【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的加工方法，具体涉及一种通过对半导体芯大片进行 叠层辐照从而提高辐照效率的半导体器件芯片的加工方法，该方法可以降低晶体管贮存时 间ts和二极管反向恢复时间t 参数，能够提高半导体器件的辐照效率和调节器件参数，从 而保证器件参数在合格范围内。
技术介绍
目前，半导体器件在电子产品中得到广泛应用。开关晶体管主要用于计算机电源、电子镇流器、电子节能灯、手机充电器、电子适 配器等功率开关电路，是该类电子产品的核心部件；快速二极管主要用于电视机、DVD等开 关电路。2005年前，开关晶体管芯大片主要进口韩国三星牌同类系列产品，2005年后，芯大 片国产化。现在国内仅开关晶体管4-6英寸芯大片年产量达上千万，其中每个芯大片中又 含分立器件上千个左右，国内市场巨大。开关晶体管原降低贮存时间ts参数，是采用单片芯片电子辐照取代掺金、掺钼工 艺；快速二极管降低t 参数除采用单片芯片掺金、掺钼工艺外，国产部分厂家还采用单片 芯片电子辐照或成品管电子辐照(见杭德生专利技术专利“降低超快、特快、快速塑封二极管反 向恢复时间的方法”专利号ZL200410041...
【技术保护点】
一种半导体器件芯片电子辐照加工方法，其特征在于包括以下步骤：Ａ）根据参数大小对半导体器件芯片进行分档归类；Ｂ）将同档芯大片叠层整体排列，采用电子束对其进行扫描辐照；Ｃ）将经过辐照的半导体器件芯片在防氧化条件下进行热处理。
【技术特征摘要】
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