半导体器件及其制造方法技术

半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有利用薄膜晶体管(下文称为TFT)形成的电路的。例如，本专利技术涉及其中安装了以液晶显示面板作为代表的电光器件或包括有机发光元件的发光显示器件作为其部件的电子器件。注意此说明书中的半导体器件指的是可使用半导体特性操作的所有器件，而且光电器件、半导体电路以及电子器件都是半导体器件。
技术介绍
针对多种应用使用多种金属氧化物。氧化铟是众所周知的材料，且用作液晶显示器等所必需的透明电极材料。某些金属氧化物具有半导体特性。具有半导体特性的金属氧化物是一种类型的化合物半导体。化合物半导体是利用结合到一起的两种或多种类型的半导体形成的半导体。 一般而言，金属氧化物变成绝缘体。然而，已知金属氧化物根据金属氧化物中包括的元素的组合而变成半导体。例如，已知氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等是具有半导体特性的金属氧化物。公开了其中利用这样的金属氧化物形成的透明半导体层作为沟道形成区的一种薄膜晶体管 (专利文献1到4与非专利文献1)。此外，已知作为金属氧化物的不仅有单组分氧化物而且有多组分氧化物。例如，作为同系化合物的InGaO3(ZnO)ffl(m为自然数)是已知的材料(非专利文献2到4本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种有源矩阵显示器件，包括：晶体管，其包括：栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；和在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌；在所述氧化物半导体层上的包括氧化铝的绝缘层；与所述氧化物半导体层电接触的像素电极。

【技术特征摘要】
2008.12.26 JP 2008-3337881.一种有源矩阵显示器件，包括 晶体管，其包括栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；和在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌； 在所述氧化物半导体层上的包括氧化铝的绝缘层； 与所述氧化物半导体层电接触的像素电极。2.一种有源矩阵显示器件，包括 晶体管，其包括栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；和在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌； 在所述氧化物半导体层上的源电极； 在所述氧化物半导体层上的漏电极；在所述氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极上的绝缘层；以及与所述源电极和所述漏电极之一电接触的像素电极，其中，所述源电极和所述漏电极中的一个具有面对所述源电极和所述漏电极中另一个的部分，以及所述部分具有U形。3.一种有源矩阵显示器件，包括 像素，包括晶体管；与所述晶体管电接触的像素电极；与所述像素可操作地连接的扫描线驱动器电路，所述扫描线驱动器电路包括第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第五晶体管；第六晶体管；第七晶体管；第八晶体管；其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到第一引线， 其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个，其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到第三引线，其中，所述第四晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线， 其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极， 其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极其中，所述第三晶体管的栅极电连接到第三晶体管的源极和漏极中所述一个， 其中，所述第四晶体管的栅极电连接到第一晶体管的栅极， 其中，所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第三引线， 其中，所述第六晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线， 其中，所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个，其中，所述第六晶体管的栅极电连接到第二晶体管的栅极， 其中，所述第七晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线， 其中，所述第七晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极， 其中，所述第八晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线， 其中，所述第八晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极， 其中，所述第八晶体管的栅极电连接到所述第五晶体管的栅极， 其中，所述像素的所述晶体管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管中的每一个包括 栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；和在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌。4.一种有源矩阵显示器件，包括 像素，包括晶体管；与所述晶体管电接触的像素电极；与所述像素可操作地连接的驱动器电路，所述驱动器电路包括反相器电路，所述反相器电路包括 第一晶体管； 第二晶体管；以及其中，所述第一晶体管的源极电连接到第二晶体管的漏极， 其中，所述第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极， 所述像素的所述晶体管、第一晶体管、和第二晶体管中的每一个包括 栅电极；在所述栅电极上的栅绝缘层；和在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，坂田淳一郎，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP