研磨垫修整器制造技术

本实用新型专利技术的研磨垫修整器包括固定基座，其特征在于，在所述固定基座内、沿所述固定基座的圆周开设一导流槽，在所述导流槽与所述固定基座的内侧壁之间设有多个喷射孔，至少一管路与所述导流槽相连，所述管路的一端设有水阀，该水阀由控制器控制。本实用新型专利技术的研磨垫修整器具有自清洗功能，能方便、及时清洗其头部结构内的结晶体。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学机械研磨设备，尤其涉及一种研磨垫修整器。
技术介绍
在化学机械研磨(chemicalmechanical polishing，CMP)制程中，研磨头 (polishing head)吸附住晶圆背面，晶圆正面被压在研磨垫(pad)的研磨表面上，研磨液 (slurry)置于晶圆正面与研磨垫研磨表面之间，通过晶圆正面与研磨垫研磨表面之间的相对运动将晶圆正面平坦化。在研磨过程中，研磨垫的刷毛会损耗、变形，另外，研磨垫的研磨表面上会堆积晶圆被磨除的物质以及研磨液中的研磨颗粒，这些微粒子将填满、堵塞研磨表面上的微孔洞，使研磨垫失去研磨能力，而且，堆积在研磨表面上的微粒子容易刮伤晶圆正面。业界引入研磨垫修整器对研磨垫的研磨表面进行修整，有效在研磨垫上产生切削以及移除填塞微粒子的能力，去除残留在研磨表面上的微粒子，使研磨垫的研磨表面能重新回复到较理想的状态。图1所示为现有技术中研磨垫修整器的头部结构，该头部结构包括旋转基座101， 设置在所述旋转基座101底端的橡胶密封环102，中间连杆103设置在所述旋转基座101的下方，该中间连杆103的顶端通过连接部件104与所述旋转基座101连接，研磨托盘105与所述中间连杆103的底端连接，固定基座106设置在所述旋转基座101的外围，该固定基座 106通过旋转轴承107与所述旋转基座101连接。在修整研磨垫的过程中，设置在所述研磨托盘105底端的钻石盘(图1中未示)压抵在研磨垫的研磨表面上，所述旋转基座101的旋转运动带动所述固定基座106和研磨托盘105 —起旋转，进而带动所述钻石盘旋转，研磨垫修整器正是利用所述钻石盘相对研磨表面的旋转运动去除残留在研磨表面上的微粒子。研磨垫修整器修整研磨垫的过程中，一些夹杂残留微粒子的液体被溅射到所述研磨托盘105的表面上，甚至是所述中间连杆103的表面上，被溅射的液体会结晶凝结在所述研磨托盘105和中间连杆103的表面上，由于这些结晶体藏在研磨垫修整器的头部结构内部，不易被冲洗掉，因而，这些结晶体在后面的研磨过程中成为刮伤晶圆表面微粒子的来源。现有技术中，通过拆开研磨垫修整器的头部结构来清洗这些结晶体，这种清洗方式既不方便，又不能及时处理(通常每个月清洗一次)。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种研磨垫修整器，具有自清洗功能，能方便、及时清洗其头部结构内的结晶体。为了达到上述的目的，本技术提供一种研磨垫修整器，包括固定基座，在所述固定基座内、沿所述固定基座的圆周开设一导流槽，在所述导流槽与所述固定基座的内侧壁之间设有多个喷射孔，至少一管路与所述导流槽相连，所述管路的一端设有水阀，该水阀由控制器控制。上述研磨垫修整器，其中，所述多个喷射孔沿所述固定基座的圆周均勻分布。上述研磨垫修整器，其中，所述喷射孔连通所述导流槽与所述固定基座的内侧壁， 且与所述固定基座的径向成一定夹角。上述研磨垫修整器，其中，所述导流槽呈环形。本技术研磨垫修整器在固定基座内设置导流槽和喷射孔，对头部结构的内部进行清洗，能有效去除残留在头部结构内部的结晶体；本技术研磨垫修整器在头部结构增设清洗装置，使研磨垫修整器具有自清洗功能，能方便、及时地对头部结构的内部进行清洗，且清洗过程省时省力。附图说明本技术的研磨垫修整器由以下的实施例及附图给出。图1是现有技术中研磨垫修整器的头部结构的剖视图。图2是本技术研磨垫修整器的剖视图。图3是本技术中固定基座的俯视图。具体实施方式以下将结合图2 图3对本技术的研磨垫修整器作进一步的详细描述。参见图2，本技术的研磨垫修整器包括旋转基座201、固定基座202、中间连杆 203、研磨托盘204和橡胶密封环205 ；所述固定基座202呈环状，该固定基座202设置在所述旋转基座201的外围，环绕所述旋转基座201 ；所述固定基座202的内侧壁通过旋转轴承206与所述旋转基座201的外侧壁连接，所述旋转基座201旋转时，带动所述固定基座202 —起旋转；所述橡胶密封环205设置在所述旋转基座201的底端；所述中间连杆203设置在所述旋转基座201的下方，该中间连杆203的顶端通过连接部件207与所述旋转基座201连接，该中间连杆203的底端连接所述研磨托盘204，所述研磨托盘204与所述中间连杆203垂直；在所述固定基座202内、沿所述固定基座202的圆周开设一环形导流槽301，该导流槽301用于盛装去离子水DIW ；由于所述导流槽301沿所述固定基座202的圆周开设，可使去离子水以环形分布于整个所述固定基座202内；所述导流槽301通过管路303与化学机械研磨设备的主机台(图2中未示)连接，所述主机台提供的去离子水经由所述管路303运输至所述导流槽301，图2只显示了部分管路；所述管路303在研磨垫修整器内的铺设方式与研磨垫修整器内的气管铺设方式相同(研磨垫修整器设有施压结构，所述施压结构通过气压对钻石盘施加压力，使钻石盘压抵在研磨垫的研磨表面上，气管用于输送产生气压的气体)；所述管路303的一端与所述导流槽301相连，其另一端与所述主机台连接，该管路 303连接所述主机台的一端设有水阀(图2中未示)，所述水阀的开闭由控制器控制(例如，4微处理器MCU或者可编程逻辑控制器PLC)，控制所述水阀的控制器就采用控制气管气阀的控制器；参见图3，在所述导流槽301与所述固定基座202的内侧壁之间设有多个喷射孔 302，所述喷射孔302连通所述导流槽301与所述固定基座202的内侧壁，所述喷射孔302 用于将所述导流槽301内的去离子水喷射出去；所述多个喷射孔302沿所述固定基座202的圆周均勻分布，且所述喷射孔302与所述固定基座202的径向成一定夹角；本技术研磨垫修整器的工作原理每研磨完一片晶圆，本技术研磨垫修整器就进行一次自清洗，清洗前，关闭研磨液开关阀，提升所述中间连杆203和研磨托盘 204，打开水阀，从所述多个喷射孔302里喷射出去离子水，对研磨垫修整器的头部结构的内部进行清洗，清洗过程是连续进行的，清洗时间根据实际情况预先设定，由控制器控制。本技术研磨垫修整器在固定基座内设置导流槽和喷射孔，对头部结构的内部进行清洗，能有效去除残留在头部结构内部的结晶体。本技术研磨垫修整器在头部结构增设清洗装置，使研磨垫修整器具有自清洗功能，能方便、及时地对头部结构的内部进行清洗，且清洗过程省时省力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种研磨垫修整器，包括固定基座，其特征在于，在所述固定基座内、沿所述固定基座的圆周开设一导流槽，在所述导流槽与所述固定基座的内侧壁之间设有多个喷射孔，至少一管路与所述导流槽相连，所述管路的一端设有水阀，该水阀由控制器控制。

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫修整器，包括固定基座，其特征在于，在所述固定基座内、沿所述固定基座的圆周开设一导流槽，在所述导流槽与所述固定基座的内侧壁之间设有多个喷射孔，至少一管路与所述导流槽相连，所述管路的一端设有水阀，该水阀由控制器控制。2.如权利要求1所述的研磨垫修...

【专利技术属性】
技术研发人员：高思玮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31