本发明专利技术公开了一种微晶干粒的制备方法、微晶石瓷砖及其生产方法，根据所述微晶干粒的制备方法，所选原料经过原料研磨，原料混合，熔制，造粒、除铁工艺步骤后制得成品。利用所获得的微晶干粒采用一次烧成技术经过砖坯压制，干燥并涂施化妆土，辊筒印花，施保护釉，布施微晶干粒，加固定剂，进窑烧制而制得微晶石瓷砖成品。相对于现有微晶石瓷砖，本发明专利技术的微晶石瓷砖的硬度和耐磨度指标大幅提高，解决了二次烧成微晶陶瓷砖硬度低、耐磨度低的问题，且工艺能耗也减少30%以上，本法明的微晶石瓷砖析晶图案优美、变幻无穷，自然逼真，具有极强的市场竞争力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微晶类制造
，尤其涉及。
技术介绍
微晶石又名微晶玻璃陶瓷，属于高档装饰材料。传统的微晶石瓷砖先经过坯体高温素烧后再低温釉烧，二步烧成致使成品存在耐磨度低、硬度低、坯体与微晶结合不理想等缺陷。而一次烧微晶实现了更环保，高硬度，高耐磨度等指标的全面升级。这些优良的理化性能都是二次烧微晶和天然石材所不可比拟的。在已有的一次烧成技术所生产的微晶玻璃陶瓷也出现了布料复杂、微晶颜色单一、花色图案简单、细节不够丰富等不足，这些也阻碍了一次烧成微晶石瓷砖技术的应用和发展。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种微晶干粒的制备方法、微晶石瓷砖及其的生产方法，旨在解决目前一次烧成微晶玻璃陶瓷方法布料复杂、微晶颜色单一和花色图案简单的问题。本专利技术的技术方案如下: 一种微晶干粒的制备方法，其中，包括以下步骤: 51、原料研磨:分别将石英粉、氧化铝、白云石、硼酸、锂瓷石、钾长石进行研磨，使得各原料颗粒粒度大小一 致； 52、原料混合:将研磨好的原料混合配成粉料； 53、熔制:使混合后的粉料进入窑炉内熔制成微晶熔块； 54、造粒:对熔制出的熔块进行烘干，接着进行粉碎，过筛； 55、除铁:对过筛后的颗粒料进行除铁，制得成品。所述的微晶干粒的制备方法，其中，所述步骤SI中各原料颗粒度大小均为90-110目。所述的微晶干粒的制备方法，其中，所述步骤S2中各原料按重量百分比计为: 石英粉 18_27% ； 氧化铝 15-20% ； 白云石 18-25%; 硼酸5-10% ； 锂瓷石 28-38% ； 钟长石 5-10 %。所述的微晶干粒的制备方法，其中，所述步骤S3中窑炉内控制风压为0.01-0.4Mpa，油压为0.2-0.6Mpa，炉内温度为1490_1510°C。每小时所制熔块产量可达到I吨。所述的微晶干粒的制备方法，其中，所述步骤S4中过筛后所得微晶干粒的颗粒度为10-60目，其中各目数组成比重为: 10-20 目 60-70% ； 20-40 目 15-25% ； 40-60 目 5-15% ； 60目以上 0-10%。所述步骤S5中使用具有磁力的除铁器进行除铁，除铁器的数量为3-5个，除铁器的连接采用多级串联方式。一种微晶石瓷砖的生产方法，其中，所述微晶石瓷砖的生产方法中采用了如上所述的微晶干粒的制备方法生产得到的微晶干粒；所述微晶石瓷砖的生产方法包括以下步骤: A、将用于砖还加工的原料混合后进行砖还压制；B、对压制好砖坯经干燥后进行表面清扫，在砖坯表面涂施起装饰作用的化妆土；C、辊筒印制花纹； D、在所述印有花纹砖坯表面布施一层保护釉，用于保护所印制的花纹； E、在所述砖坯表面 的保护釉层上均匀布施微晶干粒； F、将用于固定微晶干粒的固定剂喷施于所述砖还表面；G、进窑烧制,一次烧成复合； 所述的微晶石瓷砖的生产方法，其中，还包括以下步骤: H、所述烧成出窑的产品经抛光、磨边工艺后制得成品。所述的微晶石瓷砖的生产方法，其特征在于，所述步骤G中，烧成温度为1130°C 1270°C。所述的微晶石瓷砖生产方法所制成的微晶石瓷砖，其中，所述微晶石瓷砖包括砖坯、化妆土层、保护釉层和微晶干粒层，所述化妆土层、保护釉层和微晶干粒层从里到外依次设置于砖还表面。有益效果:本专利技术所提供一种微晶干粒和微晶石瓷砖的生产方法及一种微晶石瓷砖，本专利技术采用一次烧成复合技术使得微晶石瓷砖的硬度和耐磨度指标大幅提高，解决了二次烧成微晶陶瓷砖硬度低、耐磨度低的问题，而且一次烧成技术更加环保，其能耗可减少30%以上，利用本法明提供的微晶干粒所生产的微晶石瓷砖析晶图案优美、变幻无穷，自然逼真；且能在切割磁砖时大大降低崩边现象，有效解决切割崩边问题。附图说明图1为本专利技术的微晶干粒的生产工艺流程图。图2为本专利技术的微晶石瓷砖的生产工艺流程图。图3为本专利技术的微晶石瓷砖的结构示意图。具体实施例方式本专利技术提供，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1所示，本专利技术提供的一种微晶干粒的制备方法，通过在传统一次烧微晶熔块的基础研发出来的有色微晶熔块，即在传统的一次烧微晶上，引入一些如锆等促晶剂，在经过一段高温保温区使原来微小的晶体逐渐长大成较大的肉眼可见的具有较大花纹的晶体，在引入一些着色剂使得晶体与周围的颜色产生色差，就生成了精美绝伦的有色微晶。该微晶干粒填补了国内外此类产品的空白，具体包括以下步骤: 原料研磨:分别将石英粉、氧化铝、白云石、硼酸、锂瓷石、钾长石进行研磨，使得各原料颗粒度大小均为90-110目，以100目大小颗粒为最佳。原料混合:将研磨好的原料按比例混合配成粉料，各原料按重量百分比计为: 石英粉 18_27% ； 氧化铝 15-20% ； 白云石 18-25%; 硼酸5-10% ； 锂瓷石 28-38% ； 钟长石 5-10 %。熔制:将粉料送入窑炉内熔制成微晶熔块；窑炉内控制风压为0.01-0.4Mpa，油压为 0.2-0.6Mpa，炉内 温度为 1490_1510°C。造粒:对熔制出的熔块进行烘干，接着进行粉碎，过筛。过筛后所得微晶干粒的颗粒度为，其中各目数组成比重为: 10-20 目 60-70% ； 20-40 目 15-25% ； 40-60 目 5-15% ； 60目以上 0-10%。除铁:进入除铁机除铁。微晶料中惨杂的铁杂质时，尤其是白色或浅色还料轴料时，煅烧后的铁杂质会变成黑色、黄色或蓝色的斑点，会严重影响产品的外观色泽和光洁度，因此需要对过筛后的微晶颗粒料进行除铁，通常使用具有磁力的除铁器进行除铁，除铁器的数量为3-5个，除铁器的连接采用多级串联方式。这样的设置可很好的除去铁杂质，除去铁杂质后获得微晶干粒成品。熔块的制作对工艺对砖坯和釉的排气也是很大的一个影响因素。熔制温度过高过低对后期生产砖都有很大的影响。熔制温度过高，会使配方中得易挥发成分挥发，改变釉的化学组成，使釉性变差。而温度过低反应不完全，有些造气物质尚未分解完全，在烧制成陶瓷时会使排气变差。因此在熔制熔块时应使温度控制在熔块没有夹生料，接板没有气泡或存在少许气泡为宜。本本专利技术中根据自身配方的结果特点，将熔块烧成的加工温度保持1500度正负10度，并且确保熔窑处于氧化气氛，使燃油充分不污染熔块，而产生气泡。为了使砖坯和釉排气良好，微晶干粒目数的选择非常重要，微晶干粒过粗，使烧成温度过提高，会导致色釉花釉氧化分解，釉粘度较高排气不完全而存在较多的气泡而且气泡较大。微晶干粒过细烧成温度偏低，粘度过低釉过早熔融将气泡封死在釉层中，而导致有较多的气泡。因此微晶干粒目数的大小对排气有较大的影响。在本专利技术所提供的微晶干粒的制备方法中，造粒制作过程中采用不同大小的微晶干粒搭配混用，取10目到60目之间的微晶干粒混合使用，可以填充微晶干粒之间的空隙，将空隙中的气体赶出，同时这样对温度的烧成范围也加大了。更有利于砖还和釉的排气。如图2所示，用上述的微晶干粒生产微晶石瓷砖，所述微晶石瓷砖的生产方法包括以下步骤:A、将用于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种微晶干粒的制备方法，其特征在于， 包括以下步骤：S1、原料研磨：分别将石英粉、氧化铝、白云石、硼酸、锂瓷石、钾长石进行研磨，使得各原料颗粒粒度大小一致； S2、原料混合：将研磨好的原料混合配成粉料；S3、熔制：使混合后的粉料进入窑炉内熔制成微晶熔块；S4、造粒：对熔制出的熔块进行烘干，接着进行粉碎，过筛；S5、除铁：对过筛后的颗粒料进行除铁，制得成品。
【技术特征摘要】
1.一种微晶干粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 51、原料研磨:分别将石英粉、氧化铝、白云石、硼酸、锂瓷石、钾长石进行研磨，使得各原料颗粒粒度大小一致； 52、原料混合:将研磨好的原料混合配成粉料； 53、熔制:使混合后的粉料进入窑炉内熔制成微晶熔块； 54、造粒:对熔制出的熔块进行烘干，接着进行粉碎，过筛； 55、除铁:对过筛后的颗粒料进行除铁，制得成品。2.根据权利要求1所述的微晶干粒的制备方法，其特征在于，所述步骤SI中各原料颗粒度大小均为90-110目。3.根据权利要求1所述的微晶干粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中各原料按重量百分比计为: 石英粉 18-27% ； 氧化铝 15-20% ； 白云石 18-25%; 硼酸5-10% ； 锂瓷石 28-38% ；` 钟长石 5-10 %。4.根据权利要求1所述的微晶干粒的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中窑炉内控制风压为0.01-0.4Mpa，油压为0.2-0.6Mpa，炉内温度为1490-1510。。。5.根据权利要求1所述的微晶干粒的制备方法，其特征在于，所述S4中过筛后所得微晶干粒的颗粒度为10-60目，其中各目数组成比重为: 10-20 目 60-70%...
【专利技术属性】
技术研发人员：何维恭，
申请(专利权)人：广东伟邦微晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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