硅石坩埚制造技术

本发明专利技术涉及硅石坩埚。本发明专利技术提出用于通过在连接到吸气系统的多孔模具中熔化石英粉来制造硅石坩埚的方法和设备。所述模具围绕垂直轴旋转。通过形成电弧的电极在模具内部产生加热的气体等离子体。本发明专利技术方法包括：将石英粉熔化成致密硅石层，从在正形成的坩埚的内部面上形成致密硅石表层开始，在模具中，在第一等离子体强度下并且在第一吸气强度下获得表层；然后在第二等离子体强度下并且在第二吸气强度下，在正形成的坩埚的外部面上将石英粉熔化成多孔硅石层；装备有开口的盖被放置在模具上方；在形成致密硅石表层期间，电极穿过开口；在形成致密硅石表层期间，气流被迫穿过开口流向坩埚的内部。获得了在内面上没有多孔而在外部面上是多孔的坩埚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅石坩埚(creusets en si lice)的制造，该硅石坩埚尤其是可以用于半导体工业中的单晶硅的生长。
技术介绍
通过电弧来熔化石英粉是一种制造石英坩埚的非常普遍的方法。原材料被引入旋转的中空模具中，并且离心力可使石英粉分布和保持在该模具的壁上。多孔模具的使用和穿透该多孔模具的吸气(aspiration)也参与保持这些粉末。通过电弧进行加热随即使得可能实现熔化并因此制造坩埚。在制造这些坩埚期间出现的显著问题是在坩埚的接近内表面的壁中捕获气泡。特别地，在单晶生长期间，坩埚被轻微侵蚀。这种腐蚀导致坩埚中所捕获的气泡的打开，这引起气体和硅石粒子释放到硅浴中。这些杂质引起晶体的生长缺陷。因此需要避免在接近硅石坩埚的内表面处形成气泡。理想的是，避免在至少一毫米的深度上存在这些气泡，并且如果更可能的话，所述至少一毫米的深度是从坩埚的内表面测量的。相反地，位于朝向坩埚的外壁的气泡层的存在是期望的，因为这些气泡有助于硅石坩埚的热绝缘和硅浴的更均勻的加热。JP62-315113教导了在存在氦或氢的情况下对石英坩埚的制备。FR2726820也提出通过坩埚的侧壁来注入氦或氢。这种气本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于通过在连接到吸气系统的多孔模具中熔化石英粉来制造硅石坩埚的方法，所述模具围绕垂直轴旋转，通过形成电弧的电极在所述模具内部产生加热的气体等离子体，所述方法包括：－　将石英粉熔化成致密硅石层，从在正被形成的坩埚的内面上形成致密硅石表层开始，在模具中，在第一等离子体强度下并且在第一吸气强度下获得所述表层，然后－　在第二等离子体强度下并且在第二吸气强度下，在正被形成的坩埚的外部面上将石英粉熔化成多孔硅石层，第一等离子体强度大于第二等离子体强度，并且第一吸气强度大于第二吸气强度，装备有开口的盖被放置在所述模具上方，所述电极在形成致密硅石表层期间延伸通过所述开口，气流在形成致密硅石表层期间被迫...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JC吕克，
申请(专利权)人：JC吕克，
类型：发明
国别省市：FR