含氧半导体薄膜晶体管的制作方法及显示装置的制作方法制造方法及图纸

一种含氧半导体薄膜晶体管(oxide?thin?film?transistor，OTFT)的制作方法，其利用沉积工艺形成薄膜晶体管的含氧半导体活性层，其中进行沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于1.5千瓦至10千瓦之间。由此方法制作的含氧半导体薄膜晶体管具有低漏电、高电子移动性以及良好温度稳定性等优点。本发明专利技术还涉及一种显示装置的制作方法，能有效提升显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管的制作方法，且特别涉及一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管显示装置的制作方法。
技术介绍
目前，液晶显示装置(liquid crystal display)、电泳显示装置 (electrophoretic display)、有机发光^极管显不装置(organic light emittingdiode display)等薄膜晶体管显示装置的应用愈来愈广泛。为提升显示装置的显示品质，作为显示装置核心结构的薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)的结构及工艺技术的研究与发展一直以来都为人们所关注。传统薄膜晶体管一般采用非晶硅(amorphous silicon, a-Si)作为活性层，然而， 此种薄膜晶体管具有例如漏电高，电子移动性低以及不能将部分集成电路功能直接形成在基材上等缺点，因而已经无法满足高品质显示装置的需要。为改善上述问题，业界开发出采用低温多晶硅(lowtemperature polysilicon, LTPS)作为活性层的薄膜晶体管，然而由于制作低温多晶硅的工艺困难以及成品率低下，目前仍难以广泛应用。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种含氧半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：利用沉积工艺形成一个含氧半导体活性层，进行该沉积工艺时所用的气体的总流量大于１００标准状态毫升每分钟，所用的电功率介于１．５千瓦至１０千瓦之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：辛哲宏，王裕霖，舒芳安，蔡耀州，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71