薄膜晶体管及其制造方法技术

提供一种薄膜晶体管及其制造方法。其中，藉由光罩位移方式来图案化光阻层，使其可覆盖在部分的奥姆接触层上。然后，在移除暴露的奥姆接触层后，可缩短薄膜晶体管的信道长度以提高开启电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是一种有关于应用于液晶显示器的。
技术介绍
液晶显示器主要包含有薄膜晶体管、彩色滤光片以及液晶等组件，其中薄膜晶体管主要由栅极、栅介电层、源极与漏极所组成。当栅极被施加外加电压时，紧邻栅介电层的奥姆接触层会在源极与漏极间感应外加电压而形成信道让源极与漏极彼此导通。一般来说，信道长度会影响开电流的大小，因此，若欲提高开启电流，则需减少信道长度。在制造薄膜晶体管的过程中，一般需要数个微影蚀刻步骤以形成上述组件。但是因为曝光机精确度的限制，使得信道长度最短只能为3-4 μ m，而无法再缩短，进而局限了薄膜晶体管开启电流的大小。
技术实现思路
本专利技术的一态样是在提供一种藉由光罩位移方式来图案化光阻层，使其可覆盖在部分的奥姆接触层上。然后在移除暴露的奥姆接触层之后，可缩短薄膜晶体管的信道长度以提高开启电流。依据本专利技术一实施例，提供一种薄膜晶体管的制造方法，其步骤包括如下。在基板上形成薄膜晶体管，而薄膜晶体管包含有栅极、栅介电层、信道层、奥姆接触层、源极与漏极。然后，在薄膜晶体管上形成光阻层。接下来，往源极或漏极方向平移图案化源极与漏极所用的光罩，且平移距离小于源极与漏极之间的距离。接着，对光阻进行曝光显影制程。再来，移除露出的奥姆接触层以形成开口。其中，源极与漏极之间的距离大于开口的宽度，且开口宽度可为2-3 μπι。依据本专利技术另一实施例，提供一种薄膜晶体管结构，包括在基板上依序有栅极、 栅介电层、信道层、具有开口的奥姆接触层、源极与漏极。其中，源极与漏极之间的距离大于开口的宽度。此外，还可包含护层与像素电极。上述
技术实现思路
旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此
技术实现思路
并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要/关键组件或界定本专利技术的范围。在参阅下文实施方式后，本专利技术所属
中具有通常知识者当可轻易了解本专利技术的基本精神及其它专利技术目的，以及本专利技术所采用的技术手段与实施态样。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下图IA-图ID是绘示依照本专利技术一实施方式的薄膜晶体管的制造流程剖面结构示意图。图2是绘示依照本专利技术另一实施方式的薄膜晶体管的剖面结构示意图。 具体实施例方式依据上述，藉由光罩位移方式来图案化光阻层，使其可覆盖在部分的奥姆接触层上。然后，在移除暴露出的奥姆接触层后，可缩短薄膜晶体管的信道长度。在下面的叙述中， 将会介绍上述薄膜晶体管的例示制造方法及其例示结构。为了容易了解所述实施例之故， 下面将会提供不少技术细节。当然，并不是所有的实施例皆需要这些技术细节。同时，一些广为人知的结构或组件，仅会以示意的方式在图式中绘出，以适当地简化图式内容。下面将详述例示的薄膜晶体管的制造方法。请参照图1A-1D图，其绘示依照本专利技术一实施方式的一种薄膜晶体管的制造流程剖面结构示意图。如图IA图所示，先在基板100上依序形成栅极110、栅介电层112、信道层120与奥姆接触层122。栅极110材料可为铝、铜或其它适合的导电材料。形成栅极110的方法可先在基板100上沉积导电层，再以微影蚀刻制程来形成的。栅介电层112材料可为氧化硅或氮化硅。形成信道层120与奥姆接触层122的方法可在栅介电层112上依序沉积非晶硅层与掺杂非晶硅层之后，再藉由微影蚀刻制程来形成的。如图IB图所示，先在奥姆接触层122及栅介电层112上形成源极130与漏极132。 源极130与漏极132的材料可为铝、铜或其它适合的导电材料。形成源极130与漏极132 的方法可在奥姆接触层122及栅介电层112上先沉积导电层，再以微影蚀刻制程来形成的。 具体来说，由于微影制程所用曝光机精确度的限制，使得源极130与漏极132之间的距离约在3-4 μπι之间。接着，在奥姆接触层122、源极130与漏极132上形成图案化的光阻层140以覆盖部分奥姆接触层122。形成图案化的光阻层140的方法可先形成光阻层140，接着使用图案化源极130与漏极132所用的光罩朝漏极132的方向位移一适当距离后以进行曝光显影的制程。因此，留下的光阻层140会覆盖住部分的奥姆接触层122，而仍有部分的奥姆接触层 122维持原本露出的状态。所以，可缩短露出的奥姆接触层122的长度。具体来说，上述奥姆接触层122被光阻层140覆盖的长度约为1 μ m左右。如图IC图所示，移除露出的奥姆接触层122以形成开口 124，而可电性隔离源极 130与漏极132。移除奥姆接触层122的方法可为干蚀刻法。具体来说，开口 IM下方的信道长度约为2-3 ym0如图ID图所示，在源极130、漏极132、奥姆接触层122及栅介电层112上形成护层 150，并在护层150中形成接触窗152，以暴露部分漏极132的上表面。然后，在接触窗152 中及护层150上形成像素电极160，使像素电极160可与漏极132电性连接。护层150的材料例如可为氧化硅或氮化硅。像素电极160的材料可为透明导电材料，例如铟锡氧化物。图2是绘示依照本专利技术另一实施方式的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图。在图 2中，可见到奥姆接触层122中的开口 IM的位置靠近源极130处。此结构的制造方法详述如下首先，形成图IA图的结构，再于奥姆接触层122及栅介电层112上形成源极130与漏极132。接着，形成图案化的光阻层140，形成的方法是利用源极130与漏极132所用的光罩往源极130方向位移一段距离后，再进行微影蚀刻制程，以制造靠近源极130的开口 124。 然后，在源极130、漏极132、奥姆接触层122及栅介电层112上形成护层150，并在护层1504中形成接触窗152。最后，在接触窗152中形成像素电极160。下面将详述例示的薄膜晶体管结构。如图ID图与图2所示，其是分别绘示依照本专利技术一实施方式的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图。此薄膜晶体管可依序包括基板100、 栅极110、栅介电层112、信道层120、奥姆接触层122、源极130与漏极132。此外，还可包含有护层150及像素电极160。在基板100上设置栅极110。上述基板100可为玻璃基板或石英基板。栅极110 的材料可为铝、铜或其它习知的导电材料。在栅极110上设置栅介电层112。栅介电层112材料可为氧化硅或氮化硅。在栅介电层112上设置信道层120与奥姆接触层122。其中奥姆接触层122中具有开口 124.在奥姆接触层122上设置源极130与漏极132。源极130与漏极132的材料可为铝、铜或其它适合的导电材料。而上述开口 1 位在源极130与漏极132间，且源极130与漏极132间的间距大于开口 IM的宽度。其例示结构如图ID图所示，其开口 1 较靠近漏极132，也就是开口 IM与源极130间的间距大于开口 IM与漏极132间的间距。另一例示结构如图2所示，其开口 IM较靠近源极130，也就是开口 IM与源极130间的间距小于开口 124与漏极132间的间距。此外，可在栅介电层112、奥姆接触层122、源极130与漏极132上形成护层150，且护层150中具有接触窗152。护层150材料可为氧化硅或氮化硅。然后，在接触窗152中及护层150上形成像本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含：形成一薄膜晶体管于一基板上，该薄膜晶体管包含一栅极、一栅介电层、一信道层、一奥姆接触层、一源极及一漏极；形成一光阻层于该薄膜晶体管上；往该源极方向或该漏极方向平移图案化该源极与该漏极所用的光罩，平移的距离小于该源极与该漏极间的距离；对该光阻层进行一曝光显影制程；移除露出的该奥姆接触层以形成一开口，其中该源极及该漏极之间的距离大于该开口的宽度；以及移除该光阻层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高金字，吴国伟，杨崇明，
申请(专利权)人：华映视讯吴江有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32