【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种直拉单晶炉坩埚旋转与升降机构，属于单晶硅的生产制造设备领域。
技术介绍
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，目前单晶硅的生长技术有两种区熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法制造单晶硅时，要将多晶料置于石英坩埚中，经过高温加热使其熔化，然后籽晶由顶部降下至熔化的多晶硅中，通过控制液面的温度，使熔化的多晶硅在籽晶周围重新结晶，生成排列整齐的单晶硅棒。在这一过程中，目前普遍采用的直拉单晶炉，其放置多晶料的石英坩埚只能进行升降运动以保证籽晶与熔化的多晶硅液面始终接触，坩埚无法实现旋转运动，导致晶体在生长过程中原料组分偏聚而产生熔体老化现象，进而导致晶体生长失败，严重影响产品的生长成功率。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种直拉单晶炉坩埚旋转与升降机构，能够有效防止晶体生长过程中原料的熔体老化现象，大大提高了单晶炉晶体生长的成功率。本技术的目的是这样实现的一种直拉单晶炉坩埚旋转与升降机构，其特点是它包括坩埚旋转机构和坩埚升降机构，所述坩埚升降机构包括坩埚支架和支架，所述坩埚支架上设置有坩埚轴承座，所述坩埚轴承座设置有坩埚轴所述支架上竖直设置有丝杠和导轨，所述导轨上设置有滑块，导轨顶部设置有挡板，坩埚支架和滑块之间设置有连接块和螺栓，坩埚支架和滑块通过连接块和螺栓连接在一起，所述丝杠下端与蜗轮减速器输出端相连接，蜗轮减速器下方设置有底座，所述蜗轮减速器采用双输入轴的方式，蜗轮减速器的一个输入端依次连接有离合器、谐波减速器和电机II，蜗轮减速器的另一个输入端连接有手轮，所述坩埚旋转机构包括旋转支架...
【技术保护点】
１． 一种直拉单晶炉坩埚旋转与升降机构，其特征在于：它包括坩埚旋转机构和坩埚升降机构，所述坩埚升降机构包括坩埚支架（３）和支架（１５），所述坩埚支架（３）上设置有坩埚轴承座（２），所述坩埚轴承座（２）设置有坩埚轴（８），所述支架（１５）上竖直设置有丝杠（１７）和导轨（１８），所述导轨（１８）上设置有滑块（１），导轨（１８）顶部设置有挡板（１６），坩埚支架（３）和滑块（１）通过连接块（１９）和螺栓（２０）连接在一起，所述丝杠（１７）下端与蜗轮减速器（１０）输出端相连接，蜗轮减速器（１０）下方设置有底座（１４），所述蜗轮减速器（１０）采用双输入轴的方式，蜗轮减速器（１０）的一个输入轴依次连接有离合器（１１）、谐波减速器（１２）和电机ＩＩ（１３），蜗轮减速器（１０）的另一个输入轴连接有手轮（９），所述坩埚旋转机构包括旋转支架（６），旋转支架（６）上设置有电机Ｉ（４），所述电机Ｉ（４）下方连接有行星减速器（５），行星减速器（５）与坩埚轴（８）之间设置有带轮机构（７），旋转支架（６）通过螺栓（２０）与坩埚支架（３）连接。
【技术特征摘要】
1. 一种直拉单晶炉坩埚旋转与升降机构，其特征在于它包括坩埚旋转机构和坩埚升降机构，所述坩埚升降机构包括坩埚支架(3)和支架(15)，所述坩埚支架(3)上设置有坩埚轴承座O)，所述坩埚轴承座( 设置有坩埚轴(8)，所述支架(1 上竖直设置有丝杠(17) 和导轨(18)，所述导轨(18)上设置有滑块(1)，导轨(18)顶部设置有挡板(16)，坩埚支架 (3)和滑块(1)通过连接块(19)和螺栓00)连接在一起，所述丝杠(17)下端与蜗轮减速器 (10)输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：査建洪，施宇峰，査如德，
申请(专利权)人：江阴市华英光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32
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