本发明专利技术公开了一种选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，其特征在于，它是在镀膜硅片上，用激光化学掺杂，在发射极形成重扩散区域和浅扩散区域，同步实现氮化硅薄膜的开槽。本发明专利技术利用激光化学掺杂实现选择性发射结和氮化硅开槽，与传统的光刻、激光开槽和激光掺杂再开孔的方法相比，设备投资少，方法简单，生产率高，适用于工业化大规模的生产。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池
，更具体的是涉及一种选择性发射极及氮化硅薄膜 开槽同步实现工艺。
技术介绍
太阳电池是一直利用太阳光产生电能的装置，在这个光电转换过程中，主要的损 耗是来时两个方面光损耗和电损耗，而发射极内的电子、空穴对复合是主要的电损耗之ο发射极内的电子、空穴对的复合强弱主要由掺杂浓度决定。因此，要减少其复合损 耗，则必然减少发射极的掺杂浓度，需要轻掺杂。但是，在现有产业化的晶硅太阳电池的制 作中，普遍采用丝网印刷的方式制作晶硅太阳能电池的电极。该方法是通过刮刀挤压浆料 而改变浆料的粘度及触变性，使其渗透过网版的开孔处而流到硅片上，在烧结后，形成接触 良好的电极或背场。为了得到较低的串联电阻，该方法要求硅片表面有较低的方块电阻(普 遍要求的方阻为50 Ω/□)，这就必然要求高的掺杂浓度。而高的掺杂浓度将会导致大的短 波损耗、高的俄歇复合和大的晶硅畸变，从而降低光生载流子的收集率和表面的钝化效果， 降低短路电流和开路电压，这与接触电阻要求低的方阻矛盾。选择性发射极结构就是解决 这一矛盾的一种电池结构在栅线接触处方块电阻小，其它区域方块电阻大。这样既不影响 串联电阻，也不减弱光生载流子的收集。目前，制作选择性发射极的方法有光刻掩膜技术、激光切割SiO2掩膜、丝网印刷开 槽或者含磷浆料和两步扩散法等。这些方法工艺复杂，所需设备较多，工艺成本较高，此外， 该方法仅仅实现了本身选择性发射极结构，没有为后续其它工艺做铺垫。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种设备投资少，方法简 单，生产率高，适用于工业化大规模的生产的选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工 艺。本专利技术是采用如下技术解决方案来实现上述目的一种选择性发射极及氮化硅薄 膜开孔同步实现工艺，其特征在于，它是在镀膜硅片上，用激光化学掺杂，在发射极形成重 扩散区域和浅扩散区域，同时实现氮化硅薄膜的开槽。该方法不仅实现选择性发射极结构， 也为电镀做好准备，即不再需要新的设备进行氮化硅薄膜的开槽。作为上述方案的进一步说明，它是在方块电阻为80Ω / □ -200 Ω / □的镀膜硅 片上，以喷掺杂源、激光加热掺杂源形成选择性发射极结构和氮化硅开槽同步进行的方式， 在发射极形成重扩散区域和浅扩散区域，同时实现氮化硅薄膜的开槽。在所述喷掺杂源、激光加热掺杂源形成选择性发射极结构和氮化硅开槽同步 进行过程，掺杂的宽度为10um-60um，纵向深度为0. lum-0. 6um,掺杂区域方块电阻为 5 Ω / □ -50 Ω / 口。本专利技术采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是本专利技术利用激光化学掺杂实现选择性发射结和氮化硅开槽，与传统的光刻、激光开槽 和激光掺杂再开槽的方法相比，设备投资少，方法简单，生产率高，适用于工业化大规模的生产。具体实施例方式本专利技术一种选择性发射极结构及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，它是在方块电阻 为80Ω / -200Ω / □的镀膜硅片上，用激光化学掺杂工艺，即喷掺杂源、激光加热掺杂 源形成选择性发射极结构和氮化硅开槽同步进行，掺杂的宽度为lOum-eOum，纵向深度为 0. lum-0. 6um掺杂区域方块电阻为5 Ω / □-50 Ω / □，这样在发射极形成重扩散区域和浅 扩散区域，同时实现氮化硅薄膜的开槽。本专利技术利用激光化学掺杂实现选择性发射结构和氮化硅薄膜开槽，与传统的光 刻、激光开槽和激光掺杂再开槽的方法相比，设备投资少，方法简单，生产率高，适用于工业 化大规模的生产。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术 的保护范围。权利要求1.一种选择性发射极结构及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，其特征在于，它是在镀膜 硅片上，用激光化学掺杂，在发射极形成重扩散区域和浅扩散区域，同步实现氮化硅薄膜的 开槽。2.根据权利要求1所述的选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，其特征在 于，它是在方块电阻为80Ω / 口 -200 Ω / □的镀膜硅片上，以喷掺杂源、激光加热和氮化 硅开槽同步进行的方式，在发射极形成重扩散区域和浅扩散区域，同时实现氮化硅薄膜的 开槽。3.根据权利要求1所述的选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，其特征在 于，在所述喷掺杂源、激光加热和氮化硅开槽同步进行过程，掺杂的宽度为lOum-eOum，纵向 深度为0. lum-0. 6um，掺杂区域方块电阻为5 Ω / □ -50 Ω / 口。全文摘要本专利技术公开了一种选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，其特征在于，它是在镀膜硅片上，用激光化学掺杂，在发射极形成重扩散区域和浅扩散区域，同步实现氮化硅薄膜的开槽。本专利技术利用激光化学掺杂实现选择性发射结和氮化硅开槽，与传统的光刻、激光开槽和激光掺杂再开孔的方法相比，设备投资少，方法简单，生产率高，适用于工业化大规模的生产。文档编号H01L21/22GK102142479SQ20101059419公开日2011年8月3日 申请日期2010年12月18日 优先权日2010年12月18日专利技术者胡海平 申请人:广东爱康太阳能科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种选择性发射极结构及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺，其特征在于，它是在镀膜硅片上，用激光化学掺杂，在发射极形成重扩散区域和浅扩散区域，同步实现氮化硅薄膜的开槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海平，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：44
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