阵列基板制造方法技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板的制造方法，包括：提供基板，在其上沉积并刻蚀第一金属层，形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极；在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成并刻蚀绝缘层，在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔；在所述绝缘层上方沉积并刻蚀第二金属层形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极，所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极；将第一短路线刻蚀断开。所述方法从第一道工艺开始对X射线探测器进行静电放电保护，没有增加工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是具有静电保护的。
技术介绍
现代医学的发展完全改了人们的生活，很多病症可以在初期就得以知晓而赢得最佳治疗时间，器官的病变可以清晰看见，这都离不开医疗影像技术例如是X射线透射技术。 随着科技的发展，X射线透射技术已经走向数字化，数字式X射线技术中最为人们关注的测试仪器是X射线探测器。请参考图1，图1是现有的X射线探测器的阵列基板电路结构示意图。所述阵列基板包括玻璃基板(未示出)，所述玻璃基板上包括显示区域101，显示区域101以外的区域为外围区域。所述显示区域包括若干像素单元，每个像素单元包括一个光电二极管1012 和与光电二极管1012的阴极相连的薄膜晶体管1011。所述阵列基板上还具有多条扫描线 1013与数据线1014，所述扫描线1013与数据线1014相互垂直分布，其中每一个像素单元的薄膜晶体管1011由对应的扫描线1013与数据线1014所控制。所述扫描线1013或数据线1014在位于非显示区域的外围处理电路的控制下工作。所述光电二极管1012用于光电转换，所述薄膜晶体管1011作为光电二极管1011的控制开关，在所述扫描线1013的驱动下，经过数据线将光电二极管输出的电信号转移至外围处理电路。由外围处理电路对所述电信号进行处理后输出。在X射线探测器的阵列基板制作过程中，由于某些外在因素，例如连续的制程操作、搬运或者环境变化等，通常会在面板上产生静电荷的积累。由于玻璃本身是绝缘物质， 因此除非有适当的放电通道，否则静电荷会一直停留在玻璃基板表面。当静电荷积累到一定数量之后，将会产生放电(ESD，Electrostatic Discharge) 0静电放电发生的时间很短， 大量的电荷在很短的时间内发生转移将产生极高的电流从而将导致阵列基板上的电路或者基板本身遭到破坏。现有技术为了避免出现静电放电，一般采用将X射线探测器内的所有金属电极用短路线(short bar)与静电放电保护电极连接在一起，将静电放电保护电极接地，所述静电荷通过短路线以及静电放电保护电极释放。在X射线探测器的阵列基板制作完成后，用激光切线设备将短路线切除。所述静电放电保护的方法需要专用的激光切线设备，通常所述激光切线设备价格昂贵。同时所述静电放电保护的方法还需要增加多余的制造步骤，而增加工艺步骤会增加平板型非晶硅X射线探测器的制造成本。因此，现有技术一般是在制造 X射线探测器的阵列基板的过程中形成静电放电保护装置。如专利号为US7217591B2的美国专利提供了 X射线探测器的阵列基板的的制造方法。下面将对所述阵列基板的制造方法进行说明。图2至图6是现有技术阵列基板的制造方法俯视示意图。首先，参考图2，并结合图7，图7是图2沿AA线的剖面结构示意图。提供基板100， 所述基板100为玻璃基板。然后，在所述基板100上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行刻蚀，形成第一金属互联线101。接着，参考图3，并结合图8，图8是图3沿AA线的剖面结构示意图。在所述基板 100上形成绝缘层102，所述绝缘层102位于所述第一金属互联线101上方，并且具有过孔 103，所述过孔103露出所述第一金属互联线101。然后，参考图4，并结合图9，图9是图4沿AA线的剖面结构示意图。在所述绝缘层102上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行刻蚀，形成第二金属互联线104、静电放电保护电极106、短路线105，所述短路线105的两端分别连接静电放电保护电极106与所述第二金属互联线104，所述静电放电保护电极106通常接地。所述第二金属互联线104 在过孔103处与第一金属互联线101接触，以便于后续形成焊接垫(bonding pad)，同时短路线105与静电放电保护电极106构成了静电放电路径，后续制程中的静电荷通过短路线 105、静电放电保护电极106释放。然后，参考图5，并结合图10，图10是图5沿AA线的剖面结构示意图。在所述第二金属互联线104、静电放电保护电极106、短路线105上方沉积形成钝化层107，所述钝化层107在所述短路线105上方具有过孔108，所述过孔108露出短路线105。最后，参考图6，并结合图11，图11是图6沿AA线的剖面结构示意图。对过孔108 下方的部分短路线105进行刻蚀，露出基底100，短路线105移除，静电放电路径与X射线探测器的阵列基板断开。上述方法在第二层金属刻蚀以后形成的静电放电保护电极106、短路线105为后续的制造工艺中的基板及基板上的器件提供了静电放电保护，但是，第二层金属及其以前的制造工艺中基板以及基板上的器件没有受到保护。因此，需要一种新的，能够对第一道工艺就对基板和基板上的器件进行静电保护。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供了一种，能够对第一道工艺就对基板和基板上的器件进行静电保护。为了解决上述问题，本专利技术提供一种具有静电保护的阵列基板的制造方法，所述方法包括提供基板，在所述基板上沉积第一金属层；对所述第一金属层进行刻蚀，形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极，所述第一短路线连接第一金属互联线和第一静电放电保护电极；在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀，在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔； 在所述绝缘层上方沉积第二金属层； 对所述第二金属层进行刻蚀，形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极，所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极；通过所述第一短路线上的过孔对所述第一短路线进行刻蚀，将所述第一短路线刻蚀断开。可选的，将所述第一短路线刻蚀断开和对第二金属层的刻蚀在同一刻蚀过程中完成。可选的，所述第一短路线与所述第二短路线相互错开。可选的，所述阵列基板为X射线探测器阵列基板。可选的，所述形成以及刻蚀所述第一金属层利用的是X射线探测器阵列基板制作过程中形成薄膜晶体管栅极的步骤，所述第一金属互联线电连接所述薄膜晶体管栅极。可选的，所述第一金属层是通过物理气相沉积的方法形成的。可选的，对所述第一金属层的刻蚀包括湿法刻蚀。可选的，所述形成以及刻蚀所述绝缘层是X射线探测器阵列基板制作过程中形成绝缘层和刻蚀绝缘层的步骤。 可选的，所述对所述绝缘层的刻蚀包括干法刻蚀。可选的，所述绝缘层材料为氮化硅。可选的，所述形成以及刻蚀所述第二金属层利用的是X射线探测器阵列基板制作过程中形成薄膜晶体管的源漏极和光电二极管底层金属的步骤。可选的，所述对第二金属层的刻蚀包括湿法刻蚀。可选的，所述阵列基板的制造方法还包括在所述第二金属互联线、第二短路线、第二静电放电保护电极上形成钝化层；对所述钝化层进行刻蚀，在所述第二短路线上方的钝化层内形成过孔；在钝化层上方沉积第三层金属；对所述第三层金属进行刻蚀；通过第二短路线上方的过孔对所述第二短路线进行刻蚀，将所述第二短路线刻蚀断开。可选的，将所述第二短路线刻蚀断开和对第三金属层的刻蚀在同一刻蚀过程中完成。可选的，将所述第二短路线刻蚀断开和将所述第一短路线刻蚀断开在同一刻蚀过程中完成。可选的，所述形成以及刻蚀所述钝化层是X射线探测器阵列基板制作过程中形成钝本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有静电保护的阵列基板制造方法，所述方法包括：提供基板，在所述基板上沉积第一金属层；对所述第一金属层进行刻蚀，形成第一金属互联线、第一短路线、第一静电放电保护电极，所述第一短路线连接第一金属互联线和第一静电放电保护电极；在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方形成绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀，在所述第一短路线、第一金属互联线、第一静电放电保护电极上方的绝缘层分别形成过孔；在所述绝缘层上方沉积第二金属层；对所述第二金属层进行刻蚀，形成通过过孔与第一金属互联线电连接的第二金属互联线、第二短路线、通过过孔与第一静电放电保护电极的第二静电放电保护电极，所述第二短路线连接第二金属互联线和第二静电放电保护电极；通过所述第一短路线上的过孔对所述第一短路线进行刻蚀，将所述第一短路线刻蚀断开。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金利波，邱承彬，夏军，李懿馨，凌严，于祥国，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31