用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法技术

用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法，属于半导体技术领域，本发明专利技术先在蓝宝石衬底上利用光刻技术制备光刻图形，再利用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀多层金属结构A/Ni/B/Ni/C/Ni……作为刻蚀蓝宝石衬底的掩膜层，然后将蓝宝石衬底放入与所用光刻胶相对应的去胶剂中，进行光刻胶剥离工艺，完成金属掩膜结构的制备。制成的半成品——具有金属掩膜结构的蓝宝石衬底可以满足对蓝宝石衬底进行各种深度尺寸的干法刻蚀的工艺需求，可通过干法刻蚀技术进行表面加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指一种通过真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上制 备用于干法刻蚀的多层金属掩膜结构及其制备方法。
技术介绍
蓝宝石单晶(α -Al2O3)具有很好的热稳定性和介电特性，并且化学惰性强、光透射 性能好，有很好的耐磨性，是一种集优良光学性能、物理性能、机械性能和化学性能于一体 的多功能氧化物晶体。因此，作为重要的技术晶体材料，它具有广泛的用途，其中最重要的 一个用途就是作为氮化物基LED器件发光二极管的首选衬底片材料。近年来，通过半导体 处理工艺，在蓝宝石衬底上制备周期排列的图形或进行衬底表面不规则的粗化，以提高于 其上生长的氮化物材料的外延层晶体质量及其器件的光电性能的研究以及与蓝宝石衬底 处理工艺对应的技术和产品的推广备受关注。在对蓝宝石衬底进行表面加工的半导体处理工艺中，对蓝宝石衬底进行刻蚀是非 常重要的一个工艺步骤。刻蚀工艺中的干法刻蚀因其具有的各向同性好、可控性好、灵活 性好、重复性好、精细图形操作安全、易实现自动化等优点而成为蓝宝石衬底刻蚀工艺的首 选。而在干法刻蚀蓝宝石衬底中，设计制备与蓝宝石衬底间有高的刻蚀选择比的有效掩膜 结构是一项非常关键的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法，其特征在于包括以下步骤：１）光刻：在蓝宝石衬底上采用光刻技术制备光刻图形；２）蒸镀：采用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀金属结构掩膜层；所述金属掩膜层为以金属Ｎｉ为间隔层的Ａ／Ｎｉ／Ｂ／Ｎｉ／Ｃ／Ｎｉ……金属结构层，其中，Ａ、Ｂ、Ｃ……为Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ或Ｃｕ中的任意一种，所述金属结构层的层数为１～１００层；３）剥离：将蓝宝石衬底放入去胶剂中，剥离光刻胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，王栾井，宋雪云，谭崇斌，徐峰，徐洲，吴真龙，高峰，
申请(专利权)人：南京大学扬州光电研究院，
类型：发明
国别省市：32