【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光电耦合器，尤其是一种抗辐照高速光电耦合器。
技术介绍
随着中国航天事业的发展，航天用户对半导体器件抗辐照、高可靠的要求日益突出。以前此类器件抗辐照性能差、可靠性差，不能作为航天器件适用。因此对器件抗辐照性能、高可靠性的需求迫在眉睫。
技术实现思路
本技术提供了一种可靠性好的抗辐照高速光电耦合器。实现本技术目的的抗辐照高速光电耦合器，包括管座，位于管座上方的外盖板，所述管座内设有多个极片，伸出管座；所述管座外缘设有胶套，所述胶套将极片伸出管座部分包裹住；所述管座上设有凹槽，所述一个极片上设有另一凹槽，所述凹槽内设有光敏芯片，所述另一凹槽内设有发光芯片，所述光敏芯片和发光芯片分别通过金丝与极片相连。本技术的抗辐照高速光电耦合器的有益效果如下:本技术的抗辐照高速光电耦合器，结构紧凑，封装效果好，性能可靠。【附图说明】图1为本技术的抗辐照高速光电耦合器的结构示意图。图2为图1的俯视图。【具体实施方式】如图1、2所示，本技术的抗辐照高速光电耦合器，包括管座1，位于管座1上方的外盖板2，所述管座1内设有多个极片6，伸出管座1 ;所述管座1外缘设有胶套7，所述胶套7将极片6伸出管座1部分包裹住；所述管座1上设有凹槽，所述一个极片6上设有另一凹槽，所述凹槽内设有光敏芯片4，所述另一凹槽内设有发光芯片3，所述光敏芯片4和发光芯片3分别通过金丝5与极片6相连。上面所述的实施例仅仅是对本技术的优选实施方式进行描述，并非对本技术的范围进行限定，在不脱离本技术设计精神前提下，本领域普通工程技术人员对本技术技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本技术的权利要求书...
【技术保护点】
抗辐照高速光电耦合器，其特征在于：包括管座，位于管座上方的外盖板，所述管座内设有多个极片，伸出管座；所述管座外缘设有胶套，所述胶套将极片伸出管座部分包裹住；所述管座上设有凹槽，所述一个极片上设有另一凹槽，所述凹槽内设有光敏芯片，所述另一凹槽内设有发光芯片，所述光敏芯片和发光芯片分别通过金丝与极片相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王四新，宋亚美，殷伟伟，
申请(专利权)人：北京瑞普北光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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