【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用剥离方法的。
技术介绍
现有的薄型中有一种例子，即在耐热性高的衬底和薄膜集 成电路的基底绝 缘层之间设置金属氧化膜，并通过晶化将该金属氧化膜脆弱化而使薄膜集 成电路剥离，且利用粘合剂将另外准备的柔性衬底与薄膜集成电路的基底绝缘层贴在一起 (例如，参照专利文件1)。日本专利申请公开2005-229098号公报然而，在基底绝缘层由无机绝缘层如氧化硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合剂由有 机化合物如聚合物或有机树脂而形成的情况下，会发生一个问题，即，基底绝缘层和粘合剂 的紧密性低。此外，如果将通过上述方法等贴在一起的薄膜集成电路和柔性衬底分割为多个， 就在被分割了的侧面露出基底绝缘层和粘合剂的界面。在基底绝缘层由无机绝缘层如氧化 硅膜或氮化硅膜而形成，且粘合剂由有机化合物如聚合物或有机树脂而形成的情况下，基 底绝缘层和粘合剂的紧密性低，因此湿气等从该界面容易进入。结果发生一个问题，即从基 底绝缘层剥落柔性衬底。如果从基底绝缘层剥落柔性衬底则发生另一个问题，即露出薄膜 集成电路，而由于湿气，薄膜集成电路不正常地工作。
技术实现思路
于是，本专利技术提供一种具有...
【技术保护点】
一种半导体装置，它包括：第一柔性衬底；与所述第一柔性衬底接触的薄膜集成电路；与所述薄膜集成电路接触的绝缘层；以及与所述绝缘层接触的第二柔性衬底，其中，所述薄膜集成电路和所述绝缘层的界面以及所述绝缘层和所述第二柔性衬底的界面不露出。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田大干，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP
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