B-B线截面的扫描型电子显微镜(SEM !Scanning Electron Microscope)照片，而且，(c)是(b)中的D部分的放大照片，(d)是与(a)相同的部分的扫描型电子显微镜照片。图14 (a)是用于例示缺陷部所内在的部分上产生的干涉条纹的激光显微镜照片，(b)是(a)中的C-C线截面的扫描型电子显微镜照片。图15是用于例示进行了二值化处理的图像的照片。图16是用于例示用CMP法除去缺陷部的状态的曲线图。图17是用于例示用CMP法除去缺陷部之前的状态的曲线图。图18是用于例示用CMP法除去缺陷部的状态的曲线图。图19是用于例示用CMP法除去缺陷部之前的状态的曲线图。图20 Ca)是晶粒的平均粒径为1. 8iim左右的情况，(b)是晶粒的平均粒径为1. 4iim左右的情况。图21是用于例示通过激光显微镜拍摄的多晶陶瓷烧结体的照片。图22是用于例示晶粒的平均粒径和粒径分布的标准偏差的曲线图。图23是用于例示晶粒的平均粒径和粒径分布的标准偏差的曲线图。图24是用于例示细微凹部的深度测定的图；(a)是用于例示测定值曲线的曲线图，(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.11 JP 2010-180605;2011.08.04 JP 2011-171011.一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，用激光显微镜求出的所述主面中的干涉条纹占有面积率小于1%。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述多晶陶瓷烧结体的晶粒的平均粒径比所述突起部的高度尺寸小。3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述平均粒径为1.5μπι以下。4.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述晶粒的粒径分布的标准偏差为Iym以下。5.根据权利要求1所述的静电吸盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川佳津子，米澤顺治，青岛利裕，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：
国别省市：