【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在腔室内产生等离子体来执行基板表面处理工艺的基板处理装置。
技术介绍
大规模集成电路(LSI=Large Scale Integrated Circuit)或平板显示装置(FPD Flat Panel Display)这样的电子器件，在制造过程中要对基板执行真空处理工艺。这种真空处理工艺是，向腔室内导入气体，通过高压放电产生等离子体，而且利用该等离子体的加速力使基板表面上的物质以物理方式喷溅(sputter)的方法，和利用等离子体的活性种以化学方式分解基板表面上的物质的方法。按照形成等离子体的方法，利用等离子体的基板处理技术可以分为等离子体蚀刻 (PE =Plasma肚ching)、反应离子蚀刻(RIE :Reactive Ion Etching)、磁增强反应离子蚀刻 (MERIE =Magneticaly Enhanced Reactive Ion Etching) >(ECR =Electron Cyclotron Resonance)、变换耦合等离子体(TCP ； Trans former Coupled Plasma)以及电感耦...
【技术保护点】
１．一种基板处理装置的壁面能量损失减少装置，其特征在于，包括：内衬护板，设置在腔室的包含隅角部分的壁面上；以及电容器，被插入到贯穿所述腔室的壁而形成的孔中，与所述内衬护板的后方电连接。
【技术特征摘要】
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