PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备制造技术

PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明专利技术涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明专利技术通过改变碳掺杂比例的优化研究，控制材料的光电性能和结构特性，利用碳原子引入可增大硅薄膜带隙的效应来得到高电导、宽带隙的P型微晶硅碳。本发明专利技术的效益是：将这种宽带隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中并结合优化的p/i缓冲层，可显著增强薄膜电池的内建电场，提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅薄膜太阳电池。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新能源薄膜太阳电池领域，具体地说，涉及硅基掺杂薄膜材料领域。
技术介绍
相比于N型材料，P型掺杂层因其特殊的掺杂特性较难制备.在目前的硅基薄膜 太阳电池结构中，有的采用光学带隙较宽的P型a-SiC:H作为非晶硅太阳电池的窗口层，但 其多数电导率都比较低.据相关文献报道P型a-SiC =H薄膜材料的光学带隙高达2. 5eV, 暗态电导率约为10_6S/cm。相比于非晶的P型材料，P型微晶硅(p-type μ c-Si :H)具有 较高的电导率，较低的激活能和光吸收，但是作为电池窗口层，由于其光学带隙比较窄，并 且与非晶的本征层之间存在结构失配。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制 备方法，能同时提高太阳电池的光电转换效率和稳定性，更进一步降低生产制造成本。本专利技术的技术方案一种PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料，层厚15-30nm，电导0. 15S/ cm-10S/cm，带隙在2. OeV以上，晶化率为30% -50%。上述PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料的制备方法，该方法包括以下 步骤1)、将依次具本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＰＩ柔性衬底太阳电池用Ｐ型微晶硅碳薄膜材料，其特征在于：所述的Ｐ型微晶硅碳薄膜材料层厚１５－３０ｎｍ，电导０．１５Ｓ／ｃｍ－１０Ｓ／ｃｍ，带隙在２．０ｅＶ以上，晶化率为３０％－５０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宏琨，张德贤，胡居涛，陶科，赵静芳，王林申，靳果，谢珂，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12