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PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备，本发明涉及新能源中薄膜太阳电池领域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料层厚15-30nm，电导0.15S/cm-10S/cm，带隙在2.0eV以上，晶化率为30％-50％。本发明通过改变碳掺杂比例的...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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