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含氧半导体薄膜晶体管的制作方法及显示装置的制作方法制造方法及图纸
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文档序号:6864187
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一种含氧半导体薄膜晶体管(oxide?thin?film?transistor,OTFT)的制作方法,其利用沉积工艺形成薄膜晶体管的含氧半导体活性层,其中进行沉积工艺时所用的气体的总流量大于100标准状态毫升每分钟,所用的电功率介于1.5千...
该专利属于元太科技工业股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过元太科技工业股份有限公司授权不得商用。
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