本发明专利技术公开了一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，是由块状高纯熔融石英原料和粒状高纯熔融石英原料组成，且两者的质量配比为(25:75)～(30:70)。本发明专利技术的熔融石英坩埚，其室温弯曲强度在17MPa以上，体积密度为1.85~1.98g/cm3，真密度为2.16~2.23g/cm3，线性膨胀系数为0.6×10-6/℃，气孔率为11%~14%；且坩埚的内部组织结构非常均匀，适当的气孔率既保证了坩埚的强度，又保证了很好的吸附性，提高了多晶硅铸锭的成品率；高纯熔融石英原料相对于石墨，可减少对多晶硅的污染、降低制造成本；能完全满足多晶硅铸锭的生产要求和规模化生产的需求，具有显著的市场价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种石英坩埚，具体说，是涉及一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚， 属于晶体生长器械
技术介绍
当今世界，随着能源危机、环境问题的不断加剧，世界各国对可再生能源进行了大量的研究。光电转换是利用太阳能的一种主要方式，它是利用半导体的光生伏打效应，直接将太阳能转换为电能。硅以其高储量性、制备工艺的相对成熟性、合适的能带结构、洁净无污染性及高的性能稳定性等优点，成为了光伏市场太阳能电池的主要材料。各种形态的硅电池总的市场占有率高达99%以上。就其晶体形态而言，主要有单晶硅、多晶硅及非晶硅3 大类。单晶硅电池转换效率高，但单晶硅拉制工艺复杂，对原料要求较高，最终成品电池成本较高。非晶硅电池成本低，但其效率也低，且性能稳定性差。而多晶硅转换效率适中，制造成本低，性能稳定。近年来，多晶硅太阳能电池正是以其高性价比的优势，得到了迅速的发展，市场占有率达50%以上。随着多晶硅等上游材料价格的回归，光伏发电的成本和传统发电成本之间差距进一步缩小，这也进一步促进了太阳能多晶硅的发展。太阳能多晶硅的迅猛发展，大大加快了多晶硅铸锭所使用的熔融石英坩埚的研究发展。目前，对于多晶硅铸锭所使用的熔融石英坩埚，业内都采用高纯石墨材料制作，自身制造成本较大；而且石墨坩埚结晶出的多晶硅铸锭，其含杂量较高，硅锭的有效收得率非常低，使用效果不理想，尚不能大规模生产应用。因此，研究开发一种新型的用于多晶硅铸锭所使用的熔融石英坩埚，具有十分重要的实际意义。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述现有技术中所存在的缺陷和问题，提供一种可减少对多晶硅的污染，降低制造成本，提高多晶硅铸锭的成品率，满足工业化生产要求的、用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚。本专利技术提供的用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，其特征在于由块状高纯熔融石英原料和粒状高纯熔融石英原料组成，且块状高纯熔融石英原料与粒状高纯熔融石英原料的质量配比为(25:75) (30:70)。所述的块状高纯熔融石英原料的外形几何尺寸小于60mm。所述的粒状高纯熔融石英原料的几何尺寸小于20mm。所述的高纯熔融石英原料的组分及各组分的质量百分含量为 二氧化硅>99. 75%氧化铝<2000ppm氧化铁<50ppm氧化钠<50ppm其它组分为原料中不可避免的杂质。与现有技术相比，本专利技术的熔融石英坩埚，其室温弯曲强度在17MPa以上，体积密度为1. 85 1. 98g/cm3，真密度为2. 16 2. 23g/cm3，线性膨胀系数为0. 6X 10_6 /°C，气孔率为 119Γ14%;且坩埚的内部组织结构非常均勻，适当的气孔率既保证了坩埚的强度，又保证了很好的吸附性，提高了多晶硅铸锭的成品率；高纯熔融石英原料相对于石墨，可减少对多晶硅的污染、降低制造成本。因此，本专利技术的熔融石英坩埚能完全满足多晶硅铸锭的生产要求和规模化生产的需求，具有显著的市场价值。具体实施方法下面结合实施例对本专利技术做进一步详细、完整地说明，但并不限制本专利技术的内容。实施例1将25重量份外形几何尺寸小于60mm的块状高纯熔融石英原料和75重量份几何尺寸小于20mm的粒状高纯熔融石英原料，投入球磨机中进行湿法研磨，研磨后的料浆粒径控制在 IOum 30umo将料浆导出球磨机后进行搅拌120小时，检查料浆的物理及化学性能；确认合格后再加入适量的干粉进行充分搅拌；搅拌均勻后转入浇注罐注入石膏模具中，在模具中静置10个小时后进行脱模。脱模后的熔融石英坩埚进行干燥，干燥温度控制在140°C。将干燥后的熔融石英坩埚放入窑炉内进行烧结，烧结的温度控制在1200°C，烧结时间为20小时，即得本专利技术的熔融石英坩埚。所用的块状及粒状高纯熔融石英原料的组分及各组分的质量百分含量为 二氧化硅>99. 75%氧化铝<2000ppm氧化铁<50ppm氧化钠<50ppm其它组分为原料中不可避免的杂质。实施例2将30重量份外形几何尺寸小于60mm的块状高纯熔融石英原料和70重量份几何尺寸小于20mm的粒状高纯熔融石英原料，投入球磨机中进行湿法研磨，研磨后的料浆粒径控制在 IOum 50umo其余内容与实施例1中所述相同。实施例3将28重量份外形几何尺寸小于60mm的块状高纯熔融石英原料和72重量份几何尺寸小于20mm的粒状高纯熔融石英原料，投入球磨机中进行湿法研磨，研磨后的料浆粒径控制在 IOum 50umo其余内容与实施例1中所述相同。经性能检测得知上述实施例得到的熔融石英坩埚，其室温弯曲强度均在17MPa 以上，体积密度为1. 85 1. 98g/cm3,真密度为2. 16 2. 23g/cm3,线性膨胀系数为 0.6X10_6/°C，气孔率为11% 14%，具有非常良好的强度和致密性，完全能满足多晶硅铸锭的使用要求。权利要求1.一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，其特征在于由块状高纯熔融石英原料和粒状高纯熔融石英原料组成，且块状高纯熔融石英原料与粒状高纯熔融石英原料的质量配比为(25:75) (30:70)。2.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，其特征在于所述的块状高纯熔融石英原料的外形几何尺寸小于60mm。3.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，其特征在于所述的粒状高纯熔融石英原料的几何尺寸小于20mm。4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，其特征在于， 所述的高纯熔融石英原料的组分及各组分的质量百分含量为二氧化硅>99. 75%氧化铝<2000ppm氧化铁<50ppm氧化钠<50ppm其它组分为原料中不可避免的杂质。全文摘要本专利技术公开了一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，是由块状高纯熔融石英原料和粒状高纯熔融石英原料组成，且两者的质量配比为(25:75)～(30:70)。本专利技术的熔融石英坩埚，其室温弯曲强度在17MPa以上，体积密度为1.85~1.98g/cm3，真密度为2.16~2.23g/cm3，线性膨胀系数为0.6×10-6/℃，气孔率为11%~14%；且坩埚的内部组织结构非常均匀，适当的气孔率既保证了坩埚的强度，又保证了很好的吸附性，提高了多晶硅铸锭的成品率；高纯熔融石英原料相对于石墨，可减少对多晶硅的污染、降低制造成本；能完全满足多晶硅铸锭的生产要求和规模化生产的需求，具有显著的市场价值。文档编号C03B20/00GK102153271SQ201010581050公开日2011年8月17日 申请日期2010年12月9日 优先权日2010年12月9日专利技术者方青 申请人:江苏润弛太阳能材料科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚，其特征在于：由块状高纯熔融石英原料和粒状高纯熔融石英原料组成，且块状高纯熔融石英原料与粒状高纯熔融石英原料的质量配比为（２５：７５）～（３０：７０）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：方青，
申请(专利权)人：江苏润弛太阳能材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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