基板处理装置的壁面能量损失减少装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的基板处理装置的壁面能量损失减少装置，由于在腔室壁面的隅角部分设置能够使能量损失最小化的电容器以及隅角挡板，因此可使腔室中央部和壁面间的电位差最小化，由此减少腔室的壁面部位的能量损失，不仅能够提高等离子体产生量，还能够生成整体上更加均匀的等离子体，从而可改善工艺效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在腔室内产生等离子体来执行基板表面处理工艺的基板处理装置。
技术介绍
大规模集成电路(LSI=Large Scale Integrated Circuit)或平板显示装置(FPD Flat Panel Display)这样的电子器件，在制造过程中要对基板执行真空处理工艺。这种真空处理工艺是，向腔室内导入气体，通过高压放电产生等离子体，而且利用该等离子体的加速力使基板表面上的物质以物理方式喷溅(sputter)的方法，和利用等离子体的活性种以化学方式分解基板表面上的物质的方法。按照形成等离子体的方法，利用等离子体的基板处理技术可以分为等离子体蚀刻 (PE =Plasma肚ching)、反应离子蚀刻(RIE :Reactive Ion Etching)、磁增强反应离子蚀刻 (MERIE =Magneticaly Enhanced Reactive Ion Etching) >(ECR =Electron Cyclotron Resonance)、变换耦合等离子体(TCP ； Trans former Coupled Plasma)以及电感耦合等离子体(ICP dnductively Coupled Plasma)等。特别是，高密度等离子体的形成和玻璃(或者半导体)基板上的等离子体浓度的均勻性，对沉积或者蚀刻性能具有很大的影响。为此，变换多种方式开发了用于产生等离子体的方法，其中之一是电感耦合等离子体产生方式(ICP dnductively Coupled Plasma) 0这种电感耦合等离子体方式是，利用在电介质的外部缠绕线圈来改变电磁场时， 在线圈内部产生感应磁场、并且在反应腔室内形成由此产生的二次感应电流的原理，来产生高密度等离子体的方法。利用ICP方法的基板处理装置的结构通常是，在腔室的内部下侧具备搭载基板的下部电极，在腔室或者与该腔室接合的导引架的上部具备施加RF电源的天线，并且一边向腔室内供给反应气体、一边产生等离子体，从而能够执行基板表面处理工艺。但是，具有以往腔室结构的基板处理装置中，由于通过天线产生的磁场(Magnetic Field)和电场(Electrical Field)都在腔室壁面损失能量，因此，随着电位差变大，会不均勻地产生等离子体，从而存在工艺效率降低的问题。在随着平板显示装置等的大型化而引起腔室也大型化的趋势下，功率越大，这些问题越频繁地发生。以上说明的
技术介绍
内容是本申请的专利技术人为了导出本专利技术而拥有或者在本专利技术的导出过程中所学到的技术信息，不能说一定是本专利技术申请之前对一般公众公开的公知技术。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置的壁面能量损失减少装置，在腔室壁面的隅角部设置能够使能量损失最小化的电容器以及隅角挡板，使腔室中央部和壁面间的电位差最小化，从而减少在腔室壁面部位的能量损失，能够产生更加均勻的等离子体，提高工艺效率。为了实现上述课题，本专利技术涉及的基板处理装置的壁面能量损失减少装置，包括 内衬护板(liner protector)，设置在腔室的包含隅角部分的壁面上；以及电容器，被插入到贯穿所述腔室的壁而形成的孔中，与所述内衬护板的后方电连接。也可以是，所述腔室包括腔室主体和与该腔室主体的上部接合的导引架，所述内衬护板以及电容器被设置在所述导弓丨架上。也可以是，所述内衬护板被设置成以腔室的隅角部分为中心沿两侧壁面延伸，所述电容器被设置在所述腔室的隅角部分。另外，本专利技术涉及的基板处理装置的壁面能量损失减少装置，包括内衬护板，设置在包含腔室的隅角部分的腔室壁面上；电容器，在所述内衬护板中，从所述腔室的隅角部分的内衬护板的后方插入至贯穿腔室壁的孔中，与内衬护板电连接。优选的是，所述电容器是真空可变型电容器，此时，所述真空可变型电容器优选可在腔室的外部进行电容调节。优选的是，所述内衬护板包括所述内衬护板包括隅角部护板，以L形结构形成， 并且设置在腔室的隅角部；以及壁面护板，以平面状结构形成，并且设置在腔室的壁面上， 与所述隅角部护板组装。也可以是，所述内衬护板在铝材表面进行阳极氧化处理而构成。也可以是，所述电容器贯穿所述腔室的隅角部后与内衬护板的背面连接。也可以是，具有多个所述电容器，所述多个电容器以腔室的隅角部为中心在两侧壁面上分别与内衬护板的背面连接。也可以是，所述内衬护板在其背面突出有凸台，并且所述电容器通过螺纹组装方式连接在所述凸台上。将参照下面说明的实施专利技术的具体内容或者附图等示例，对如上所述的本专利技术主要课题的解决方法进行更具体明确的说明。此时，除了如上所述的主要课题的解决方法之外，会增加本专利技术涉及的多种课题解决方法进行说明。本专利技术涉及的基板处理装置的壁面能量损失减少装置，由于在腔室的壁面隅角部位设置能够使能量损失最小化的电容器以及隅角挡板，因此可使腔室中央部和壁面间的电位差最小化，由此减少在腔室壁面部位的能量损失，不仅能够提高等离子体产生量，还能够产生整体上更加均勻的等离子体，从而可改善工艺效率。附图说明图1是图示本专利技术涉及的基板处理装置的剖视图。图2是图示本专利技术涉及的基板处理装置的导引架的立体图。图3是示出在本专利技术涉及的基板处理装置的导引架上配置有天线的结构的一实施例的俯视图。图4是示出在本专利技术涉及的基板处理装置的导引架上配置有天线的结构的另一实施例的俯视图。图5是表示在本专利技术涉及的基板处理装置中示出工艺气体供给结构的导引架上部的主要部分立体图。图6是沿图5的A-A方向的剖视图。图7是表示在本专利技术涉及的基板处理装置中示出工艺气体喷射结构的中央窗口的底面方向的立体图。图8至图10是示出本专利技术涉及的基板处理装置中的工艺气体喷射结构的多个实施例的概略剖视图。图11是示出本专利技术涉及的基板处理装置中的天线冷却结构以及绝缘板加热结构的俯视图。图12是表示在本专利技术中用于天线冷却以及绝缘板加热的涡流发生器的剖视图。图13是沿图11的B-B方向的剖视图。图14是示出本专利技术中构成的天线的剖视图。图15是图示本专利技术涉及的基板处理装置中示出能量损失减少结构的一实施例的俯视图。图16是图示本专利技术涉及的基板处理装置中示出能量损失减少结构的另一实施例的俯视图。图17是表示图16的主要部分放大图。图18是表示与图17不同的另一实施例的主要部分放大图。图19是用于说明本专利技术的能量损失减少结构的效果的参考图。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的优选实施例。在说明本专利技术的多个实施例的结构时，对相同或类似的结构部分附予相同的附图标记，并省略重复说明。图1是图示本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的概略结构剖视图。本专利技术涉及的基板处理装置包括腔室主体11、设置在该腔室主体上且搭载基板 S的基板搭载台15及下部电极17、与所述腔室主体11的上部接合的导引架20、设置在该导引架20上的多个窗口 30、配置在这些窗口 30上的天线40及RF电源施加部50、以及向由腔室主体11和导引架20构成的腔室10内部供给工艺气体的工艺气体供给部60。详细说明如上所述的本专利技术涉及的基板处理装置的主要特征结构部分。首先，参照图2至图3说明导引架20。导引架20由四边框体结构形成，其内侧具有全部构成五个窗口 30的分隔结构。为此，导引架20包括构成四边本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基板处理装置的壁面能量损失减少装置，其特征在于，包括：内衬护板，设置在腔室的包含隅角部分的壁面上；以及电容器，被插入到贯穿所述腔室的壁而形成的孔中，与所述内衬护板的后方电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙亨圭，
申请(专利权)人：丽佳达普株式会社，
类型：发明
国别省市：KR