本发明专利技术目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示选自以下基团中的任一个：含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及咔唑衍生物，尤其涉及可以作为原材料用于获得发光元件材料的咔唑 衍生物。另外，本专利技术涉及使用该咔唑衍生物获得的发光材料，以及使用该发光元件材料制 造的发光元件和电子设备。
技术介绍
近年来，发光元件开始用作显示器等的像素。此类发光元件通常具有其中含发光 物质的层插在一对电极之间的结构。在发光元件领域，为了获得具有有利的发光效率和色度的发光元件，或为了获 得可以防止光猝灭的发光元件，对用于制造发光元件的材料物质进行了各种研究。在它 们之中，用作发光物质(当驱动发光元件时显示发光的物质)的物质通常称作“客体”， 并且具有更好效率的发光客体的发展正在推进。例如，专利文件1 日本专利特许公开号 2001-131541公开了一种与具有长的发光寿命具有高的发光效率的有机EL元件材料有关 的技术。
技术实现思路
对于发光元件，电流由于空穴或电子的转移而流动，并且在发光层中，这些载流子 被客体俘获并重组。换言之，客体在氧化或还原状态之后进入激发态。随后，已经进行激发 态的客体当返回到基态时发光。已经回到基态的客体，在由于载流子的重组再次进行激发 态之后，当返回到基态时发光。重复这种激发和发光的客体，换言之重复氧化或还原的客体 当它经历氧化或还原时可能达到具有不同的性能。当客体的性能改变时，虽然重复激发和 发光，所需的发光可能不能获得，或者它可能变成由于载流子传送性能变化而发生元件碌、 化的原因。因此，客体不仅要求发光效率，而且要求具有抗氧化或还原性。为了发光元件有效地发光，要求通过使得客体有效地俘获载流子来改进载流子的 重组效率。在许多发光元件中，发光层具有其中客体分散在称作“主体”的基材中的结构， 并且通过将该主体和客体结合以致该客体的HOMO能级高于该主体的HOMO能级，或者以致 该客体的LUMO能级小于该主体的LUMO能级，则更容易俘获载流子。然而，虽然更容易俘获 载流子，但是HOMO能级和LUMO能级之间的能隙变小，并且存在不能获得显示具有所需色度 的发光的发光元件的情形。在显示发蓝光的发光元件中，这种问题尤其突出。因此，本专利技术的目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可作为原材料用于制造具 有耐重复氧化反应性的发光元件材料。4此外，本专利技术的目的是提供具有耐重复氧化反应性的发光材料。本专利技术的目的是提供具有耐重复氧化反应性的发光元件，并且借助于该发光元 件，可以获得长时间的有利发光。应指出，本说明书中的“重复氧化反应”是指重复将中性 物质电氧化然后让它返回中性状态的氧化过程。另外，本专利技术的目的是提供显示具有有利色度的发蓝光的发光元件，发光装置和 电子设备。本专利技术的一个特征是由以下通式(1)表示的咔唑衍生物。权利要求1.发光元件，其包含 第一电极；在该第一电极上的发光层； 在该发光层上的第二电极， 其中该发光层包含通式(1)表示的发光材料2.根据权利要求1的发光元件，其中R1表示氢。3.根据权利要求1的发光元件，其中R1表示具有1至4个碳原子的烷基。4.根据权利要求1的发光元件，其中R1表示具有1至12个碳原子的芳基。5.根据权利要求1的发光元件，其进一步在第一电极和发光层之间包含空穴产生层。6.根据权利要求5的发光元件，其中该空穴产生层是包含空穴传输物质和相对于空穴 传输物质具有电子接受性能的物质的混合层。7.根据权利要求6的发光元件，其中具有电子接受性能的物质选自氧化钼、氧化钒、氧 化钌和氧化铼。8.根据权利要求1的发光元件，其进一步在发光层和第二电极之间包含电子产生层。9.根据权利要求8的发光元件，其中该电子产生层是包含电子传输物质和相对于电子 传输物质具有供电子性能的物质的混合层。10.根据权利要求9的发光元件，其中具有供电子性能的物质选自锂、钙、钠、钾和镁。11.发光装置，其包含根据权利要求1的发光元件。12.发光元件，其包含 第一电极；在该第一电极上的发光层； 在该发光层上的第二电极， 其中该发光层包含结构式(2)表示的发光材料13.根据权利要求12的发光元件，其进一步在第一电极和发光层之间包含空穴产生层。14.根据权利要求13的发光元件，其中该空穴产生层是包含空穴传输物质和相对于空 穴传输物质具有电子接受性能的物质的混合层。15.根据权利要求14的发光元件，其中具有电子接受性能的物质选自氧化钼、氧化钒、 氧化钌和氧化铼。16.根据权利要求12的发光元件，其进一步在发光层和第二电极之间包含电子产生层。17.根据权利要求16的发光元件，其中该电子产生层是包含电子传输物质和相对于电 子传输物质具有供电子性能的物质的混合层。18.根据权利要求17的发光元件，其中具有供电子性能的物质选自锂、钙、钠、钾和镁。19.发光装置，其包含根据权利要求12的发光元件。20.通式(3)表示的咔唑衍生物21.结构式(4)表示的咔唑衍生物全文摘要本专利技术目的是提供咔唑衍生物，该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中，R1表示选自以下基团中的任一个含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基，和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。文档编号C07D209/86GK102127422SQ201010609289公开日2011年7月20日 申请日期2006年7月10日 优先权日2005年7月14日专利技术者中岛晴惠, 大泽信晴, 小岛久味, 川上祥子, 江川昌和, 野村亮二 申请人:株式会社半导体能源研究所本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．发光元件，其包含：第一电极；在该第一电极上的发光层；在该发光层上的第二电极，其中该发光层包含通式（１）表示的发光材料：其中Ｒ１表示选自氢、具有１至４个碳原子的烷基以及具有１至１２个碳原子的芳基的基团，其中Ｒ２表示选自氢、甲基和叔丁基的基团，并且其中Ｒ３表示选自氢、甲基和叔丁基的基团。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，大泽信晴，中岛晴惠，小岛久味，江川昌和，野村亮二，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP
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